Q2中芯國際營收環(huán)比增長18% 14nm風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)年底貢獻(xiàn)營收

Q2中芯國際營收環(huán)比增長18% 14nm風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)年底貢獻(xiàn)營收

中芯國際8月8日晚發(fā)布2019年二季度財(cái)報(bào),二季度公司實(shí)現(xiàn)營收7.909億美元,環(huán)比增長18.2%,同比減少11.2%;實(shí)現(xiàn)凈利潤1853.9萬美元,環(huán)比增長51.1%,同比減少64.1%;毛利率19.1%,環(huán)比上升0.9個(gè)百分點(diǎn),而上年同期為24.5%。

二季度,從應(yīng)用類型來看,來自通訊領(lǐng)域收入占比達(dá)到48.9%,同比增加8.5個(gè)百分點(diǎn),環(huán)比增加5.9個(gè)百分點(diǎn);從地區(qū)分類來看,來自美國的收入占比下滑至27.5%,中國及歐亞地區(qū)收入占比提升,中國區(qū)收入占比達(dá)到56.9%,歐亞區(qū)收入占比達(dá)到15.8%;從各技術(shù)制程來看,28nm技術(shù)收入占比達(dá)到3.8%,40/45nm技術(shù)收入占比達(dá)到19.2%,55/65nm技術(shù)收入占比達(dá)到26.2%。

對(duì)于2019年第三季度,公司預(yù)計(jì)收入增加0%至2%,毛利率介于19%至21%的范圍內(nèi)。

中芯國際聯(lián)合首席執(zhí)行官,趙海軍博士和梁孟松博士評(píng)論說:“世界整體局勢(shì)仍存在不確定性,但伴隨產(chǎn)業(yè)回暖與公司內(nèi)部改革,我們逐步走出調(diào)整期,成熟工藝平臺(tái)顯著增長,先進(jìn)技術(shù)發(fā)展持續(xù)突破。公司二季度業(yè)績(jī)成長強(qiáng)勁,智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)及相關(guān)應(yīng)用帶動(dòng)需求,營收環(huán)比增長18%;來自中國和歐亞區(qū)客戶營收增幅明顯,環(huán)比成長分別為25%和34%。”

中芯國際介紹,公司FinFET工藝研發(fā)持續(xù)加速,14nm進(jìn)入客戶風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn),預(yù)期在今年底貢獻(xiàn)有意義的營收。第二代FinFET N+1技術(shù)平臺(tái)已開始進(jìn)入客戶導(dǎo)入,公司將與客戶保持長遠(yuǎn)穩(wěn)健的合作關(guān)系,把握5G、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子等產(chǎn)業(yè)發(fā)展機(jī)遇。

華虹半導(dǎo)體整體產(chǎn)能利用率達(dá)90% 無錫廠Q4試生產(chǎn)12英寸晶圓

華虹半導(dǎo)體整體產(chǎn)能利用率達(dá)90% 無錫廠Q4試生產(chǎn)12英寸晶圓

8月6日,華虹半導(dǎo)體公布其2019年第二季度及上半年的經(jīng)營業(yè)績(jī)。得益于其銷售策略及部分特色工藝的優(yōu)勢(shì)等,華虹半導(dǎo)體第二季度及上半年銷售額均有所成長。

銷售額小幅增長,產(chǎn)能利用率回升

數(shù)據(jù)顯示,2019年第二季度華虹半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)銷售收入2.3億美元,同比持平、環(huán)比增長4.2%;期內(nèi)溢利4990萬美元,同比增長8.7%、環(huán)比增長7.0%;歸母公司擁有人應(yīng)占利潤4336萬美元,同比下降5.3%、環(huán)比下降8.7%;毛利率31.0%,同比下降2.6個(gè)百分點(diǎn)、環(huán)比下降1.2個(gè)百分點(diǎn)。

第二季度華虹半導(dǎo)體97.8%的銷售收入來源于半導(dǎo)體晶圓的直接銷售,本季度末月產(chǎn)能為 17.5萬片,本季度產(chǎn)能利用率為93.2%。

按地區(qū)劃分,第二季度華虹半導(dǎo)體來自于中國的銷售收入1.3億美元,占銷售收入總額的55.4%,同比下降5.3%,主要由于智能卡芯片的需求減少,部分被超級(jí)結(jié)產(chǎn)品的需求增加所抵消。此外,來自于日本的銷售收入同比增長43.9%,主要得益于MCU和邏輯產(chǎn)品的需求增加。

按技術(shù)平臺(tái)劃分,第二季度華虹半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲(chǔ)器銷售收入7960萬美元,同比下降10.2%;分立器件銷售收入9250萬美元,同比增長21.7%;模擬與電源管理銷售收入3340萬美元,同比下降11.0%;邏輯及射頻銷售收入2160萬美元,同比持平;獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器銷售收入270萬美元,同比下降55.1%。

從終端市場(chǎng)劃分,第二季度華虹半導(dǎo)體銷售收入1.5億美元,占銷售收入總額的64.0%,是其第一大終端市場(chǎng);工業(yè)及汽車產(chǎn)品銷售收入4430萬美元,同比減少6.4%;通訊產(chǎn)品銷售收入2810 萬美元,同比增長9.3%;計(jì)算機(jī)產(chǎn)品銷售收入1050萬美元,同比減少5.8%。

華虹半導(dǎo)體總裁兼執(zhí)行董事唐均君在評(píng)價(jià)第二季度經(jīng)營業(yè)績(jī)時(shí)表示,第二季度分立器件平臺(tái)繼續(xù)顯示出巨大的優(yōu)勢(shì),各產(chǎn)品的需求都在增加,尤其是超級(jí)結(jié)、IGBT和通用MOSFET,并預(yù)計(jì)分立器件在未來的需求仍將持續(xù)增長。此外,得益于中國、北美和其他亞洲國家市場(chǎng)的強(qiáng)勁表現(xiàn),來自模擬與電源管理平臺(tái)的銷售收入環(huán)比增長近41%。

綜合今年上半年,華虹半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)銷售收入4.5億美元,同比增長2.5%;期內(nèi)溢利為9650萬美元,同比增長12.1%;母公司擁有人應(yīng)占期內(nèi)溢利9082.6萬美元,同比增長5.7%;毛利率為31.6%,同比下降1.3個(gè)百分點(diǎn);月產(chǎn)能由17.2萬片增至17.5萬片。

華虹半導(dǎo)體在報(bào)告中指出,上半年華虹半導(dǎo)體銷售收入增長主要得益于平均銷售單價(jià)上升;毛利率下降主要由于產(chǎn)能利用率較低、原材料的單位成本及折舊成本增加,部分被平均銷售單價(jià)上升所抵銷。

回顧上半年,全球半導(dǎo)體市場(chǎng)形勢(shì)受到上半年較高庫存的影響,晶圓代工普遍表現(xiàn)不佳,華虹半導(dǎo)體得益于其銷售策略及部分特色工藝的優(yōu)勢(shì)等,第二季度及上半年銷售額均有所成長。

唐均君指出,盡管同時(shí)面臨來自市場(chǎng)、技術(shù)、客戶以及即將投入使用的新12英寸晶圓廠等諸多挑戰(zhàn),但經(jīng)過努力付出,華虹半導(dǎo)體的整體產(chǎn)能利用率已回升到90%以上,“我們非常有信心2019年下半年的表現(xiàn)將比上半年更為強(qiáng)勁?!?/p>

無錫工廠Q4試生產(chǎn)300mm晶圓

展望第三季度及下半年,華虹半導(dǎo)體持樂觀態(tài)度。據(jù)其預(yù)計(jì),第三季度銷售收入約2.38億美元,毛利率約31%。

在二季報(bào)及半年報(bào)中,華虹半導(dǎo)體重點(diǎn)提到了華虹無錫300mm晶圓制造工廠。報(bào)告指出,300mm晶圓項(xiàng)目正按計(jì)劃平穩(wěn)推進(jìn),廠房和潔凈室已完成建設(shè),潔凈室于第二季度通過認(rèn)證。同時(shí),第一批1萬片產(chǎn)能所需的大部分機(jī)器設(shè)備已搬入,目前正處于安裝和測(cè)試階段。

在技術(shù)方面,55納米邏輯與射頻CMOS技術(shù)、90納米嵌入式閃存技術(shù)與90納米BCD技術(shù)前期研發(fā)順利;同時(shí),根據(jù)市場(chǎng)研究與技術(shù)評(píng)估情況,通過了開發(fā)12英寸功率器件工藝方案,確定了華虹無錫12英寸項(xiàng)目IC + Power的規(guī)劃。

無錫工廠將于2019年第四季度開始試生產(chǎn)300mm晶圓,55納米邏輯與射頻CMOS技術(shù)將率先在第四季度進(jìn)入量產(chǎn)。工程師團(tuán)隊(duì)和客戶正密切合作開發(fā)幾個(gè)新產(chǎn)品,為初期爬坡試生產(chǎn)作準(zhǔn)備。

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陜西:華天封測(cè)項(xiàng)目Q3投產(chǎn);三星二期項(xiàng)目年內(nèi)完成設(shè)備調(diào)試

陜西:華天封測(cè)項(xiàng)目Q3投產(chǎn);三星二期項(xiàng)目年內(nèi)完成設(shè)備調(diào)試

據(jù)陜西日?qǐng)?bào)報(bào)道,受益于中興智能終端產(chǎn)能恢復(fù)、以及重大項(xiàng)目產(chǎn)能開始釋放等因素,上半年陜西省電子信息制造業(yè)工業(yè)總產(chǎn)值同比增長35.1%。

上半年,三星芯片二期項(xiàng)目、奕斯偉硅片基地項(xiàng)目、以及華天集成電路封測(cè)項(xiàng)目等進(jìn)展順利。

三星芯片二期項(xiàng)目

2012年,西安高新區(qū)成功引進(jìn)三星電子存儲(chǔ)芯片項(xiàng)目,其一期項(xiàng)目總投資達(dá)100億美元,于2014年5月竣工投產(chǎn),該項(xiàng)目也成為三星海外投資歷史上投資規(guī)模最大的項(xiàng)目。

2017年8月30日,為滿足全球IT市場(chǎng)對(duì)高端3D NAND產(chǎn)品需求的增加,三星電子株式會(huì)社與陜西省政府簽署了投資合作協(xié)議,決定在西安高新綜合保稅區(qū)內(nèi)建設(shè)三星(中國)半導(dǎo)體有限公司存儲(chǔ)芯片二期項(xiàng)目。

2018年3月,三星芯片二期項(xiàng)目正式開工建設(shè),三星(中國)半導(dǎo)體有限公司副總裁池賢基此前曾表示,三星半導(dǎo)體的存儲(chǔ)芯片二期項(xiàng)目分為兩個(gè)階段,總投資將超過140億美元,其中第一階段投資70億美元。

陜西日?qǐng)?bào)指出,目前,三星芯片二期項(xiàng)目基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)已接近尾聲,主廠房和附屬設(shè)施進(jìn)入試運(yùn)行狀態(tài),預(yù)計(jì)今年內(nèi)完成設(shè)備調(diào)試等工作。

華天集成電路封測(cè)項(xiàng)目

2018年3月28日,為配套集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,完善戰(zhàn)略布局,華天科技在陜西省寶雞市高新開發(fā)區(qū)設(shè)立全資子公司華天科技(寶雞)有限公司,從事半導(dǎo)體引線框架及封裝測(cè)試設(shè)備的生產(chǎn)及銷售業(yè)務(wù),注冊(cè)資本1億元。

根據(jù)華天科技此前在其投資者關(guān)系活動(dòng)記錄表中透露的信息,華天寶雞的引線框架及封裝測(cè)試設(shè)備產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目,主要進(jìn)行廠房和動(dòng)力配套等基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)以及生產(chǎn)線的購建。預(yù)計(jì)寶雞項(xiàng)目今年10月投產(chǎn)。

陜西日?qǐng)?bào)指出,華天集成電路封測(cè)項(xiàng)目一期建設(shè)已按計(jì)劃完成,預(yù)計(jì)三季度開始投產(chǎn)。

奕斯偉硅片基地項(xiàng)目

2017年12月9日,西安高新區(qū)與北京芯動(dòng)能公司、北京奕斯偉公司三方共同簽署了硅產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目投資合作意向書,宣布硅產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目落戶西安高新區(qū)。

據(jù)悉,該項(xiàng)目總投資超過100億元人民幣,建筑面積達(dá)20萬平方米,由生產(chǎn)廠房、拉晶廠房、綜合動(dòng)力站、廢水處理站、固體站、氣體庫以及綜合配套區(qū)構(gòu)成。

該項(xiàng)目一期總投資30億元,建設(shè)內(nèi)容包括300毫米(12英寸)硅片材料生產(chǎn)線,主要工序包括拉晶、成型、拋光、清洗工序,以及外延片對(duì)應(yīng)的外延工序,一期計(jì)劃投產(chǎn)規(guī)模50萬片/月。

項(xiàng)目建成后將成為研發(fā)生產(chǎn)300mm(12英寸)硅片,建設(shè)月產(chǎn)能50萬片、年產(chǎn)值約45億元的生產(chǎn)基地,最終目標(biāo)成為月產(chǎn)能100萬片、年產(chǎn)值超百億元的12英寸硅材料企業(yè)。

2019年1月17日,西安奕斯偉硅產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目正式封頂,6月5日正式啟動(dòng)設(shè)備搬入工作,計(jì)劃年內(nèi)交付認(rèn)證產(chǎn)品,2020年將實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。

此外,中興智能終端二期項(xiàng)目B1、B2廠房已經(jīng)封頂,綜合樓二層主體正在施工,預(yù)計(jì)2019年年底竣工,項(xiàng)目建成后將新增年產(chǎn)智能終端1500萬部的生產(chǎn)能力。

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總投資114.8億元的12個(gè)半導(dǎo)體及ICT產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約徐州

總投資114.8億元的12個(gè)半導(dǎo)體及ICT產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目簽約徐州

日前結(jié)束的中國·徐州2019半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)金龍湖峰會(huì)取得豐碩成果,總投資114.8億元的12個(gè)半導(dǎo)體集成電路及ICT產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)簽約。這是我市聚力主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)、加大招商引資取得的又一重要成果,也是我市加快發(fā)展半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)、打造淮海經(jīng)濟(jì)區(qū)中心城市產(chǎn)業(yè)高地的有力舉措。

此次簽約的12個(gè)項(xiàng)目主要集中在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資、研發(fā)和制造領(lǐng)域,涉及半導(dǎo)體設(shè)備材料、第三代半導(dǎo)體、下游終端、產(chǎn)業(yè)基金、研發(fā)實(shí)驗(yàn)等,包括中科芯韻半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資基金、加拿大UBC大學(xué)ADAMIST(艾達(dá)米斯特)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室、天和通訊第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地、先導(dǎo)高效太陽能電池片生產(chǎn)及智能裝備制造、國人通信5G小基站研發(fā)生產(chǎn)等一批重大項(xiàng)目。

集成電路與ICT產(chǎn)業(yè)是我市重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。近兩年來,我市堅(jiān)定不移推動(dòng)產(chǎn)業(yè)集群發(fā)展、創(chuàng)新發(fā)展,全力打造具有示范性、引領(lǐng)性的產(chǎn)業(yè)集聚“芯”高地,一批投資體量大、科技含量高、帶動(dòng)能力強(qiáng)的半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目洽談?wù)猩倘〉昧送黄菩赃M(jìn)展。此次峰會(huì)優(yōu)選了12個(gè)產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目現(xiàn)場(chǎng)簽約,是我市在集成電路及ICT產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域取得的最新成果,對(duì)于進(jìn)一步豐富全市半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展前景廣闊、未來可期。

如先導(dǎo)高效太陽能電池片生產(chǎn)及智能裝備制造項(xiàng)目,一期總投資13億元,生產(chǎn)2GW單晶PERC高效電池,計(jì)劃今年底前投產(chǎn);二期總投資15億元生產(chǎn)2GW單晶TOPCon高效電池,計(jì)劃明年中期投產(chǎn);一期、二期項(xiàng)目投產(chǎn)后預(yù)計(jì)年產(chǎn)值約30億元,利潤約兩億元。天和通訊第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目投資30億元,用于大功率硅基LED芯片大規(guī)模制造,重點(diǎn)打造以硅基氮化鎵為核心的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集聚園區(qū)。

近兩年來,我市始終堅(jiān)持工業(yè)強(qiáng)市、產(chǎn)業(yè)強(qiáng)市,先后落地了鑫晶半導(dǎo)體大硅片、英國NBL電子束光刻機(jī)、飛納半導(dǎo)體高速激光影像設(shè)備等材料設(shè)備項(xiàng)目,華進(jìn)半導(dǎo)體、愛矽半導(dǎo)體、聯(lián)立半導(dǎo)體等封裝測(cè)試項(xiàng)目,臺(tái)灣正崴高端手機(jī)供應(yīng)鏈、徐工信息國家級(jí)工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)研發(fā)中心、南京點(diǎn)盈網(wǎng)絡(luò)游戲等下游應(yīng)用項(xiàng)目,臺(tái)灣捷笠氮化鎵外延片、中科漢韻碳化硅功率器件、天科合達(dá)碳化硅晶片等第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目;填補(bǔ)國內(nèi)空白的鑫華半導(dǎo)體電子級(jí)晶硅實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),具有完全獨(dú)立自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的芯思杰5G高端光芯片項(xiàng)目簽約入駐,一大批半導(dǎo)體集成電路行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)迅速集聚。

364.95億元!張江集成電路產(chǎn)業(yè)半年度成績(jī)又亮了!

364.95億元!張江集成電路產(chǎn)業(yè)半年度成績(jī)又亮了!

上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)最新發(fā)布數(shù)據(jù)顯示:本市集成電路產(chǎn)業(yè)上半年銷售收入合計(jì)為586.65億元,同比增長12.9%。其中,浦東占比73.4%,同比增幅達(dá)到21.5%。綜合張江核心區(qū)1-6月份的銷售收入情況來看,上海集成電路產(chǎn)業(yè)張江核心區(qū)銷售收入合計(jì)為364.95億元,同比增長15.6%,占上海比重為62%,占浦東比重為84.7%。

張江集電港

上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)指出,2019年是一個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性調(diào)整的年份,加之外部環(huán)境的影響,張江的芯片制造業(yè)和封裝業(yè)有所下滑。但值得欣慰的是,芯片設(shè)計(jì)業(yè)、設(shè)備材料業(yè)增幅較大,分別增長17.5%和15%。

性能比肩世界水平

說到芯片設(shè)計(jì),目前張江已經(jīng)集聚了239家芯片設(shè)計(jì)企業(yè),出品了100余項(xiàng)國內(nèi)領(lǐng)先的產(chǎn)品。就在6月19日,位于張江核心區(qū)的上海兆芯發(fā)布了新一代16nm 3.0GHz x86 CPU產(chǎn)品——開先KX-6000和開勝KH-30000系列處理器。這是國內(nèi)首款主頻達(dá)到3.0GHz(吉赫茲)的國產(chǎn)通用處理器,與國際先進(jìn)水平的差距進(jìn)一步縮小。據(jù)悉,KX-6000系列產(chǎn)品在性能跑分方面已經(jīng)和Intel的第七代桌面i5處理器相當(dāng)。

除了發(fā)布新品,性能不斷提升,追趕國際先進(jìn)水平。在各大榜單上,張江芯片企業(yè)也正在努力躋身世界一流。7月30日,蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院AI Benchmark公布的市場(chǎng)主流AI芯片測(cè)試榜單上,紫光展銳虎賁T710赫然躍居榜首,總分達(dá)到了28097,遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了高通新發(fā)布的驍龍855plus和華為麒麟810。目前,紫光展銳還沒正式發(fā)布這款虎賁T710芯片平臺(tái),采用的制程工藝也未可知。

此外,在設(shè)計(jì)領(lǐng)域,上海已有部分企業(yè)研發(fā)能力達(dá)到7nm,紫光展銳手機(jī)基帶芯片市場(chǎng)份額更是位居世界第三,在電視芯片全球市場(chǎng)亦占據(jù)領(lǐng)先位置。

而在設(shè)備材料領(lǐng)域,張江更是涌現(xiàn)出一大批國內(nèi)知名設(shè)備廠商。其中,中微半導(dǎo)體14-5nm等離子刻蝕機(jī)國際先進(jìn)水平、MOCVD設(shè)備銷售額全球第1;上海微電子90nm光刻機(jī)研制成功;盛美半導(dǎo)體兆聲波清洗機(jī),達(dá)到國際先進(jìn)水平;凱世通半導(dǎo)體的先進(jìn)離子注入機(jī),更是填補(bǔ)了國內(nèi)空白。

搶先布局5G芯片

在科技領(lǐng)域,5G已經(jīng)成為新一代熱詞,各大芯片制造商均在摩拳擦掌,提前布局。張江企業(yè)紫光展銳目前已經(jīng)推出5G通信技術(shù)平臺(tái)“馬卡魯”及其首款5G基帶芯片“春藤510”。這是繼華為發(fā)布國內(nèi)首款5G芯片后,我國企業(yè)自主研發(fā)成功的第二款5G芯片。據(jù)介紹,展銳春藤510是一顆可支持2G/3G/4G/5G的多模5G芯片,可同時(shí)支持SA和NSA。

此外,近期完成數(shù)千萬元新一輪融資的芯樸科技也正深耕5G。芯樸科技擁有完整的手機(jī)射頻前端研發(fā)團(tuán)隊(duì),覆蓋GaAs、RF SOI、CMOS Analog和Digital等各個(gè)領(lǐng)域。未來公司會(huì)根據(jù)客戶需求,專注5G射頻前端芯片開發(fā),定位產(chǎn)品性能比肩歐美國家同類型產(chǎn)品,助力5G智能終端快速起量加快普及。

說到在5G方面的布局,張江還有不少企業(yè)正在努力擔(dān)當(dāng)5G前沿性企業(yè)。比如ASR,其產(chǎn)品線覆蓋2G、3G、4G、5G以及IoT在內(nèi)的多制式通訊標(biāo)準(zhǔn)。公司創(chuàng)始股東兼CEO戴保家則表示,未來公司將更加注重5G應(yīng)用場(chǎng)景、5G技術(shù)開發(fā)鏈。在上海設(shè)立了研發(fā)中心的中興通訊則擁有完整的5G端到端解決方案,也是5G技術(shù)研究、 5G標(biāo)準(zhǔn)、專利主要貢獻(xiàn)者。在5G基站芯片方面,中興公司7nm工藝的芯片已經(jīng)完成設(shè)計(jì)并量產(chǎn),目前正在研發(fā)5nm工藝的5G芯片。

根據(jù)規(guī)劃,未來上海還將打造5G“五極”產(chǎn)業(yè)基地,分別位于浦東的金橋、張江、青浦的華為園區(qū),徐匯的漕河涇和松江的g60科創(chuàng)走廊,其中浦東張江聚焦5G芯片的發(fā)展。

重大平臺(tái)的支撐

目前張江從設(shè)計(jì)、到制造、封測(cè)、再到材料,均已建立最完善、最齊全I(xiàn)C產(chǎn)業(yè)鏈,成為上海集成電路產(chǎn)業(yè)鏈最完備,綜合技術(shù)水平最先進(jìn),自主創(chuàng)新能力最強(qiáng)的地方。當(dāng)然,除了在產(chǎn)業(yè)鏈各個(gè)版圖上涌現(xiàn)出一批優(yōu)質(zhì)企業(yè),張江核心區(qū)內(nèi)還集聚了一些集成電路公共服務(wù)平臺(tái),包括國家集成電路創(chuàng)新中心、上海集成電路研發(fā)中心等,為企業(yè)搭建專業(yè)平臺(tái),匯聚多方資源。

就在今年6月份,國家“芯火”雙創(chuàng)平臺(tái)(張江)基地在張江科學(xué)城正式啟動(dòng)運(yùn)營。基地將重點(diǎn)關(guān)注物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能等領(lǐng)域,重點(diǎn)建設(shè)芯片整機(jī)對(duì)接服務(wù)子平臺(tái)、智能硬件產(chǎn)學(xué)研合作服務(wù)子平臺(tái)、“雙創(chuàng)”孵化服務(wù)子平臺(tái)、共性技術(shù)轉(zhuǎn)化服務(wù)子平臺(tái)、集成電路設(shè)計(jì)功能性服務(wù)子平臺(tái)等五大子平臺(tái),推動(dòng)上海乃至全國集成電路相關(guān)產(chǎn)業(yè)的升級(jí)與發(fā)展,未來將把上海集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)推向一個(gè)新的高度,進(jìn)一步鞏固上海在全國集成電路產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。

此外,教育部也發(fā)文,正式批復(fù)同意復(fù)旦大學(xué)承擔(dān)的”國家集成電路產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)”項(xiàng)目科研報(bào)告。該項(xiàng)目以位于張江科學(xué)城的復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院為建設(shè)主體,聯(lián)合國內(nèi)龍頭企業(yè),建立合作共贏的融合模式,打造長三角地區(qū)新型產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺(tái)。

聚焦“中國芯”,騰飛“張江夢(mèng)”。對(duì)于張江集成電路的發(fā)展而言,更為宏遠(yuǎn)的未來則是張江將要打造世界級(jí)產(chǎn)業(yè)園——上海集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)園。上海集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)園位于張江核心區(qū)域,面積約3平方公里,目前正在實(shí)施“千億百萬”工程,集聚千家企業(yè)、形成千億規(guī)模、匯聚十萬人才、打造百萬空間,力爭(zhēng)打造成為世界先進(jìn)水平的集成電路專業(yè)園區(qū)。

除了硬核平臺(tái)支撐外,張江集成電路企業(yè)還將迎來一大利好。據(jù)悉,目前國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金(俗稱“國家大基金”)二期的募資工作已接近完成,規(guī)模在2000億元左右。此前一期基金的投資企業(yè)中,有不少來自張江,比如制造領(lǐng)域的中芯國際、華力微電子;設(shè)計(jì)領(lǐng)域的紫光展銳;設(shè)備領(lǐng)域的中微半導(dǎo)體;材料領(lǐng)域的安集微電子等。

而對(duì)于第二期,有不少消息稱,重點(diǎn)投向芯片制造以及設(shè)備材料、芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié),支持行業(yè)內(nèi)骨干龍頭企業(yè)做大做強(qiáng)。此外,國家大基金二期也將圍繞國家戰(zhàn)略和新興行業(yè)進(jìn)行投資規(guī)劃,比如智能汽車、智能電網(wǎng)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G等。相信在這新一輪中國芯片產(chǎn)業(yè)布局中,張江將迎來新的發(fā)展機(jī)遇!

注:文章數(shù)據(jù)來源于浦東時(shí)報(bào)

這次,中國芯片業(yè)的機(jī)會(huì)來了

這次,中國芯片業(yè)的機(jī)會(huì)來了

最近幾天,日韓之間再度散發(fā)出關(guān)系緊張的氣息。大韓航空公司7月29日確認(rèn),將暫停運(yùn)營韓國釜山和日本札幌之間的航線,原因是韓日關(guān)系緊張導(dǎo)致客流量減少。輿論認(rèn)為,上述現(xiàn)象是日韓貿(mào)易爭(zhēng)端升級(jí)的又一證據(jù)。

當(dāng)前,盡管有關(guān)各方正在尋求解決途徑,然而鑒于日韓分歧關(guān)乎歷史問題,實(shí)屬“冰凍三尺,非一日之寒”,因此,即便短期內(nèi)日韓關(guān)系不排除好轉(zhuǎn)的可能性,一些日韓企業(yè)也已開始在為自身發(fā)展作長期打算,最近,就有一些企業(yè)將目光投向中國。

據(jù)韓國KBS電視臺(tái)報(bào)道,韓國半導(dǎo)體企業(yè)紛紛尋找替代供應(yīng)商謀求供應(yīng)渠道多元化。三星電子和SK海力士等企業(yè)近日派出高管前往中國,尋找新供貨商,并陸續(xù)向一些中國企業(yè)開出半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重要原料——電子級(jí)氫氟酸的訂單?!度毡窘?jīng)濟(jì)新聞》則稱,三星電子、SK海力士已著手對(duì)非日本廠商的氟化氫進(jìn)行性能試驗(yàn),供應(yīng)商很可能是中國企業(yè)。

有分析認(rèn)為,日韓在全球半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)上游地位,以往,兩國已形成相對(duì)穩(wěn)定的產(chǎn)業(yè)鏈,即日本提供原材料,韓國則從事加工、制造及設(shè)計(jì)。因此,此次日韓爭(zhēng)端將對(duì)全球半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)鏈造成廣泛影響。中國在受到波及的同時(shí),也迎來了半導(dǎo)體芯片行業(yè)的機(jī)遇。隨著日韓貿(mào)易戰(zhàn)給產(chǎn)業(yè)鏈格局帶來的新變化,中國企業(yè)有望破局。

浦東開啟“中國芯”征程

浦東開啟“中國芯”征程

“如果將未來智能化社會(huì)比作一座大廈,芯片產(chǎn)業(yè)就是構(gòu)成這座大廈的磚石,平臺(tái)式公司將搭建起這座大廈的鋼筋骨架?!痹诮张e行的第一財(cái)經(jīng)科創(chuàng)大會(huì)集成電路行業(yè)沙龍上,紫光展銳首席執(zhí)行官楚慶道出芯片產(chǎn)業(yè)在本輪科技革命中的重要作用。

沙龍上嘉賓們認(rèn)為,智能手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)、5G、人工智能是未來集成電路產(chǎn)業(yè)主要驅(qū)動(dòng)力,擁有集成電路設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、裝備完整產(chǎn)業(yè)鏈的浦東將扮演重要角色。與此同時(shí),當(dāng)前我國集成電路產(chǎn)業(yè)在關(guān)鍵核心技術(shù)、產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)、產(chǎn)業(yè)投資、產(chǎn)業(yè)鏈整合升級(jí)等領(lǐng)域面臨激烈的國際競(jìng)爭(zhēng)。嘉賓還表示,科創(chuàng)板及注冊(cè)制的推出給產(chǎn)業(yè)帶來新的想象空間。

行業(yè)走向價(jià)值鏈整合 加強(qiáng)“產(chǎn)芯聯(lián)動(dòng)”

當(dāng)前全球半導(dǎo)體市場(chǎng)正處于下行周期。上海集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金董事長沈偉國表示,集成電路產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈,一些在特定市場(chǎng)具有領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)的企業(yè)通過強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合、并購重組的方式加強(qiáng)價(jià)值鏈和生態(tài)環(huán)境的控制。集成電路三大產(chǎn)業(yè)模式——IDM、產(chǎn)業(yè)鏈垂直分工、價(jià)值鏈整合及生態(tài)環(huán)境建設(shè)將在今后一段時(shí)間內(nèi)處于共同存在的狀態(tài)。

“集成電路發(fā)展的本質(zhì)是應(yīng)用聯(lián)動(dòng)。好的產(chǎn)品既是設(shè)計(jì)出來的,更是用出來的?!鄙騻槍?duì)當(dāng)前我國集成電路產(chǎn)業(yè)所面臨殘酷的國際競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境,提出應(yīng)該借鑒國內(nèi)通訊領(lǐng)域芯片的成功經(jīng)驗(yàn)(華為+海思),推動(dòng)工業(yè)和汽車領(lǐng)域以資本為紐帶,實(shí)現(xiàn)“產(chǎn)芯聯(lián)動(dòng)”發(fā)展?!坝蓢匈Y本、終端廠商共同投資芯片企業(yè),根據(jù)終端需求率先突破1-2款產(chǎn)品,并購整合形成方案能力,打造全球領(lǐng)軍企業(yè)?!?/p>

據(jù)悉,我國是最大的集成電路消費(fèi)市場(chǎng),初步建立了包括設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、裝備、材料在內(nèi)的完整產(chǎn)業(yè)鏈,其中,華為海思、紫光展銳已躋身全國前十,封測(cè)已進(jìn)入第一梯隊(duì)。與此同時(shí),我國集成電路產(chǎn)業(yè)在技術(shù)上仍處于追隨階段,整體上與世界最先進(jìn)水平還有明顯差距。

資本市場(chǎng)改革順應(yīng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求

我國集成電路產(chǎn)業(yè)與發(fā)達(dá)國家差距大,同時(shí)產(chǎn)業(yè)投資周期長,產(chǎn)業(yè)界紛紛寄希望于科創(chuàng)板及注冊(cè)制改革帶來的資金彈藥補(bǔ)給。

華登國際投資的500多家企業(yè)中,有120多家為集成電路企業(yè)?!鞍雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資就像鯉魚躍龍門?!比A登國際合伙人張聿坦言,跳過了這道龍門就能迎來快速增長,龍門之外的企業(yè)為了生存則往往會(huì)尋求外部資源整合?!凹呻娐沸袠I(yè)投資面臨著充分而激烈的行業(yè)競(jìng)爭(zhēng),長期高額的研發(fā)投入,挑戰(zhàn)摩爾定律的代價(jià)是市場(chǎng)增長和研發(fā)支出的矛盾?!彼f,過去十年全行業(yè)銷售額增長緩慢,早中期半導(dǎo)體VC投資明顯減少。

IC咖啡創(chuàng)始人胡運(yùn)旺指出,我國2000多家芯片企業(yè)中90%以上為中小企業(yè),而投資主要集中在企業(yè)中后期?!爸忻蕾Q(mào)易摩擦讓我們看到了我國芯片產(chǎn)業(yè)與美國相差甚遠(yuǎn),差距大并不是沒有解決辦法。”他呼吁,應(yīng)該關(guān)注集成電路產(chǎn)業(yè)中小企業(yè)早期成長,為產(chǎn)業(yè)培育持續(xù)的后備力量。

“科創(chuàng)板及注冊(cè)制試點(diǎn)非常及時(shí)?!痹趶埥?8年的芯原微電子(上海)股份有限公司創(chuàng)始人、董事長兼總裁戴偉民在圓桌論壇上表示。據(jù)悉,芯原微電子是一家集成電路(IC)設(shè)計(jì)代工公司,今年4月有媒體報(bào)道該公司擬在科創(chuàng)板上市?!翱苿?chuàng)板應(yīng)該姓‘科’,就是硬科技,硬科技需要長期的投入,希望科創(chuàng)板能夠成為中國的納斯達(dá)克?!?/p>

浦東集成電路產(chǎn)值超千億元

從區(qū)域上看,我國形成了京津冀環(huán)渤海、長三角、泛珠三角、中西部四個(gè)各具特色的產(chǎn)業(yè)集聚區(qū)。其中,長三角地區(qū)是中國集成電路產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)最扎實(shí)、技術(shù)最先進(jìn)的區(qū)域,產(chǎn)業(yè)規(guī)模占全國半壁江山,而上海是集成電路產(chǎn)業(yè)的“老牌重鎮(zhèn)”。

2018年,浦東新區(qū)集成電路產(chǎn)值突破1000億元,占到全市的73%。

目前,浦東集成電路產(chǎn)業(yè)已覆蓋設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試、裝備材料等各環(huán)節(jié),形成了一批國內(nèi)龍頭企業(yè)和有潛質(zhì)的“獨(dú)角獸”企業(yè)。張江是上海集成電路產(chǎn)業(yè)鏈最完備、綜合技術(shù)水平最先進(jìn)、自主創(chuàng)新能力最強(qiáng)的地方。紫光展銳的手機(jī)基帶芯片市場(chǎng)份額已位居世界第三,張江集成電路設(shè)計(jì)園全面啟動(dòng)建設(shè)。中芯國際、華虹集團(tuán)這兩家浦東企業(yè)的年銷售額在國內(nèi)位居前兩位。

浦東新區(qū)科技和經(jīng)濟(jì)委員會(huì)主任唐石青表示,未來浦東在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中將更加注重集成電路設(shè)計(jì)的產(chǎn)業(yè)先導(dǎo)地位。浦東正在推進(jìn)的集成電路設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)園將力爭(zhēng)集聚千家企業(yè)、形成千億規(guī)模、匯聚十萬人才、新增百萬空間。

武漢規(guī)劃8大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè) 力爭(zhēng)到2020年IC主營收入達(dá)1000億

武漢規(guī)劃8大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè) 力爭(zhēng)到2020年IC主營收入達(dá)1000億

據(jù)荊楚網(wǎng)報(bào)道,為推進(jìn)高質(zhì)量發(fā)展,武漢市擬重點(diǎn)發(fā)展集成電路、光電子信息、汽車、大健康、數(shù)字、航空航天、智能制造、新能源與新材料等8大重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)。

預(yù)計(jì)到2022年,重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)主營收入1.7萬億元,境內(nèi)外上市公司150家。其中集成電路產(chǎn)業(yè)主營業(yè)務(wù)收入到2022年力爭(zhēng)達(dá)到1000億元,光電子信息產(chǎn)業(yè)主營業(yè)務(wù)收入到2022年力爭(zhēng)突破1500億元。

據(jù)報(bào)道,武漢市將依托國家存儲(chǔ)器基地,重點(diǎn)發(fā)展存儲(chǔ)芯片、光通信芯片和衛(wèi)星導(dǎo)航芯片,形成以芯片設(shè)計(jì)為引領(lǐng)、芯片制造為核心、封裝測(cè)試與材料為配套較完整的集成電路產(chǎn)業(yè)鏈。

此外,武漢市還將發(fā)揮信息光電子、5G等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化優(yōu)勢(shì),重點(diǎn)培育細(xì)分領(lǐng)域龍頭企業(yè),建成具有國際影響力的新一代信息產(chǎn)業(yè)基地。深度參與北斗全球衛(wèi)星導(dǎo)航系統(tǒng)建設(shè),加快衛(wèi)星遙感、通信與導(dǎo)航融合化應(yīng)用,打造全球有影響力的地球空間信息及應(yīng)用服務(wù)創(chuàng)新型產(chǎn)業(yè)集群。

【盤點(diǎn)】國內(nèi)在建晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目

【盤點(diǎn)】國內(nèi)在建晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目

近年來,隨著國內(nèi)積極發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)以及市場(chǎng)需求提升,各地出現(xiàn)了不少晶圓生產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目及新項(xiàng)目,以下將盤點(diǎn)目前國內(nèi)各地在建晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目情況——

北京

燕東微電子8英寸集成電路研發(fā)產(chǎn)業(yè)化及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目(8英寸)

項(xiàng)目單位:北京燕東微電子科技有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:燕東微電子8英寸集成電路研發(fā)產(chǎn)業(yè)化及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目總投資48億元,以研發(fā)自主可控的8英寸LCD驅(qū)動(dòng)IC、LDMOS、IGBT等產(chǎn)品為主要目標(biāo),建成后將形成月產(chǎn)5萬片晶圓芯片、年封裝超過23億只集成電路產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化能力。

項(xiàng)目進(jìn)展:2016年9月,燕東微電子正式啟動(dòng)8英寸集成電路研發(fā)產(chǎn)業(yè)化及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目;2018年6月,該項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)FAB1廠房封頂;2019年6月25日,該項(xiàng)目迎來首臺(tái)設(shè)備搬入。

賽萊克斯北京8英寸MEMS國際代工線建設(shè)項(xiàng)目(8英寸)

項(xiàng)目單位:賽萊克斯微系統(tǒng)科技(北京)有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:賽萊克斯北京8英寸MEMS國際代工線建設(shè)項(xiàng)目總投資近26億元,建設(shè)內(nèi)容包括一座8英寸晶圓生產(chǎn)廠房以及研發(fā)樓,此外還將建設(shè)動(dòng)力廠房、化學(xué)品庫、危險(xiǎn)品庫、硅烷站等配套設(shè)施。該項(xiàng)目主要開展8英寸MEMS半導(dǎo)體晶圓加工工藝,項(xiàng)目最終達(dá)產(chǎn)后將形成年投片3萬片/月的生產(chǎn)能力。

項(xiàng)目進(jìn)展:2018年11月,賽萊克斯北京8英寸MEMS國際代工線建設(shè)項(xiàng)目進(jìn)行主廠房上梁,有望在2019年12月建成通線,進(jìn)行產(chǎn)品試生產(chǎn)。

無錫

華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地(一期)(12英寸)

項(xiàng)目單位:華虹半導(dǎo)體(無錫)有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目占地約700畝,總投資100億美元,一期項(xiàng)目總投資約25億美元,新建一條工藝等級(jí)90~65納米、月產(chǎn)能約4萬片的12英寸特色工藝集成電路生產(chǎn)線,支持5G和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。華虹無錫基地項(xiàng)目將分期建設(shè)數(shù)條12英寸集成電路生產(chǎn)線,首期項(xiàng)目實(shí)施后將適時(shí)啟動(dòng)第二條生產(chǎn)線建設(shè)。

項(xiàng)目進(jìn)展:華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項(xiàng)目(一期)于2018年3月2日正式啟動(dòng)建設(shè),2019年6月6日實(shí)現(xiàn)首批光刻機(jī)搬入,預(yù)計(jì)將于2019年9月建成投片。

海辰半導(dǎo)體新建8英寸非存儲(chǔ)晶圓廠房項(xiàng)目(8英寸)

項(xiàng)目單位:海辰半導(dǎo)體(無錫)有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:海辰半導(dǎo)體是由SK海力士旗下晶圓代工廠SK海力士System IC公司與無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團(tuán)有限公司合資建立,主要由SK海力士System IC提供8英寸晶圓生產(chǎn)設(shè)備等有形與無形資產(chǎn),無錫產(chǎn)業(yè)集團(tuán)則主要提供廠房、用水等必要基礎(chǔ)設(shè)施,規(guī)劃月產(chǎn)能為10萬片8英寸晶圓。

項(xiàng)目進(jìn)展:海辰半導(dǎo)體新建8英寸非存儲(chǔ)晶圓廠房項(xiàng)目于2018年5月23日開工,2019年2月28日廠房封頂。

淮安

德淮半導(dǎo)體年產(chǎn)24萬片12英寸集成電路芯片生產(chǎn)線項(xiàng)目(12英寸)

項(xiàng)目單位:德淮半導(dǎo)體有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:德淮半導(dǎo)體有限公司成立于2016年1月,總投資450億元,項(xiàng)目首期預(yù)計(jì)投入120億元,為年產(chǎn)24萬片的12英寸晶圓廠,占地257畝,是第一家專注于CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor,CIS)的半導(dǎo)體公司。

項(xiàng)目進(jìn)展:2018年12月,報(bào)道稱德淮半導(dǎo)體項(xiàng)目一期廠房工程順利通過消防驗(yàn)收;今年3月,淮安日?qǐng)?bào)報(bào)道稱德淮半導(dǎo)體項(xiàng)目處于設(shè)備進(jìn)場(chǎng)調(diào)試階段。

江蘇時(shí)代芯存相變存儲(chǔ)器項(xiàng)目(12英寸)

項(xiàng)目單位:江蘇時(shí)代芯存半導(dǎo)體有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:江蘇時(shí)代芯存相變存儲(chǔ)器項(xiàng)目總投資130億元,一期投資43億元,占地276畝。全面建成后將達(dá)到年產(chǎn)10萬片12英寸相變存儲(chǔ)器的產(chǎn)能,預(yù)計(jì)年可實(shí)現(xiàn)銷售45億元,利稅3億元。

項(xiàng)目進(jìn)展:江蘇時(shí)代芯存相變存儲(chǔ)器項(xiàng)目于2017年3月動(dòng)工,2017年11月主廠房封頂,2018年3月工廠竣工運(yùn)營;今年3月,淮安日?qǐng)?bào)報(bào)道稱該項(xiàng)目部分產(chǎn)品的前端工藝已在代工方投片,今年第三季度將正式下線。

中璟航天半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目(8英寸)

項(xiàng)目單位:江蘇中璟航天半導(dǎo)體實(shí)業(yè)發(fā)展有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:中璟航天半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目總投資120億元,占地703畝。其中將建設(shè)2條年產(chǎn)24萬片8英寸CMOS圖像傳感器晶圓廠,總投資60億元,占地203畝,廠房面積為13.71萬平方米,其中最大單體廠房面積為3.96萬平方米,同時(shí)設(shè)立CMOS圖像傳感器設(shè)計(jì)公司以及相關(guān)封裝測(cè)試廠和模組廠。

項(xiàng)目進(jìn)展:中璟航天半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈項(xiàng)目于2017年12月10日正式開工奠基,目前正在建設(shè)第一條生產(chǎn)線。

武漢

長江存儲(chǔ)國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(12英寸)

項(xiàng)目單位:長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:長江存儲(chǔ)國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城,項(xiàng)目總投資240億美元,占地面積1968畝,將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產(chǎn)廠房,其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過3萬美元。該項(xiàng)目將分三期建設(shè),其中一期項(xiàng)目產(chǎn)能規(guī)劃為10萬片/月,整個(gè)項(xiàng)目完成后總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月,年產(chǎn)值將超過100億美元。

項(xiàng)目進(jìn)展:長江存儲(chǔ)國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目(一期)于2016年12月30日正式開工建設(shè),2017年9月一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠房,2018年4月生產(chǎn)機(jī)臺(tái)正式進(jìn)場(chǎng)安裝,32層3D NAND閃存芯片已研發(fā)成功,預(yù)計(jì)將于今年年底量產(chǎn)64層3D NAND閃存芯片。

武漢弘芯半導(dǎo)體制造項(xiàng)目(12英寸)

項(xiàng)目單位:武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:武漢弘芯半導(dǎo)體制造有限公司是目前全國半導(dǎo)體邏輯制程單廠中投資規(guī)?模最大,技術(shù)水平最先進(jìn)的12英寸晶圓片生產(chǎn)基地。其中項(xiàng)目一期設(shè)計(jì)月產(chǎn)能4.5?萬片,預(yù)計(jì)2019年底投產(chǎn);二期采用最新的制程工藝技術(shù),設(shè)計(jì)月產(chǎn)能4.5萬?片,預(yù)計(jì)2021年第四季度投產(chǎn)。?

項(xiàng)目進(jìn)展:媒體報(bào)道稱,弘芯半導(dǎo)體項(xiàng)目一期、二期相繼于2018年4月、2018年9月開工;2019年7月4日,武漢弘芯半導(dǎo)體制造項(xiàng)目103廠房主體結(jié)構(gòu)封頂。

上海

積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目(8英寸&12英寸)

項(xiàng)目單位:上海積塔半導(dǎo)體有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目占地面積23萬平方米,項(xiàng)目總投資359億元,目標(biāo)是建設(shè)月產(chǎn)能6萬片的8英寸生產(chǎn)線和5萬片12英寸特色工藝生產(chǎn)線。產(chǎn)品重點(diǎn)面向工控、汽車、電力、能源等領(lǐng)域,將顯著提升中國功率器件(IGBT)、電源管理、傳感器等芯片的核心競(jìng)爭(zhēng)力和規(guī)?;a(chǎn)能力。

項(xiàng)目進(jìn)展:積塔半導(dǎo)體特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目于2018年8月正式開工,2019年5月21日該項(xiàng)目廠房結(jié)構(gòu)封頂,力爭(zhēng)今年年底前完成設(shè)備搬入。

天津

中芯國際天津產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目(8英寸)

項(xiàng)目單位:中芯國際集成電路制造(天津)有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:中芯國際天津產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目是對(duì)中芯國際天津晶圓廠原有產(chǎn)能4.5萬/月產(chǎn)能的8英寸集成電路生產(chǎn)線進(jìn)行產(chǎn)能擴(kuò)充,該擴(kuò)建項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資金額15億美元,項(xiàng)目全部達(dá)產(chǎn)后,中芯天津8英寸晶圓月產(chǎn)能將達(dá)15萬片,產(chǎn)品主要應(yīng)用方向包括物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)、指紋識(shí)別、電源管理、數(shù)模信號(hào)處理、汽車電子等。

項(xiàng)目進(jìn)展:2016年10月,中芯國際正式啟動(dòng)中芯天津產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目;2017年7月,該產(chǎn)能擴(kuò)充項(xiàng)目中體量最大的單體項(xiàng)目T1B主生產(chǎn)廠房正式破土動(dòng)工;2018年4年,T1B主生產(chǎn)廠房正式封頂,2018年7月首臺(tái)設(shè)備進(jìn)駐。

南京

紫光南京集成電路基地項(xiàng)目一期(12英寸)

項(xiàng)目單位:南京紫光存儲(chǔ)科技有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:南京紫光存儲(chǔ)器生產(chǎn)線項(xiàng)目將分為一期、二期、三期三個(gè)建設(shè)階段,本項(xiàng)目建設(shè)階段為一期,是紫光集團(tuán)的第2條存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)線。本項(xiàng)目將建成12英寸(3D NAND)存儲(chǔ)器生產(chǎn)線,并開展存儲(chǔ)器及關(guān)聯(lián)產(chǎn)品(模塊、解決方案的研發(fā)、制造和銷售),設(shè)計(jì)產(chǎn)能為10萬片/月。

項(xiàng)目進(jìn)展:紫光南京集成電路基地項(xiàng)目一期已于2018年9月30日進(jìn)行樁基工程開工,根據(jù)規(guī)劃,2019年該項(xiàng)目將進(jìn)行主體施工建設(shè)。

成都

紫光成都集成電路基地項(xiàng)目(一期)(12英寸)

項(xiàng)目單位:成都紫光國芯存儲(chǔ)科技有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:紫光成都集成電路基地項(xiàng)目(一期)總投資702.31億元,主要新建1條12英寸晶圓代工生產(chǎn)線,主要從事12英寸存儲(chǔ)器芯片3D NAND生產(chǎn),本項(xiàng)目建成后,將形成年產(chǎn)12英寸存儲(chǔ)器芯片(3D NAND Flash儲(chǔ)存器芯片)120萬片的生產(chǎn)能力。

項(xiàng)目進(jìn)展:紫光成都集成電路基地項(xiàng)目(一期)于2018年10月正式開工建設(shè)。

青島

芯恩(青島)集成電路項(xiàng)目(8英寸&12英寸)

項(xiàng)目單位:芯恩(青島)集成電路有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:芯恩(青島)集成電路項(xiàng)目是中國首個(gè)協(xié)同式集成電路制造(CIDM)項(xiàng)目,總投資約150億元,該項(xiàng)目建成后可實(shí)現(xiàn)8英寸芯片、12英寸芯片、光掩膜版等集成電路產(chǎn)品的量產(chǎn)。其中一期總投資約81億元,將新建8英寸集成電路生產(chǎn)線1條、12英寸集成電路生產(chǎn)線1條、光掩膜版生產(chǎn)線1條,規(guī)劃年產(chǎn)8英寸芯片36萬片、12英寸芯片3.6萬片、光掩膜版1.2萬片。

項(xiàng)目進(jìn)展:2018年5月,芯恩(青島)集成電路項(xiàng)目一期正式開工,項(xiàng)目計(jì)劃2019年底一期整線投產(chǎn)、2022年滿產(chǎn)。

重慶

重慶萬國半導(dǎo)體12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造及封裝測(cè)試生產(chǎn)基地項(xiàng)目(12英寸)

項(xiàng)目單位:重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:重慶萬國半導(dǎo)體項(xiàng)目于2016年由美國AOS、重慶戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金和重慶兩江新區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)股權(quán)投資基金共同出資組建。該項(xiàng)目一期投資5億美元,主要建設(shè)規(guī)模為月產(chǎn)2萬片12英寸功率半導(dǎo)體芯片、月產(chǎn)500KK功率半導(dǎo)體芯片封裝測(cè)試。二期計(jì)劃投資5億美元,建設(shè)月產(chǎn)5萬片12英寸功率半導(dǎo)體芯片、月產(chǎn)1250KK功率半導(dǎo)體芯片封裝測(cè)試。

項(xiàng)目進(jìn)展:重慶萬國半導(dǎo)體項(xiàng)目于2017年2月動(dòng)工建設(shè),其中封測(cè)廠于2018年1月開始搬入設(shè)備并裝機(jī),晶圓廠于2018年3月開始搬入設(shè)備并裝機(jī),項(xiàng)目現(xiàn)已進(jìn)入試生產(chǎn)。

廣州

粵芯半導(dǎo)體12英寸集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目(12英寸)

項(xiàng)目單位:廣州粵芯半導(dǎo)體技術(shù)有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目投資70億元,新建廠房及配套設(shè)施共占地14萬平方米。建成達(dá)產(chǎn)后,粵芯半導(dǎo)體將實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)40000片12英寸晶圓的生產(chǎn)能力,產(chǎn)品包括微處理器、電源管理芯片、模擬芯片、功率分立器件等,滿足物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子、人工智能、5G等創(chuàng)新應(yīng)用的模擬芯片需求。

項(xiàng)目進(jìn)展:粵芯半導(dǎo)體項(xiàng)目于2018年3月開始打樁,2018年10月完成主廠封頂,目前粵芯半導(dǎo)體第一階段的生產(chǎn)線調(diào)試已完成,首批樣品已出貨,按計(jì)劃將于9月量產(chǎn)。

廈門

士蘭微廈門12英寸芯片生產(chǎn)線暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線(12英寸)

項(xiàng)目單位:廈門士蘭集科微電子有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:士蘭微與廈門半導(dǎo)體投資集團(tuán)有限公司共同投資220億元人民幣,在廈門規(guī)劃建設(shè)兩條12英寸90~65nm的特色工藝芯片生產(chǎn)線和一條4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。其中兩條12英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線總投資170億元,第一條總投資70億元,規(guī)劃產(chǎn)能8萬片/月,分兩期實(shí)施;第二條芯片制造生產(chǎn)線預(yù)計(jì)總投資100億元。

項(xiàng)目進(jìn)展:該項(xiàng)目于2018年10月正式開工建設(shè),半化合物半導(dǎo)體芯片及12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線分別計(jì)劃在今年第四季度和明年試投產(chǎn)。

寧波

中芯國際8英寸特種工藝產(chǎn)線項(xiàng)目(8英寸)

項(xiàng)目單位:中芯集成電路(寧波)有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:中芯國際8英寸特種工藝產(chǎn)線項(xiàng)目總投資額約55億元人民幣,規(guī)劃用地約192畝,目前有N1(小港)與N2(柴橋)兩個(gè)項(xiàng)目,將建成中國最大的模擬半導(dǎo)體特種工藝的研發(fā)、制造產(chǎn)業(yè)基地,采用專業(yè)化晶圓代工與定制產(chǎn)品代工相結(jié)合的新型商業(yè)模式,并提供相關(guān)產(chǎn)品設(shè)計(jì)服務(wù)平臺(tái)。

項(xiàng)目進(jìn)展:中芯集成電路(寧波)有限公司正式揭牌于2016年11月正式揭牌成立,2018年11月中芯寧波N1項(xiàng)目正式投產(chǎn),N2項(xiàng)目也已開工建設(shè)。

紹興

中芯集成電路制造(紹興)項(xiàng)目(8英寸)

項(xiàng)目單位:中芯集成電路制造(紹興)有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:中芯集成電路制造(紹興)項(xiàng)目總投資58.8億元,用地207.6畝,新建14.65萬平米的廠房,建設(shè)一條集成電路8寸芯片制造生產(chǎn)線和一條模組封裝生產(chǎn)線,一期規(guī)劃建設(shè)總用地面積138386平方米,建成達(dá)產(chǎn)后將形成芯片年出貨51萬片和模組年出貨19.95億顆的產(chǎn)業(yè)規(guī)模,規(guī)模化量產(chǎn)麥克風(fēng)、慣性、射頻、MOSFET以及IGBT等產(chǎn)品的芯片和模組。

項(xiàng)目進(jìn)展:2018年5月18日,中芯集成電路制造(紹興)項(xiàng)目正式開工奠基,主體工程今年6月已結(jié)頂,媒體報(bào)道稱將于明年3月實(shí)現(xiàn)主要產(chǎn)品量產(chǎn)。

濟(jì)南

富能高功率芯片生產(chǎn)項(xiàng)目(8英寸&6英寸)

項(xiàng)目單位:濟(jì)南富能半導(dǎo)體有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:富能高功率芯片生產(chǎn)項(xiàng)目將建設(shè)8英寸晶圓廠功率半導(dǎo)體器件(主要生產(chǎn)MOSFET、CoolMos、IGBT器件)和6英寸晶圓廠碳化硅器件的研發(fā)、生產(chǎn)基地,項(xiàng)目一期用地317.92畝,建筑面積約24.5萬平方米,投資50.53億元。

項(xiàng)目進(jìn)展:今年3月15日,富能半導(dǎo)體高功率器件項(xiàng)目開工。

合肥

長鑫12吋存儲(chǔ)器晶圓制造基地項(xiàng)目(300mm)

項(xiàng)目單位:合肥長鑫集成電路有限責(zé)任公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:長鑫12吋存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目總占地1582畝,總投資約80億美元(約550億元),規(guī)劃月產(chǎn)12.5萬片DRAM存儲(chǔ)器晶圓。項(xiàng)目采取一次規(guī)劃、分三期實(shí)施,首期計(jì)劃投資約180億元,建設(shè)12吋存儲(chǔ)器研發(fā)線。

項(xiàng)目進(jìn)展:合肥長鑫項(xiàng)目一期已于2018年1月完成建設(shè)一廠并開始安裝設(shè)備,2018年7月16日項(xiàng)目投片。按照規(guī)劃,該項(xiàng)目將于2019年末實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能每月2萬片。

大連

宇宙半導(dǎo)體8英寸功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線項(xiàng)目(8英寸)

項(xiàng)目單位:大連宇宙半導(dǎo)體有限公司

項(xiàng)目?jī)?nèi)容:宇宙半導(dǎo)體8英寸功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線項(xiàng)目投資24億元,計(jì)劃年產(chǎn)24萬片8英寸功率半導(dǎo)體器件芯片,產(chǎn)品主要應(yīng)用于新能源發(fā)電、儲(chǔ)能、超級(jí)計(jì)算機(jī)、云計(jì)算網(wǎng)絡(luò)、服務(wù)器、個(gè)人電腦、UPS電源、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

項(xiàng)目進(jìn)展:該項(xiàng)目于2016年9月開工,2017年3月進(jìn)入土地夯實(shí)平整階段,暫未搜索到更多信息。

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晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)人才優(yōu)惠政策與認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)(2019年修訂版)

晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)人才優(yōu)惠政策與認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)(2019年修訂版)

2019年6月晉江市出臺(tái)《晉江市加快培育集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈的若干意見的補(bǔ)充意見》,對(duì)現(xiàn)行集成電路產(chǎn)業(yè)人才優(yōu)惠政策及認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行修訂,現(xiàn)將晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)人才優(yōu)惠政策與認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)(2019年修訂版)公布如下:

主要含以下內(nèi)容:

1、集成電路產(chǎn)業(yè)人才優(yōu)惠政策

2、高層次人才“海峽計(jì)劃”

3、集成電路產(chǎn)業(yè)優(yōu)秀人才認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)

集成電路產(chǎn)業(yè)人才優(yōu)惠政策

(一)人才津貼

集成電路優(yōu)秀人才(以下簡(jiǎn)稱“優(yōu)秀人才”)按1-7層次發(fā)放工作津貼或交通補(bǔ)貼,工作津貼分別為15000、12000、8000、5000、3000、1000、500元/人·月,交通補(bǔ)貼分別為15000、13000、11000、9000、6000、3000、1000元/人·次。

(二)培訓(xùn)補(bǔ)貼

對(duì)企業(yè)聘用的、年薪達(dá)個(gè)稅自行申報(bào)額的高端人才,自達(dá)自行申報(bào)額年度起,三年內(nèi)參照實(shí)繳個(gè)稅地方留成部分的100%發(fā)放培訓(xùn)補(bǔ)貼,之后兩年按50%標(biāo)準(zhǔn)發(fā)放。

(三)高端人才配套獎(jiǎng)勵(lì)

對(duì)入選國家千人計(jì)劃、國家萬人計(jì)劃、福建省百人計(jì)劃、福建省臺(tái)灣百人計(jì)劃的優(yōu)秀人才,分別按國家級(jí)資助額的100%、省級(jí)資助額的50%一次性配套獎(jiǎng)勵(lì)。

(四)住房保障

對(duì)租住本市國際人才社區(qū)和高端人才社區(qū)人才房的優(yōu)秀人才,按合同租金50%給予房租補(bǔ)助。其中,為本地企業(yè)服務(wù)滿5年(時(shí)間可累計(jì))且承租滿5年的,根據(jù)個(gè)人意愿可申請(qǐng)購買所租住房,按購房時(shí)房產(chǎn)評(píng)估價(jià)的40%與5年合同租金50%之和給予購房補(bǔ)助;在本市其他社區(qū)購置商品房的,1—7層次分別按100、60、30、20、15、10、5萬元的標(biāo)準(zhǔn)給予購房補(bǔ)貼,分三年兌現(xiàn),但不與上述人才房購房政策重復(fù)享受。

(五)子女就學(xué)

根據(jù)調(diào)查摸底情況,每年單列安排公辦優(yōu)質(zhì)中小學(xué)和幼兒園學(xué)位,專項(xiàng)用于保障優(yōu)秀人才子女就學(xué);優(yōu)秀人才的子女就讀本市國際(雙語)學(xué)校的,1-4層次按實(shí)繳學(xué)雜費(fèi)的30%補(bǔ)助,5-7層次分別按實(shí)繳學(xué)雜費(fèi)的20%、15%、10%補(bǔ)助。

(六)醫(yī)療服務(wù)

優(yōu)秀人才在本市公立醫(yī)院就醫(yī),可享受綠色通道、先診療后付費(fèi)特別服務(wù);已參加醫(yī)療保險(xiǎn)的,在扣除醫(yī)療保險(xiǎn)報(bào)銷部分后按30%的比例補(bǔ)助,1—7層次優(yōu)秀人才年度最高限額分別為25、20、15、10、5、3、1萬元。

高層次人才“海峽計(jì)劃”

實(shí)施高層次人才“海峽計(jì)劃”,推行“人才+項(xiàng)目”引才模式。經(jīng)評(píng)審入后入選晉江市高層次人才“海峽計(jì)劃”的創(chuàng)業(yè)團(tuán)隊(duì)和項(xiàng)目,按一類至五類,分別享受政策待遇。

(一)創(chuàng)業(yè)啟動(dòng)資金

按一類至五類,分別享受750萬元、300萬元、150萬元、75萬元、30萬元的啟動(dòng)資金。

(二)成果轉(zhuǎn)化資金

項(xiàng)目成果完成小批試制、成果鑒定并經(jīng)客戶使用認(rèn)可的,按一類至四類,分別享受300萬元、200萬元、150萬元、100萬元的成果轉(zhuǎn)化資金。

(三)社會(huì)風(fēng)險(xiǎn)投資

提供最高300萬元社會(huì)風(fēng)險(xiǎn)投資。

(四)重大專項(xiàng)經(jīng)費(fèi)配套

福建省“百人計(jì)劃”團(tuán)隊(duì) 1:0.5 。

(五)辦公場(chǎng)所保障

按一類至五類,免費(fèi)提供500平方米、300平方米、200平方米、100平方米、50平方米的工作場(chǎng)所,或享受12萬元、8萬元、5萬元、3萬元、2萬元的場(chǎng)租補(bǔ)貼,連續(xù)補(bǔ)助3年。

(六)政府風(fēng)險(xiǎn)投資

經(jīng)認(rèn)定后3年內(nèi),項(xiàng)目任意年度銷售額達(dá)到3000萬元以上的,按一類至五類,分別享受500萬元、300萬元、250萬元、200萬元、150萬元的政府風(fēng)險(xiǎn)投資。

(七)貸款貼息

對(duì)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的項(xiàng)目,按一類至五類,分別提供300萬元、150萬元、60萬元、30萬元、10萬元的貸款貼息。

認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)

晉江市集成電路產(chǎn)業(yè)優(yōu)秀人才分為七層次,符合《晉江市知識(shí)產(chǎn)權(quán)優(yōu)秀人才專項(xiàng)認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)(試行)》和下列任一條目的人才均可認(rèn)定為我市集成電路產(chǎn)業(yè)對(duì)應(yīng)層次優(yōu)秀人才。對(duì)于同時(shí)符合多個(gè)層次或條目的,按從高從優(yōu)不重復(fù)原則確定優(yōu)秀人才層次。對(duì)于未涵蓋的其他相應(yīng)層次的人才,由市委人才辦會(huì)相關(guān)部門組織專家組或委托專業(yè)機(jī)構(gòu)評(píng)定后報(bào)市委人才工作領(lǐng)導(dǎo)小組批準(zhǔn)可納入相應(yīng)優(yōu)秀人才層次。

第一層次

(一)國際頂級(jí)知名獎(jiǎng)項(xiàng)獲得者:諾貝爾獎(jiǎng)、中國國家最高科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)、美國國家科學(xué)獎(jiǎng)?wù)拢偨y(tǒng)科學(xué)獎(jiǎng))、美國國家技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)?wù)?、法國全國科研中心科研?jiǎng)?wù)?、英國皇家金質(zhì)獎(jiǎng)?wù)?、科普利?jiǎng)?wù)隆D靈獎(jiǎng)、菲爾茲獎(jiǎng)、沃爾夫獎(jiǎng)、阿貝爾獎(jiǎng)、克拉福德獎(jiǎng)、日本國際獎(jiǎng)、京都獎(jiǎng)、邵逸夫獎(jiǎng);

(二)國際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)獎(jiǎng)?wù)芦@得者;

(三)國際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)會(huì)士(IEEE Fellow)、國際計(jì)算機(jī)學(xué)會(huì)會(huì)士(ACM Fellow)、國際工程技術(shù)學(xué)會(huì)會(huì)士(IET Fellow)、美國物理學(xué)會(huì)會(huì)士(APS Fellow);

(四)美國工程界三大最高獎(jiǎng)項(xiàng):德雷鉑獎(jiǎng)(Charles Stark Draper Prize)、拉斯獎(jiǎng)(Fritz J. and Dolores H. Russ Prize)、戈登獎(jiǎng)(Bernard M. Gordon Prize)獲得者;

(五)中國、美國、英國、德國、法國、日本、意大利、加拿大、瑞典、丹麥、挪威、芬蘭、比利時(shí)、瑞士、奧地利、荷蘭、西班牙、澳大利亞、新西蘭、俄羅斯、以色列、印度、烏克蘭、新加坡、韓國等的科學(xué)院院士、工程院院士(即成員member或高級(jí)成員fellow,見中國科學(xué)院國際合作局網(wǎng)站http://www.bic.cas.cn),臺(tái)灣中央研究院院士;

(六)國家“千人計(jì)劃”創(chuàng)新人才長期項(xiàng)目、創(chuàng)業(yè)人才項(xiàng)目、外國專家項(xiàng)目、頂尖人才與創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目的入選者、國家“萬人計(jì)劃”杰出人才;

(七)中華人民共和國國際科學(xué)技術(shù)合作獎(jiǎng)獲得者;

(八)中國機(jī)械工程學(xué)會(huì)科技成就獎(jiǎng)、青年科技成就獎(jiǎng)獲得者;

(九)中國機(jī)械工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)特等獎(jiǎng)前3位完成人;

(十)近10年,獲得以下獎(jiǎng)項(xiàng)之一者:

1. 國家自然科學(xué)獎(jiǎng)、技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)前3位完成人,國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)特等獎(jiǎng)前5位完成人,國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)前3位完成人,省科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)重大貢獻(xiàn)獎(jiǎng)獲得者;

2. 中國青年科學(xué)家獎(jiǎng);

3. 長江學(xué)者成就獎(jiǎng)。

(十一)近10年,擔(dān)任以下職務(wù)之一者:

1. 國家科技重大專項(xiàng)專家組組長,且項(xiàng)目(課題)通過驗(yàn)收;

2. 國家科技支撐(攻關(guān))計(jì)劃項(xiàng)目負(fù)責(zé)人;

3. 國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃重點(diǎn)專項(xiàng)項(xiàng)目組負(fù)責(zé)人;

4. 國家“973計(jì)劃”項(xiàng)目首席科學(xué)家;

5. 國家“863計(jì)劃”領(lǐng)域主題專家組組長;

6. 國家級(jí)人工智能或機(jī)器人領(lǐng)域大賽專家組組長;

7. 國家重點(diǎn)學(xué)科、重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國家級(jí)企業(yè)技術(shù)中心、工程技術(shù)研究中心首席專家、國家制造業(yè)創(chuàng)新中心技術(shù)委員會(huì)主任,且年薪高于6倍以上;

8. 八國集團(tuán)成員國(美國、英國、德國、法國、日本、意大利、加拿大、俄羅斯)國家級(jí)重大科技計(jì)劃項(xiàng)目負(fù)責(zé)人或首席科學(xué)家。

(十二)近10年,在《Nature》、《Science》或《Reviews of Modern Physics》雜志上以第一作者或通訊作者發(fā)表集成電路相關(guān)論文者;

(十三)在全球前25大半導(dǎo)體公司擔(dān)任副總經(jīng)理、副總裁或首席科學(xué)家以上職務(wù)累計(jì)5年以上者;

(十四)近10年,擔(dān)任過世界500強(qiáng)企業(yè)及中國50強(qiáng)企業(yè)總部董事長(或總裁)、首席執(zhí)行官、首席技術(shù)官(技術(shù)研發(fā)部門第一負(fù)責(zé)人)、首席設(shè)計(jì)官(工藝設(shè)計(jì)部門第一負(fù)責(zé)人)、首席質(zhì)量官。

第二層次

(一)國際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)技術(shù)獎(jiǎng)獲得者;

(二)國家“千人計(jì)劃”創(chuàng)新人才短期項(xiàng)目、青年項(xiàng)目、新疆西藏項(xiàng)目入選者;國家“萬人計(jì)劃”領(lǐng)軍人才(包括科技創(chuàng)新領(lǐng)軍人才、科技創(chuàng)業(yè)領(lǐng)軍人才和百千萬工程領(lǐng)軍人才)、國家“萬人計(jì)劃”青年拔尖人才、“新世紀(jì)百千萬人才工程”國家級(jí)人選、國家有突出貢獻(xiàn)的中青年專家、全國杰出專業(yè)技術(shù)人才;

(三)國家杰出青年基金獲得者、中國青年科技獎(jiǎng)獲得者、中國青年女科學(xué)家獎(jiǎng)、享受國務(wù)院政府特殊津貼人員、全國優(yōu)秀科技工作者、福建省引才“百人計(jì)劃”入選者(含團(tuán)隊(duì)帶頭人)、福建省引進(jìn)臺(tái)灣高層次人才“百人計(jì)劃”入選者;

(四)中國機(jī)械工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)前2位完成人;

(五)近10年,獲得以下獎(jiǎng)項(xiàng)之一者:

1.國家自然科學(xué)獎(jiǎng)、技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)前3位完成人,國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)第1完成人;

2. 國際發(fā)明展覽會(huì)金獎(jiǎng)第1完成人,同時(shí)是國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)第2、3完成人;

3. 中國專利金獎(jiǎng)前3位專利發(fā)明人(設(shè)計(jì)人);

4. 全國科技工作者創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽金獎(jiǎng)項(xiàng)目前3位完成人;

5. 美國、英國、德國、法國、日本、意大利、加拿大科學(xué)基金杰出青年類資助獎(jiǎng)之一者;

6. 全國質(zhì)量獎(jiǎng)個(gè)人獎(jiǎng)(中國杰出質(zhì)量人);

7. 泉州杰出人才獎(jiǎng)。

(六)近10年,擔(dān)任以下職務(wù)之一者:

1. 國家科技重大專項(xiàng)專家組副組長、項(xiàng)目(課題)組長,且項(xiàng)目(課題)通過驗(yàn)收;

2. 國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃重點(diǎn)專項(xiàng)項(xiàng)目組副組長;

3. 國家“973計(jì)劃”項(xiàng)目承擔(dān)研究任務(wù)的項(xiàng)目專家組成員;

4. 國家“863計(jì)劃”領(lǐng)域主題專家組副組長、召集人;

5. 國家自然科學(xué)基金重大項(xiàng)目資助的項(xiàng)目主持人、國家自然科學(xué)基金創(chuàng)新研究群體項(xiàng)目的項(xiàng)目負(fù)責(zé)人、國家重大科研儀器研制項(xiàng)目的項(xiàng)目負(fù)責(zé)人,且項(xiàng)目已結(jié)題;

6. 國家實(shí)驗(yàn)室主任、學(xué)術(shù)委員會(huì)主任,國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任、學(xué)術(shù)委員會(huì)主任,國家工程實(shí)驗(yàn)室主任、國家工程研究中心主任、國家工程技術(shù)研究中心主任、國家能源研發(fā)(實(shí)驗(yàn))中心主任、國家級(jí)質(zhì)檢中心主任,且年薪高于6倍以上;國家制造業(yè)創(chuàng)新中心技術(shù)委員會(huì)副主任,且年薪高于4倍以上;

7. 八國集團(tuán)成員國(美國、英國、德國、法國、日本、意大利、加拿大、俄羅斯)國立研究所所長、副所長、首席研究員或國家實(shí)驗(yàn)室主任、副主任、首席研究員;

8. 國際著名學(xué)術(shù)組織副主席、國際標(biāo)準(zhǔn)化組織(ISO)標(biāo)樣委員會(huì)委員;

9. 國際高水平科技期刊(《期刊分區(qū)》一、二區(qū))正、副總編(主編)。

(七)在全球前25大半導(dǎo)體公司擔(dān)任一級(jí)部門的部門負(fù)責(zé)人、技術(shù)負(fù)責(zé)人、總工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(八)在集成電路設(shè)計(jì)、制造、集成器件制造(IDM)、封測(cè)、裝備等領(lǐng)域全球前10大公司擔(dān)任副總經(jīng)理、副總裁或首席科學(xué)家以上職務(wù)累計(jì)5年以上者;

(九)在集成電路材料、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具軟件、硅智財(cái)(SIP)全球前5大公司擔(dān)任副總經(jīng)理、副總裁或首席科學(xué)家以上職務(wù)累計(jì)5年以上者;

(十)擔(dān)任過世界500強(qiáng)企業(yè)及中國50強(qiáng)企業(yè)總部副董事長、副總裁、副總經(jīng)理或總部直屬一級(jí)子公司(大洲級(jí)區(qū)域部門)主要負(fù)責(zé)人3年以上者;

(十一)在世界大學(xué)排名前200名的學(xué)校獲評(píng)教授,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者;

(十二)“長江學(xué)者獎(jiǎng)勵(lì)計(jì)劃”特聘教授、講座教授,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者;

(十三)取得“985工程”高校和中國科學(xué)院大學(xué)博士研究生導(dǎo)師資格3年以上且取得正高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)者,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者;

(十四)獲得全國集成電路“創(chuàng)業(yè)之芯”大賽特等獎(jiǎng)項(xiàng)目的第1負(fù)責(zé)人。

第三層次

(一)科技部創(chuàng)新人才推進(jìn)計(jì)劃入選者、國家產(chǎn)業(yè)技術(shù)體系崗位專家、“新世紀(jì)百千萬人才工程”省級(jí)人選、省部級(jí)有突出貢獻(xiàn)的中青年專家、省(含副省級(jí)市)級(jí)以上優(yōu)秀專家、省特支人才“雙百計(jì)劃”、省產(chǎn)業(yè)人才高地領(lǐng)軍人才、省杰出青年科學(xué)基金獲得者;

(二)中國機(jī)械工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)第1位完成人;

(三)近10年,獲得以下獎(jiǎng)項(xiàng)之一者:

1. 國家科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)第2、3位完成人,省科學(xué)技術(shù)突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng),省級(jí)科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)、技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)、自然科學(xué)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)前3位完成人;

2. 國際發(fā)明展覽會(huì)金獎(jiǎng)第2、3完成人或國際發(fā)明展覽會(huì)銀獎(jiǎng)第1完成人,且同時(shí)符合以下條件之一:①省科技進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)前3位完成人及以上,②取得正高級(jí)專業(yè)技術(shù)資格,③取得博士學(xué)歷;

3. 中國專利優(yōu)秀獎(jiǎng);省級(jí)專利金獎(jiǎng)或特等獎(jiǎng)、一等獎(jiǎng);

4. 中國人民解放軍科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)前3位完成人;

5. 全國科技工作者創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽銀獎(jiǎng)項(xiàng)目前3位完成人;

6. 國家部委主辦的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽行業(yè)總決賽特等獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)項(xiàng)目核心團(tuán)隊(duì)前3位完成人,國家部委主辦的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽行業(yè)總決賽一等獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)項(xiàng)目核心團(tuán)隊(duì)第1負(fù)責(zé)人;

7. 臺(tái)灣工業(yè)總會(huì)、商業(yè)總會(huì)、工商協(xié)進(jìn)會(huì)、中小企業(yè)總會(huì)、工業(yè)協(xié)進(jìn)會(huì)、電電公會(huì)等六大工商團(tuán)體評(píng)選或授予的最高獎(jiǎng)項(xiàng)(行業(yè)公認(rèn)獎(jiǎng)項(xiàng));

8. 中國科學(xué)院“百人計(jì)劃”入選者。

(四)近5年,擔(dān)任以下職務(wù)之一者:

1. 國家科技重大專項(xiàng)專家組成員、項(xiàng)目(課題)第1副組長、分課題組長,且項(xiàng)目(課題)通過驗(yàn)收;

2. 國家科技支撐(攻關(guān))計(jì)劃課題第1負(fù)責(zé)人且課題通過結(jié)題驗(yàn)收;

3. 國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃重點(diǎn)專項(xiàng)任務(wù)(或課題)負(fù)責(zé)人;

4. 國家“973計(jì)劃”項(xiàng)目首席科學(xué)家助理、課題組第1負(fù)責(zé)人,且課題通過結(jié)題驗(yàn)收;

5. 國家“863計(jì)劃”主題項(xiàng)目或重大項(xiàng)目首席專家,且項(xiàng)目通過驗(yàn)收;

6. 國家“863計(jì)劃”專題組組長、副組長,且專題通過驗(yàn)收;

7. “國家軟科學(xué)研究計(jì)劃”重大項(xiàng)目第1負(fù)責(zé)人且項(xiàng)目通過驗(yàn)收;

8. 科技部國際科技合作計(jì)劃項(xiàng)目中方項(xiàng)目第1負(fù)責(zé)人且項(xiàng)目通過驗(yàn)收;

9. 國家自然科學(xué)基金的重點(diǎn)項(xiàng)目、重大研究計(jì)劃項(xiàng)目、重點(diǎn)國際(地區(qū))合作研究項(xiàng)目、組織間國際(地區(qū))合作與交流項(xiàng)目、聯(lián)合基金或優(yōu)秀青年科學(xué)基金項(xiàng)目資助的項(xiàng)目總負(fù)責(zé)人(不含子項(xiàng)目),且項(xiàng)目通過結(jié)題驗(yàn)收;

10. 國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、國家工程實(shí)驗(yàn)室、國家級(jí)企業(yè)技術(shù)中心、國家工程研究中心、國家工程技術(shù)研究中心、國家能源研發(fā)(實(shí)驗(yàn))中心、國家級(jí)質(zhì)檢中心前2位副主任或工程學(xué)術(shù)(技術(shù))委員會(huì)主任、國家能源研發(fā)(實(shí)驗(yàn))中心學(xué)術(shù)委員會(huì)主任,且年薪高于4倍以上;

11. 全國專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)副主任委員;參與國家標(biāo)準(zhǔn)制(修)訂排名第2位起草人;行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制(修)訂排名第1位起草人;

12. “閩江學(xué)者”特聘教授、“桐江學(xué)者”特聘教授入選者,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者;

13. 高等院校國家重點(diǎn)學(xué)科帶頭人、國家精品課程負(fù)責(zé)人、教育部“211工程”高校國家重點(diǎn)學(xué)科博士生導(dǎo)師,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者。

(五)在全球前25大半導(dǎo)體公司擔(dān)任二級(jí)部門的部門負(fù)責(zé)人、技術(shù)負(fù)責(zé)人、總工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(六)在集成電路設(shè)計(jì)、制造、集成器件制造(IDM)、封測(cè)、裝備等領(lǐng)域全球前10大公司擔(dān)任一級(jí)部門的部門負(fù)責(zé)人、技術(shù)負(fù)責(zé)人、總工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(七)在集成電路材料、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具軟件、硅智財(cái)(SIP)全球前5大公司擔(dān)任一級(jí)部門的部門負(fù)責(zé)人、技術(shù)負(fù)責(zé)人、總工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(八)在集成電路設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等領(lǐng)域大陸或臺(tái)灣前10大公司擔(dān)任副總經(jīng)理、副總裁或首席科學(xué)家以上職務(wù)累計(jì)5年以上者;

(九)在集成電路裝備、材料等領(lǐng)域大陸或臺(tái)灣前5大公司擔(dān)任副總經(jīng)理、副總裁或首席科學(xué)家以上職務(wù)累計(jì)5年以上者;

(十)擔(dān)任過世界500強(qiáng)企業(yè)及中國50強(qiáng)企業(yè)總部副董事長、副總裁、副總經(jīng)理或總部直屬一級(jí)子公司(大洲級(jí)區(qū)域部門)主要負(fù)責(zé)人1年以上者;

(十一)在世界大學(xué)排名前200名的學(xué)校獲評(píng)副教授,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者;

(十二)在世界大學(xué)排名201-500名的學(xué)校獲評(píng)教授,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者;

(十三)取得“985工程”高校和中國科學(xué)院大學(xué)碩士研究生導(dǎo)師資格3年以上且取得正高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者;

(十四)取得博士學(xué)位,且近5年在期刊分區(qū)表中列入大類一區(qū)的學(xué)術(shù)期刊上以第一作者或通訊作者發(fā)表2篇以上集成電路相關(guān)論文者;

(十五)獲得全國集成電路“創(chuàng)業(yè)之芯”大賽一等獎(jiǎng)項(xiàng)目的第1負(fù)責(zé)人。

第四層次

(一)國際電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)、國際計(jì)算機(jī)學(xué)會(huì)(ACM)、 國際工程技術(shù)學(xué)會(huì)(IET)、美國物理學(xué)會(huì)(APS)等國際知名學(xué)會(huì)高級(jí)會(huì)員或資深會(huì)員;

(二)中國機(jī)械工業(yè)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)第1位完成人;

(三)近5年,獲得以下項(xiàng)目之一者:

1. 省級(jí)科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)、技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)、自然科學(xué)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)前3位完成人、三等獎(jiǎng)第1位完成人,地市級(jí)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)前3位完成人;

2. 國際發(fā)明展覽會(huì)銀獎(jiǎng)第2、3完成人或國際發(fā)明展覽會(huì)銅獎(jiǎng)第1完成人,且同時(shí)符合以下條件之一:①省科技進(jìn)步獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)前3位完成人及以上, ②取得副高級(jí)以上專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格,③取得國家一級(jí)職業(yè)資格;

3. 省級(jí)專利二、三等獎(jiǎng)前3位專利發(fā)明人(設(shè)計(jì)人),地市級(jí)專利金獎(jiǎng)或一等獎(jiǎng)前3位專利發(fā)明人或設(shè)計(jì)人;

4. 中國人民解放軍科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)前3位完成人、三等獎(jiǎng)第1位完成人;

5. 全國科技工作者創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽銅獎(jiǎng)項(xiàng)目前3位完成人;

6. 國家部委主辦的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽行業(yè)總決賽二、三等獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)項(xiàng)目核心團(tuán)隊(duì)的第1負(fù)責(zé)人,獲得福建省創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽總決賽一等獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)項(xiàng)目核心團(tuán)隊(duì)的第1負(fù)責(zé)人;

7. 福建青年科技獎(jiǎng);

8. 福建省優(yōu)秀科技工作者;

(四)近5年,擔(dān)任以下職務(wù)之一者:

1. 國家科技重大專項(xiàng)分課題前2位副組長,且項(xiàng)目(課題)通過驗(yàn)收;

2. 國家科技支撐(攻關(guān))計(jì)劃課題第2、3負(fù)責(zé)人,且課題通過結(jié)題驗(yàn)收;

3. 國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃專題負(fù)責(zé)人;

4. 國家“973計(jì)劃”課題組第2、3負(fù)責(zé)人,且課題通過結(jié)題驗(yàn)收;

5. 國家“863計(jì)劃”課題組組長、副組長,子課題負(fù)責(zé)人,且課題通過結(jié)題驗(yàn)收;

6. “國家軟科學(xué)研究計(jì)劃”面上項(xiàng)目第1負(fù)責(zé)人,且課題通過結(jié)題驗(yàn)收;

7. 科技部國際科技合作計(jì)劃項(xiàng)目中方主要參加人員前3位,且完成項(xiàng)目通過驗(yàn)收;

8. 國家自然科學(xué)基金年度項(xiàng)目、青年科學(xué)基金項(xiàng)目資助的項(xiàng)目第1負(fù)責(zé)人,且項(xiàng)目通過結(jié)題驗(yàn)收;

9. 省部級(jí)工程實(shí)驗(yàn)室主任、學(xué)術(shù)委員會(huì)主任,省部級(jí)(重點(diǎn))實(shí)驗(yàn)室主任、學(xué)術(shù)委員會(huì)主任,省部級(jí)工程研究中心主任、省級(jí)企業(yè)技術(shù)中心主任、省級(jí)制造業(yè)創(chuàng)新中心技術(shù)委員會(huì)主任,且年薪高于4倍以上;

10. 全國專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)分技術(shù)委員會(huì)主任委員;

11. 國家級(jí)服務(wù)型制造示范企業(yè)、國家級(jí)服務(wù)型制造示范項(xiàng)目實(shí)施主體企業(yè)總經(jīng)理,國家級(jí)服務(wù)型制造示范平臺(tái)負(fù)責(zé)人、省級(jí)服務(wù)型制造公共服務(wù)平臺(tái)負(fù)責(zé)人,省級(jí)中小企業(yè)公共服務(wù)示范平臺(tái)運(yùn)營負(fù)責(zé)人、省級(jí)小微企業(yè)創(chuàng)業(yè)創(chuàng)新示范基地運(yùn)營負(fù)責(zé)人,且年薪高于4倍以上;

12. 教育部“211工程”高校國家重點(diǎn)學(xué)科教授或研究員,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者;

13. 福建省高校新世紀(jì)優(yōu)秀人才計(jì)劃入選者,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者;

14. “省級(jí)制造業(yè)單項(xiàng)冠軍產(chǎn)品”第1研發(fā)人員。

(五)在全球前25大半導(dǎo)體公司技術(shù)研發(fā)、工程部門、管理部門擔(dān)任經(jīng)理、功能主管、主任工程師、資深工程師、高級(jí)工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(六)在集成電路設(shè)計(jì)、制造、集成器件制造(IDM)、封測(cè)、裝備等領(lǐng)域全球前10大公司擔(dān)任二級(jí)部門的部門負(fù)責(zé)人、技術(shù)負(fù)責(zé)人、總工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(七)在集成電路材料、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具軟件、硅智財(cái)(SIP)全球前5大公司擔(dān)任二級(jí)部門的部門負(fù)責(zé)人、技術(shù)負(fù)責(zé)人、總工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(八)在集成電路設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等領(lǐng)域大陸或臺(tái)灣前10大公司擔(dān)任一級(jí)部門的部門負(fù)責(zé)人、技術(shù)負(fù)責(zé)人、總工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(九)在集成電路裝備、材料等領(lǐng)域大陸或臺(tái)灣前5大公司擔(dān)任一級(jí)部門的部門負(fù)責(zé)人、技術(shù)負(fù)責(zé)人、總工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(十)擔(dān)任過世界500強(qiáng)企業(yè)或中國50強(qiáng)總部一級(jí)部門負(fù)責(zé)人或與之級(jí)別相當(dāng)?shù)膶I(yè)技術(shù)人員、總部直屬一級(jí)子公司(大洲級(jí)區(qū)域部門)副總或與之級(jí)別相當(dāng)?shù)膶I(yè)技術(shù)人員等職務(wù)3年以上者;

(十一)取得“985工程”高校和中國科學(xué)院大學(xué)碩士研究生導(dǎo)師資格3年以上且取得副高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者;

(十二)博士后出站留(來)晉江創(chuàng)業(yè)或工作者;

(十三)晉江市博士后科研工作站在站博士后;

(十四)取得世界大學(xué)排名前200名學(xué)校的博士學(xué)位,所學(xué)專業(yè)學(xué)科門類為理學(xué)、工學(xué),且從事集成電路科研、技術(shù)、工程相關(guān)工作者;

(十五)取得正高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格者;

(十六)獲得全國集成電路“創(chuàng)業(yè)之芯”大賽二等獎(jiǎng)項(xiàng)目的第1負(fù)責(zé)人。

第五層次

(一)近5年,獲得以下獎(jiǎng)項(xiàng)之一者:

1. 省級(jí)科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)、技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)、自然科學(xué)獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)第2、3位完成人,地市級(jí)科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)前2位完成人、三等獎(jiǎng)第1位完成人;

2. 國際發(fā)明展覽會(huì)銅獎(jiǎng)第2、3完成人,且同時(shí)符合以下條件之一:①地市級(jí)科技進(jìn)步獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)前3位完成人及以上,②取得副高級(jí)以上專業(yè)技術(shù)任職資格,③取得國家一級(jí)以上職業(yè)資格;

3. 地市級(jí)專利銀獎(jiǎng)、優(yōu)秀獎(jiǎng)或二、三等獎(jiǎng)前3位專利發(fā)明人或設(shè)計(jì)人;

4. 中國人民解放軍科學(xué)技術(shù)進(jìn)步獎(jiǎng)三等獎(jiǎng)第2位完成人;

5. 福建省創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽總決賽二等獎(jiǎng)的獲獎(jiǎng)項(xiàng)目核心團(tuán)隊(duì)的第1負(fù)責(zé)人。

(二)近5年,擔(dān)任以下職務(wù)之一者:

1. 省部級(jí)(重點(diǎn))實(shí)驗(yàn)室、學(xué)術(shù)委員會(huì)、省部級(jí)工程實(shí)驗(yàn)室、省部級(jí)工程研究中心、省級(jí)企業(yè)技術(shù)中心、省級(jí)制造業(yè)創(chuàng)新中心技術(shù)委員會(huì)副主任,且年薪高于2倍以上;

2. 全國專業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)分技術(shù)委員會(huì)副主任委員;

3. 擔(dān)任國家級(jí)服務(wù)型制造示范企業(yè)、國家級(jí)服務(wù)型制造示范項(xiàng)目實(shí)施主體企業(yè)、省級(jí)服務(wù)型制造示范企業(yè)總經(jīng)理,省級(jí)服務(wù)型制造示范平臺(tái)負(fù)責(zé)人,且年薪高于2倍以上;

4. 省級(jí)學(xué)科(教學(xué))、專業(yè)帶頭人,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者;省級(jí)精品在線開放課程、共享課程負(fù)責(zé)人且項(xiàng)目通過驗(yàn)收,并從事集成電路相關(guān)研究或教學(xué)者。

(三)在集成電路設(shè)計(jì)、制造、集成器件制造(IDM)、封測(cè)、裝備等領(lǐng)域全球前10大公司技術(shù)研發(fā)、工程部門、管理部門擔(dān)任經(jīng)理、功能主管、主任工程師、資深工程師、高級(jí)工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(四)在集成電路材料、電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具軟件、硅智財(cái)(SIP)全球前5大公司技術(shù)研發(fā)、工程部門、管理部門擔(dān)任經(jīng)理、功能主管、主任工程師、資深工程師、高級(jí)工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(五)在集成電路設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等領(lǐng)域大陸或臺(tái)灣前10大公司擔(dān)任二級(jí)部門的部門負(fù)責(zé)人、技術(shù)負(fù)責(zé)人、總工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(六)在集成電路裝備、材料等領(lǐng)域大陸或臺(tái)灣前5大公司擔(dān)任二級(jí)部門的部門負(fù)責(zé)人、技術(shù)負(fù)責(zé)人、總工程師或其他相應(yīng)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(七)取得國家一級(jí)職業(yè)資格的技術(shù)類人員或經(jīng)全國統(tǒng)考取得國家最高等級(jí)職業(yè)資格的管理類人員,且從事職業(yè)資格所在領(lǐng)域工作2年以上,年薪高于2倍以上;

(八)取得博士學(xué)位者;

(九)取得世界大學(xué)排名前200名學(xué)校的碩士學(xué)位,所學(xué)專業(yè)學(xué)科門類為理學(xué)、工學(xué)或相關(guān)國家部委支持(籌備)建設(shè)示范性微電子學(xué)院的碩士學(xué)位,且從事集成電路科研、技術(shù)、工程相關(guān)工作者;

(十)取得副高級(jí)專業(yè)技術(shù)職務(wù)任職資格者;

(十一)獲得全國集成電路“創(chuàng)業(yè)之芯”大賽三等獎(jiǎng)項(xiàng)目的第1負(fù)責(zé)人。

第六層次

(一)在國家鼓勵(lì)的集成電路企業(yè)擔(dān)任一級(jí)部門的部門負(fù)責(zé)人、技術(shù)負(fù)責(zé)人、總工程師或其他相應(yīng)科研技術(shù)職務(wù)以上累計(jì)5年以上者;

(二)取得國家一級(jí)職業(yè)資格的技術(shù)類人員或經(jīng)全國統(tǒng)考取得國家最高等級(jí)職業(yè)資格的管理類人員,且從事職業(yè)資格所在領(lǐng)域工作2年以上,年薪高于1倍以上;

(三)取得全日制碩士研究生學(xué)位;

(四)取得非全日制碩士研究生學(xué)位,所學(xué)專業(yè)學(xué)科門類為理學(xué)、工學(xué),且從事集成電路科研、技術(shù)、工程相關(guān)工作者;

(五)取得世界大學(xué)排名前500名學(xué)校的學(xué)士學(xué)位,所學(xué)專業(yè)學(xué)科門類為理學(xué)、工學(xué),且從事集成電路科研、技術(shù)、工程相關(guān)工作者;

(六)取得“985工程”高校、中國科學(xué)院大學(xué)的理學(xué)、工學(xué)學(xué)士學(xué)位,且從事集成電路科研、技術(shù)、工程相關(guān)工作者;

(七)取得相關(guān)國家部委支持(籌備)建設(shè)示范性微電子學(xué)院的學(xué)士學(xué)位,且從事集成電路科研、技術(shù)、工程相關(guān)工作者。

第七層次

(一)取得國家二級(jí)職業(yè)資格的技術(shù)類人員或經(jīng)全國統(tǒng)考取得國家二級(jí)職業(yè)資格的管理類人員,且從事職業(yè)資格所在專業(yè)領(lǐng)域工作2年以上,年薪高于1.5倍以上;

(二)取得國家相關(guān)部委發(fā)布的“雙一流”建設(shè)學(xué)科名單所屬學(xué)科的理學(xué)、工學(xué)學(xué)士學(xué)位,且從事集成電路科研、技術(shù)、工程相關(guān)工作者。