紫光集團(tuán)多個(gè)項(xiàng)目落戶重慶

紫光集團(tuán)多個(gè)項(xiàng)目落戶重慶

4月18日,隨著紫光集團(tuán)重慶大樓正式投用,以及紫光數(shù)字工廠項(xiàng)目、紫光數(shù)字重慶項(xiàng)目、戰(zhàn)略合作單位等簽約活動(dòng)集中舉行,重慶直轄以來(lái)最重要的工業(yè)項(xiàng)目之一,有了多項(xiàng)新進(jìn)展。

集成電路領(lǐng)軍企業(yè)布局 成為重慶重磅工業(yè)項(xiàng)目

紫光集團(tuán)是中國(guó)大型綜合性集成電路領(lǐng)軍企業(yè)、全球第三大手機(jī)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)。

2018年2月12日,重慶市政府與紫光集團(tuán)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議及入駐兩江新區(qū)的落地協(xié)議。

截至目前,紫光集團(tuán)7個(gè)項(xiàng)目中的5個(gè)項(xiàng)目已簽訂投資協(xié)議,包括“智能安防+AI”、紫光云南方總部、金融科技、數(shù)字電視核心芯片全球總部及設(shè)計(jì)研發(fā)中心、移動(dòng)智能終端芯片設(shè)計(jì)研發(fā)中心等,均在如期穩(wěn)步推進(jìn)中。

未來(lái),紫光集團(tuán)還將在渝布局高端芯片制造、無(wú)人駕駛等項(xiàng)目,涉及領(lǐng)域之廣,讓紫光項(xiàng)目成為重慶直轄以來(lái)最重磅的工業(yè)項(xiàng)目之一。

近千名員工入駐大樓 打造千億“智能安防+AI”生態(tài)圈

記者在紫光集團(tuán)重慶大樓投用現(xiàn)場(chǎng)了解到,紫光集團(tuán)重慶大樓涵蓋近2.2萬(wàn)平方米的辦公區(qū)域和近千平方米的創(chuàng)新體驗(yàn)中心。

目前,紫光集團(tuán)旗下的重慶紫光華山智安科技有限公司(下稱紫光華智)、紫光南方云技術(shù)有限公司、紫光數(shù)字重慶技術(shù)有限公司、紫光金融信息服務(wù)有限公司4家子公司,及新華三集團(tuán)重慶辦事處等近千名員工均已正式入駐該大樓。

該項(xiàng)目的落地將有助于吸引更多高科技企業(yè)進(jìn)駐重慶,推動(dòng)重慶數(shù)字經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

紫光華智是紫光集團(tuán)入渝的“智能安防+AI”公司,也是紫光集團(tuán)重慶大樓首批入駐的企業(yè)。

未來(lái),紫光華智將作為相關(guān)“智能安防+AI”產(chǎn)品及解決方案的全球研發(fā)中心、運(yùn)營(yíng)及結(jié)算總部,打造千億“智能安防+AI”生態(tài)圈,助力重慶建設(shè)成為具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的公共安全融合技術(shù)和智能安防的研發(fā)中心及產(chǎn)業(yè)基地。

多個(gè)項(xiàng)目集中簽約 紫光入渝迅速拓展朋友圈

在昨日活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng),紫光數(shù)字工廠、紫光數(shù)字重慶等多個(gè)項(xiàng)目集中簽約。

重慶紫光數(shù)字工廠主要生產(chǎn)智能安防、服務(wù)器等產(chǎn)品,前期生產(chǎn)智能終端攝像頭、智能硬盤錄像機(jī)、智能視頻分析服務(wù)器等產(chǎn)品,目標(biāo)是成為一座全面信息化的智能制造樣板工廠。

紫光數(shù)字重慶技術(shù)有限公司是兩江新區(qū)云計(jì)算公司與紫光南方云技術(shù)有限公司共同成立的合資公司,將為重慶提供智慧城市、政務(wù)云、工業(yè)云、產(chǎn)業(yè)云等解決方案及服務(wù),打造新型智慧城市重慶樣板。

紫光旗下新華三集團(tuán)與重慶交通開發(fā)投資集團(tuán)宣布建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系,將在智慧軌道、融合城軌云、智慧安防等領(lǐng)域展開全面合作。

此外,新華三集團(tuán)與中冶賽迪集團(tuán)宣布建立長(zhǎng)期戰(zhàn)略合作關(guān)系,將在云計(jì)算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、信息安全、視頻安防等技術(shù)領(lǐng)域開展創(chuàng)新合作。

聯(lián)合創(chuàng)新中心揭牌 賦能重慶警務(wù)數(shù)字創(chuàng)新

2018年8月,紫光集團(tuán)與重慶市公安局簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,共同成立重慶市公安局-新華三智慧公安聯(lián)合創(chuàng)新中心和重慶市公安局-新華三智慧公安培訓(xùn)學(xué)院,在警務(wù)數(shù)字化建設(shè)、警務(wù)科技人才培養(yǎng)等方面開展廣泛合作。

在活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng),重慶市公安局-新華三智慧公安聯(lián)合創(chuàng)新中心揭牌。

記者了解到,該聯(lián)合創(chuàng)新中心將以服務(wù)實(shí)戰(zhàn)為目標(biāo),開展警務(wù)聯(lián)合創(chuàng)新和試點(diǎn)建設(shè),包括“以預(yù)警為核心的人員精細(xì)刻畫”“自動(dòng)化數(shù)字辦案”“智慧交通流量預(yù)測(cè)”“重慶公安大數(shù)據(jù)智能化和視頻云試點(diǎn)建設(shè)”等,為重慶公安大數(shù)據(jù)智能化建設(shè)爭(zhēng)創(chuàng)全國(guó)一流提供支撐和服務(wù)。

我國(guó)科學(xué)家另辟蹊徑造出9納米光刻試驗(yàn)樣機(jī)

我國(guó)科學(xué)家另辟蹊徑造出9納米光刻試驗(yàn)樣機(jī)

4月10日記者從武漢光電國(guó)家研究中心獲悉,該中心甘棕松團(tuán)隊(duì)采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制,采用遠(yuǎn)場(chǎng)光學(xué)的辦法,光刻出最小9納米線寬的線段,實(shí)現(xiàn)了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創(chuàng)新。

光刻機(jī)是集成電路生產(chǎn)制造過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備,主流深紫外(DUV)和極紫外(EUV)光刻機(jī)主要由荷蘭ASML公司壟斷生產(chǎn),屬于國(guó)內(nèi)集成電路制造業(yè)的“卡脖子”技術(shù)。2009年甘棕松團(tuán)隊(duì)遵循諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)得主德國(guó)科學(xué)家斯特凡·W·赫爾的超分辨熒光成像的基本原理,在沒有任何可借鑒的技術(shù)情況下,開拓了一條光制造新的路徑。

9nm線寬雙光束超衍射極限光刻試驗(yàn)樣機(jī)

雙光束超衍射極限光刻技術(shù)完全不同于目前主流集成電路光刻機(jī)不斷降低光刻波長(zhǎng),從193納米波長(zhǎng)的深紫外(DUV)過(guò)渡到13.5納米波長(zhǎng)的極紫外(EUV)的技術(shù)路線。甘棕松團(tuán)隊(duì)利用光刻膠材料對(duì)不同波長(zhǎng)光束能夠產(chǎn)生不同的光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)過(guò)精心的設(shè)計(jì),讓自主研發(fā)的光刻膠能夠在第一個(gè)波長(zhǎng)的激光光束下產(chǎn)生固化,在第二個(gè)波長(zhǎng)的激光光束下破壞固化;將第二束光調(diào)制成中心光強(qiáng)為零的空心光與第一束光形成一個(gè)重合的光斑,同時(shí)作用于光刻膠,于是只有第二束光中心空心部分的光刻膠最終被固化,從而遠(yuǎn)場(chǎng)突破衍射極限。

納米加工三維結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)及實(shí)際光刻效果圖

該技術(shù)原理自2013年被甘棕松等驗(yàn)證以來(lái),一直面臨從原理驗(yàn)證樣機(jī)到可商用化的工程樣機(jī)的開發(fā)困難。團(tuán)隊(duì)經(jīng)過(guò)2年的工程技術(shù)開發(fā),分別克服了材料,軟件和零部件國(guó)產(chǎn)化等三個(gè)方面的難題。開發(fā)了綜合性能超過(guò)國(guó)外的包括有機(jī)樹脂、半導(dǎo)體材料、金屬等多類光刻膠,采用更具有普適性的雙光束超分辨光刻原理解決了該技術(shù)所配套光刻膠種類單一的問題。實(shí)現(xiàn)了微納三維器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制造軟件一體化,可無(wú)人值守智能制造。

同時(shí)通過(guò)合作實(shí)現(xiàn)了樣機(jī)系統(tǒng)關(guān)鍵零部件包括飛秒激光器、聚焦物鏡等的國(guó)產(chǎn)化,在整機(jī)設(shè)備上驗(yàn)證了國(guó)產(chǎn)零部件具有甚至超越國(guó)外同類產(chǎn)品的性能。雙光束超衍射極限光刻系統(tǒng)目前主要應(yīng)用于微納器件的三維光制造,未來(lái)隨著進(jìn)一步提升設(shè)備性能,在解決制造速度等關(guān)鍵問題后,該技術(shù)將有望應(yīng)用于集成電路制造。甘棕松說(shuō),最關(guān)鍵的是,我們打破了三維微納光制造的國(guó)外技術(shù)壟斷,在這個(gè)領(lǐng)域,從材料、軟件到光機(jī)電零部件,我們都將不再受制于人。

2018年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)6532億元,產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)趨于優(yōu)化

2018年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額達(dá)6532億元,產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)趨于優(yōu)化

新華網(wǎng)報(bào)道,4月8日,工信部電子信息司集成電路處處長(zhǎng)任愛光介紹了中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最新情況。

2018年中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷售額6532億元,2012年到2018年的復(fù)合增長(zhǎng)率20.3%。

其中,中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)銷售收入2519.3億元,所占比重從2012年的35%增加到38%;制造業(yè)銷售收入1818.2億元,所占比重從23%增加到28%;封測(cè)業(yè)銷售收入2193.9億元,所占比重從42%變?yōu)?4%,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)趨于優(yōu)化。

與全球半導(dǎo)體市場(chǎng)比較,2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模4779.4億美元,2012年到2018年的復(fù)合增長(zhǎng)率為7.3%,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模復(fù)合增長(zhǎng)率是全球的近三倍。

不過(guò),在設(shè)計(jì)、制造與封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈上,我國(guó)集成電路仍有需要做強(qiáng)的地方。

任愛光介紹,我國(guó)集成電路設(shè)計(jì)業(yè)產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷壯大,先進(jìn)設(shè)計(jì)水平達(dá)到7納米,但仍以中低端產(chǎn)品為主;集成電路制造業(yè),存儲(chǔ)器工藝實(shí)現(xiàn)突破,14納米邏輯工藝即將量產(chǎn),但與國(guó)外仍有兩代差距;集成電路封裝測(cè)試業(yè)是與國(guó)際差距最小的環(huán)節(jié),高端封裝業(yè)務(wù)占比約為30%,但產(chǎn)業(yè)集中度需進(jìn)一步提高。

安徽:先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目補(bǔ)助最高可達(dá)三千萬(wàn)元

安徽:先進(jìn)制造業(yè)項(xiàng)目補(bǔ)助最高可達(dá)三千萬(wàn)元

今年,制造業(yè)獲得的財(cái)政支持力度進(jìn)一步加大。安徽省明確,支持符合年度重大支持方向且總投資1億元以上(不含土地價(jià)款)的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)制造類項(xiàng)目,補(bǔ)助比例為項(xiàng)目核定關(guān)鍵設(shè)備投資的5%,單個(gè)項(xiàng)目補(bǔ)助最高可達(dá)3000萬(wàn)元。對(duì)實(shí)際總投資20億元以上、引領(lǐng)發(fā)展方向、具有先發(fā)優(yōu)勢(shì)、填補(bǔ)省內(nèi)空白的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)制造業(yè)項(xiàng)目,以及關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)產(chǎn)業(yè)化和產(chǎn)業(yè)公共服務(wù)項(xiàng)目,省、市聯(lián)合采取“一事一議”方式給予支持。

據(jù)了解,2017年至2018年,安徽財(cái)政廳連續(xù)兩年每年安排“三重一創(chuàng)”建設(shè)專項(xiàng)引導(dǎo)資金60億元,用于加快推進(jìn)重大新興產(chǎn)業(yè)基地、重大新興產(chǎn)業(yè)工程、重大新興產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)建設(shè),構(gòu)建創(chuàng)新型現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)體系,培育壯大經(jīng)濟(jì)發(fā)展新動(dòng)能,主要包括支持新建項(xiàng)目、支持企業(yè)境外并購(gòu)、補(bǔ)助研發(fā)生產(chǎn)設(shè)備投入、支持高新技術(shù)企業(yè)成長(zhǎng)、支持創(chuàng)新平臺(tái)建設(shè)、運(yùn)用基金支持等10條措施。

去年,安徽省財(cái)政還下達(dá)制造強(qiáng)省建設(shè)資金,重點(diǎn)支持?jǐn)?shù)字經(jīng)濟(jì)、機(jī)器人、集成電路、現(xiàn)代醫(yī)療醫(yī)藥等產(chǎn)業(yè)。 今年,在推動(dòng)制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展上,安徽省提出,采取設(shè)備補(bǔ)助、貸款貼息等方式引導(dǎo)和支持技術(shù)改造,實(shí)施億元以上重點(diǎn)技改項(xiàng)目1000項(xiàng)。持續(xù)推進(jìn)“三重一創(chuàng)”建設(shè),支持符合條件的重大工程和產(chǎn)業(yè)園區(qū)升級(jí)為重大基地,培育打造智能家電、新型顯示、新能源汽車、工業(yè)機(jī)器人等一批先進(jìn)制造業(yè)集群。

宜興中環(huán)領(lǐng)先8英寸大硅片將實(shí)現(xiàn)試生產(chǎn),劍指世界前三

宜興中環(huán)領(lǐng)先8英寸大硅片將實(shí)現(xiàn)試生產(chǎn),劍指世界前三

3月13日,宜興市人民政府官網(wǎng)透露,宜興中環(huán)領(lǐng)先集成電路用大直徑硅片項(xiàng)目入圍江蘇省級(jí)重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目。

該項(xiàng)目總投資30億美元,占地405畝,建筑面積21.7萬(wàn)平方米。其中,一期投資15億美元,裝備投入60億元。項(xiàng)目滿產(chǎn)后將可實(shí)現(xiàn)8英寸大硅片75萬(wàn)片、12英寸大硅片60萬(wàn)片的月產(chǎn)能。

此外,項(xiàng)目滿產(chǎn)后還將實(shí)現(xiàn)8英寸大硅片進(jìn)入世界前三、12英寸大硅片進(jìn)入世界前五的目標(biāo),突破國(guó)外公司對(duì)大硅片的技術(shù)封鎖和市場(chǎng)壟斷。

該項(xiàng)目實(shí)施后,也將與無(wú)錫集成電路研發(fā)制造、江陰芯片封裝形成產(chǎn)業(yè)配套,為集成電路“南方基地”回歸提供支撐。

目前,項(xiàng)目一期生產(chǎn)8英寸大硅片的廠房已經(jīng)封頂,今年上半年將實(shí)現(xiàn)試生產(chǎn);生產(chǎn)12英寸大硅片的廠房已經(jīng)開工,預(yù)計(jì)今年能夠開展設(shè)備安裝。

中芯寧波與宜確半導(dǎo)體聯(lián)合宣布首次實(shí)現(xiàn)砷化鎵射頻前端模組晶圓級(jí)微系統(tǒng)異質(zhì)集成

中芯寧波與宜確半導(dǎo)體聯(lián)合宣布首次實(shí)現(xiàn)砷化鎵射頻前端模組晶圓級(jí)微系統(tǒng)異質(zhì)集成

2019年1月30日,采用中芯集成電路(寧波)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中芯寧波”)特有的晶圓級(jí)微系統(tǒng)集成技術(shù)(uWLSI?),中芯寧波和宜確半導(dǎo)體(蘇州)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“宜確”)聯(lián)合發(fā)布業(yè)界首個(gè)硅晶圓級(jí)砷化鎵及SOI異質(zhì)集成射頻前端模組。宜確也首次展示了封裝尺寸僅為2.5×1.5×0.25立方毫米的射頻前端模組,這也是目前業(yè)界最緊湊的射頻前端器件;其第一個(gè)系列的產(chǎn)品預(yù)計(jì)將于2019年上半年在中芯寧波N1工廠投產(chǎn),主要面向4G和5G智能手機(jī)市場(chǎng),滿足其對(duì)射頻前端模組進(jìn)一步微型化的需求。

“uWLSI?是一個(gè)先進(jìn)的晶圓制造技術(shù)平臺(tái),不僅助力宜確的砷化鎵pHEMT射頻前端模組產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)出眾的微型化,而且顯著提高其核心組件間互連的射頻特性?!币舜_表示:“這一關(guān)鍵性的晶圓級(jí)制造和系統(tǒng)測(cè)試技術(shù),也有助于進(jìn)一步簡(jiǎn)化芯片設(shè)計(jì)和制造流程?!?/p>

uWLSI?為中芯寧波的注冊(cè)商標(biāo),意指“晶圓級(jí)微系統(tǒng)集成”;它是中芯寧波自主開發(fā)的一種特種中后段晶圓制造技術(shù),尤其適用于實(shí)現(xiàn)多個(gè)異質(zhì)芯片的晶圓級(jí)系統(tǒng)集成以及晶圓級(jí)系統(tǒng)測(cè)試,同時(shí)也消除了在傳統(tǒng)的系統(tǒng)封裝中所需的凸塊和倒裝焊工藝流程。

中芯寧波表示:“中芯寧波所開發(fā)的uWLSI?技術(shù)平臺(tái),正是為了滿足多個(gè)異質(zhì)芯片通過(guò)更多的晶圓級(jí)制造工藝來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度微系統(tǒng)集成的迫切需求。uWLSI?技術(shù)不僅能夠支持多種射頻核心組件(包括砷化鎵或氮化鎵功放器件、射頻濾波器、集成被動(dòng)器件)的晶圓級(jí)異質(zhì)微系統(tǒng)集成,支持下一代高性能、超緊湊的射頻前端模組產(chǎn)品的要求,還將針對(duì)更廣泛的系統(tǒng)芯片應(yīng)用,成為一種新的有競(jìng)爭(zhēng)力的微系統(tǒng)集成方案,包括微控制器、物聯(lián)網(wǎng)和傳感器融合?!?/p>

中芯寧波是一家特種工藝半導(dǎo)體制造公司,由中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司(SMIC)、中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金以及其它集成電路產(chǎn)業(yè)基金共同投資。公司總部位于中國(guó)浙江省寧波市,擁有自己的特種工藝半導(dǎo)體晶圓制造工廠,為全球集成電路和系統(tǒng)客戶提供高壓模擬、射頻前端以及光電系統(tǒng)集成領(lǐng)域的專業(yè)晶圓制造和產(chǎn)品設(shè)計(jì)服務(wù)。

宜確半導(dǎo)體是一家位于中國(guó)蘇州的高科技企業(yè)。該公司不僅擁有開關(guān)、功率放大器和濾波器等高性能、高性價(jià)比的射頻前端集成電路產(chǎn)品,而且能夠提供創(chuàng)新的微波和毫米波無(wú)線通信專用集成電路和系統(tǒng)解決方案。

聯(lián)電預(yù)計(jì)Q1客戶晶圓需求將進(jìn)一步減緩

聯(lián)電預(yù)計(jì)Q1客戶晶圓需求將進(jìn)一步減緩

晶圓代工大廠聯(lián)電 29 日公布 2018 年第 4 季營(yíng)收。根據(jù)資料顯示,2019 年第 4 季合并營(yíng)收為355.2 億元(新臺(tái)幣,下同),較第 3 季 393.9 億元減少 9.8%,與 2017 年同期的 366.3 億元相較,減少 3%。本季毛利率為 13%,歸屬母公司虧損為17.1 億元,每股普通股虧損為0.14 元。

聯(lián)電總經(jīng)理王石表示,在 2018 年第 4 季,聯(lián)電晶圓專工營(yíng)收達(dá)到 354.9 億元,較第 3 季減少 9.8%,營(yíng)業(yè)虧損率為 1.3%。整體的產(chǎn)能利用率來(lái)到 88%,出貨量為 171 萬(wàn)片約當(dāng) 8 吋晶圓。雖然,第 4 季晶圓需求減緩,但是聯(lián)電在 8 吋和成熟 12 吋制程仍繼續(xù)保持穩(wěn)定的產(chǎn)能利用率。在 2018 年第 4 季營(yíng)收數(shù)字出爐之后,累計(jì) 2018 年全年?duì)I收 1,512.55 億元,較 2017 年的 1,492.85 億元,成長(zhǎng)了 1.3%。

而針對(duì) 2019 年第 1 季展望,聯(lián)電預(yù)計(jì),本季晶圓出貨量將比上季下滑 6% 到 7%,以美元計(jì)產(chǎn)品平均單價(jià)將季減 1% 到 2%。產(chǎn)能利用率從上季 88% 再降到介于 81% 到 83%,毛利率約 5%,也比上季的 13% 持續(xù)下降。此外,2019 年資本支出為 10 億美元,較 2018 年資本支出的 7 億美元有所增加。

王石對(duì)此指出,「由于入門款和中階智能型手機(jī)前景低于預(yù)期、以及加密電子貨幣價(jià)值持續(xù)下跌,我們預(yù)計(jì)客戶晶圓需求將進(jìn)一步減緩。雖然正在進(jìn)行的公司轉(zhuǎn)型需要些時(shí)間才能發(fā)揮完整的綜效與潛力。但到目前為止,我們策略執(zhí)行的進(jìn)展使公司更能夠承受目前的挑戰(zhàn)?!?/p>

臺(tái)積電14B廠晶圓瑕疵,光阻原料不符規(guī)格造成

臺(tái)積電14B廠晶圓瑕疵,光阻原料不符規(guī)格造成

晶圓代工廠臺(tái)積電今天針對(duì)晶圓 14B 廠發(fā)生晶圓良率偏低問題再次發(fā)表聲明,表示主要是 12 納米及 16 納米晶圓良率出問題,是供應(yīng)商供應(yīng)的光阻原料不符規(guī)格造成。

臺(tái)積電指出,內(nèi)部是在 1 月 19 日發(fā)現(xiàn)晶圓 14B 廠的 12 納米及 16 納米良率出現(xiàn)問題,經(jīng)追查后了解問題出在一批光阻原料。

這批原料是來(lái)自一個(gè)與臺(tái)積電有多年供貨經(jīng)驗(yàn)優(yōu)良的廠商,臺(tái)積電表示,但這批原料與過(guò)去供應(yīng)的原料規(guī)格有相當(dāng)誤差。

臺(tái)積電指出,內(nèi)部立即停用這批不符規(guī)格的原料,并馬上通知所有受到影響的客戶。

臺(tái)積電表示,過(guò)去 10 天已與所有受影響的客戶密切溝通,包含相關(guān)補(bǔ)貨和交期的細(xì)節(jié),以目前 12 納米與 16 納米產(chǎn)能利用率估計(jì),受影響的晶圓大部分能在第 1 季補(bǔ)回,這起事件應(yīng)不影響第 1 季營(yíng)運(yùn)目標(biāo),季營(yíng)收將約 73 億至 74 億美元,將季減 22%。

中芯國(guó)際14納米2019年量產(chǎn),首個(gè)客戶將來(lái)自手機(jī)產(chǎn)業(yè)

中芯國(guó)際14納米2019年量產(chǎn),首個(gè)客戶將來(lái)自手機(jī)產(chǎn)業(yè)

目前全球發(fā)展 7 納米及其以下先進(jìn)制程的只剩下臺(tái)積電、三星及英特爾 3 家公司。其中,臺(tái)積電 2019 年最快都要試產(chǎn) 5 納米制程了。而相對(duì)于中國(guó)最大的晶圓代工廠中芯國(guó)際,雖然也表示也不會(huì)放棄先進(jìn)制程研發(fā)。不過(guò),技術(shù)水平與業(yè)界至少差了兩代以上,已量產(chǎn)的最先進(jìn)制程還是在 28 納米制程上。對(duì)此,參與投資中芯國(guó)際的上海市政府日前在工作報(bào)告中表示,中芯國(guó)際的 14 納米制程將于 2019 年量產(chǎn)。

中芯國(guó)際是目前中國(guó)最大的晶圓代工廠,在北京、天津、上海等地設(shè)置有 8 寸及 12 寸晶圓廠。其中,上海市的 12 寸晶圓廠建設(shè)于 2016 年,整個(gè)投資計(jì)劃共斥資近百億美元。未來(lái),預(yù)計(jì)將發(fā)展 14 納米,10 納米,7 納米等制程,滿載產(chǎn)能可達(dá)每月 7 萬(wàn)片。

對(duì)此,2018 年 1 月底,中芯國(guó)際宣布參與子公司中芯南方的投資,并且導(dǎo)入國(guó)家集成電路基金及上海集成電路基金,三方同意向中芯南方分別投資 15.435 億美元、9.465 億美元及 8 億美元,使中芯南方的注冊(cè)資本額由 2.1 億美元,增加到 35 億美元,而三方的持股比例也分別達(dá)到 50.1%、27.04% 及 22.86%。累計(jì)三方對(duì)中芯南方的投資總金額將為 102.4 億美元,資金主要用于 14 納米及以下制程的研發(fā)生產(chǎn)制造。

根據(jù)中芯國(guó)際 2018 年第 3 季的財(cái)報(bào)顯示,28 納米的營(yíng)收占比下降到了 7.1%,相較 2017 年同期還有 8.8% 的比例。至于,其占比下降的原因是,28 納米存在全球性產(chǎn)能過(guò)剩問題。因此,在產(chǎn)能過(guò)剩的狀況下,28 納米制程不會(huì)進(jìn)行更多擴(kuò)張,預(yù)計(jì)要到 2019 年下半年才會(huì)出現(xiàn)新的 28 納米產(chǎn)能。

而在 28 納米制程節(jié)點(diǎn)之后,中芯國(guó)際還將推出 14 納米 FinFET 制程。據(jù)之前相關(guān)媒體的報(bào)導(dǎo)指出,在中芯國(guó)際找來(lái)前三星與臺(tái)積電高層梁孟松坐鎮(zhèn)之后,其 14 納米制程良率已達(dá) 95%,進(jìn)展符合預(yù)期,并且已經(jīng)進(jìn)入了客戶導(dǎo)入階段,當(dāng)前正在進(jìn)行驗(yàn)證及 IP 設(shè)計(jì)中。中芯國(guó)際也指出,未來(lái)首個(gè) 14 納米制程客戶將來(lái)自手機(jī)芯片產(chǎn)業(yè),預(yù)計(jì)會(huì)在 2019 年上半年量產(chǎn)。

臺(tái)積電Fab 14B廠傳晶圓瑕疵,臺(tái)積電回應(yīng):影響評(píng)估中,暫不改本季財(cái)測(cè)

臺(tái)積電Fab 14B廠傳晶圓瑕疵,臺(tái)積電回應(yīng):影響評(píng)估中,暫不改本季財(cái)測(cè)

根據(jù)供應(yīng)鏈傳出的消息,晶圓代工龍頭臺(tái)積電 28 日上午位于南科的 Fab 14 B 廠傳出晶圓質(zhì)量瑕疵問題,受影響的數(shù)量有上萬(wàn)片之多,且將在近期舉行會(huì)議,統(tǒng)計(jì)整個(gè)損失狀況及后續(xù)的處理事宜。對(duì)此,臺(tái)積電的發(fā)言系統(tǒng)表示,目前查證的結(jié)果,F(xiàn)ab 14 B 廠的確有使用不合規(guī)格的化學(xué)原料,造成晶圓生產(chǎn)瑕疵,影響數(shù)量與損失,臺(tái)積電還在第一時(shí)間調(diào)查處理。

根據(jù)供應(yīng)鏈消息,臺(tái)積電 28 日上午位于南科的 Fab 14 B 廠傳出晶圓質(zhì)量瑕疵。原因在于臺(tái)積電進(jìn)口一批不合規(guī)格的化學(xué)原料,使生產(chǎn)產(chǎn)生晶圓有瑕疵。因生產(chǎn)過(guò)程無(wú)法檢查出來(lái),生產(chǎn)后才有辦法確認(rèn),預(yù)計(jì)影響的晶圓數(shù)量高達(dá)上萬(wàn)片,也造成產(chǎn)線短暫停擺。

消息來(lái)源還指出,這次受影響的 Fab 14 B 廠,主要為 12 / 16 納米制程,客戶涵蓋 NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、華為海思等重量級(jí)客戶,一旦發(fā)生晶圓質(zhì)量瑕疵,對(duì)臺(tái)積電營(yíng)運(yùn)有不小沖擊。目前處理狀況,臺(tái)積電表示,正估計(jì)受影響晶圓數(shù)量,以及彌補(bǔ)措施,希望能將損害控制到最低。

臺(tái)積電代理發(fā)言人孫又文指出,目前正后續(xù)統(tǒng)計(jì)與處理,也陸續(xù)聯(lián)絡(luò)客戶。臺(tái)積電應(yīng)可有效控制到最低影響,現(xiàn)階段暫時(shí)不會(huì)改變本季財(cái)務(wù)預(yù)測(cè)。后續(xù)會(huì)不會(huì)對(duì)供應(yīng)商求償,孫又文表示,要看與供應(yīng)商談判后的結(jié)果再來(lái)決定。