4月15日是《中華人民共和國(guó)密碼法》頒布實(shí)施后的第一個(gè)全民國(guó)家安全教育日。密碼技術(shù)對(duì)保衛(wèi)國(guó)家安全和人民利益有重要作用，隨著5G、物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)技術(shù)的不斷普及，密碼技術(shù)正在發(fā)揮著越來(lái)越顯著的作用。安全芯片是密碼技術(shù)的載體，也是重要數(shù)據(jù)的保險(xiǎn)箱。從每個(gè)人的身份證、銀行卡、手機(jī)卡，到稅務(wù)、通信、金融、交通、安防、醫(yī)療等涉及國(guó)計(jì)民生的方方面面，都離不開(kāi)安全芯片的保駕護(hù)航。而5G、AI等新基建項(xiàng)目，也對(duì)安全芯片提出了新的挑戰(zhàn)。

數(shù)據(jù)安全的最后一道堡壘

安全芯片是一種可獨(dú)立進(jìn)行密鑰管理、加密傳輸及安全計(jì)算的硬件裝置。業(yè)內(nèi)人士劉權(quán)向記者表示，安全芯片是重要敏感數(shù)據(jù)的載體和最后一道堡壘，是保證關(guān)鍵數(shù)據(jù)計(jì)算的最終可信運(yùn)算設(shè)備，對(duì)于網(wǎng)絡(luò)安全至關(guān)重要。

華大電子銷(xiāo)售中心總經(jīng)理馬靖將安全芯片比作“重要及敏感數(shù)據(jù)的保險(xiǎn)箱”。她表示，安全芯片的必要性體現(xiàn)在三個(gè)方面。首先，安全芯片能將設(shè)備中涉及個(gè)人隱私、知識(shí)產(chǎn)權(quán)的敏感數(shù)據(jù)存儲(chǔ)起來(lái)，進(jìn)行加密保護(hù);其次，數(shù)據(jù)加解密的處理過(guò)程都是在芯片內(nèi)部，不會(huì)造成信息外泄;最后，在安全芯片內(nèi)部是通過(guò)硬件方式實(shí)現(xiàn)的真隨機(jī)數(shù)，并非軟件方式的偽隨機(jī)序列，可確保在設(shè)備和云端通信的過(guò)程中，同樣的數(shù)據(jù)在不同時(shí)間、不同批次的上報(bào)中獲得不同的隨機(jī)密匙，以防范通信鏈路上的竊聽(tīng)攻擊。

“信息流的安全控制與處理，是安全芯片的本質(zhì)要求?！瘪R靖告訴記者。

相比單純的軟件算法，安全芯片既可以抵御軟件攻擊，也可以防范硬件攻擊。紫光國(guó)微高級(jí)業(yè)務(wù)副總裁蘇琳琳向記者指出，網(wǎng)絡(luò)攻擊的終極目標(biāo)是獲取信息。在網(wǎng)絡(luò)攻擊中，密鑰是最重要的信息。網(wǎng)絡(luò)攻擊除了通過(guò)軟件方式進(jìn)行，還可以通過(guò)分析信息存儲(chǔ)的硬件來(lái)獲得密鑰。

“基于安全芯片來(lái)構(gòu)建終端的安全解決方案，不僅能抵抗軟件攻擊，還能抵抗硬件攻擊。沒(méi)有密碼芯片的系統(tǒng)缺乏根基。在安全芯片中，即便CPU也不能直接接觸芯片的密碼，從而從根本上解決安全問(wèn)題?！碧K琳琳說(shuō)。

翱捷科技高級(jí)戰(zhàn)略總監(jiān)王鵬向記者表示，采用硬件實(shí)現(xiàn)加解密，可以有兩方面好處：一是加解密的計(jì)算處理性能有較大提升;二是能更好地實(shí)現(xiàn)軟硬件的強(qiáng)耦合，保障安全防護(hù)性能。

“以芯片方式實(shí)現(xiàn)密碼算法，產(chǎn)品通過(guò)國(guó)推商用密碼認(rèn)證后，客戶(hù)使用也更為方便?！蓖貔i說(shuō)。

從智能卡走向物聯(lián)網(wǎng)

目前，安全芯片已經(jīng)滲入生產(chǎn)生活的方方面面。傳統(tǒng)安全芯片包括智能卡芯片、用于支付等場(chǎng)景的終端芯片等，涉及身份安全、支付安全、通信安全、賬戶(hù)安全、終端安全等多個(gè)場(chǎng)景。從身份證、銀行卡、交通卡、SIM卡等個(gè)人常用的民生卡片，到身份安全、賬戶(hù)安全等身份識(shí)別認(rèn)證，柜臺(tái)的POS機(jī)等，都有安全芯片的存在。華大電子、紫光國(guó)微、大唐微電子等企業(yè)都在智能卡和終端類(lèi)安全芯片方面推出了多種方案。

物聯(lián)網(wǎng)開(kāi)啟的智能家居、智慧交通等場(chǎng)景，也成為安全芯片的重要應(yīng)用領(lǐng)域。劉權(quán)表示，5G及物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)將網(wǎng)絡(luò)邊緣的計(jì)算能力更好地進(jìn)行應(yīng)用，使得人們身邊設(shè)備的服務(wù)能力極大增強(qiáng)，同時(shí)也對(duì)傳感節(jié)點(diǎn)、智能終端的安全性能提出了較高要求，是密碼安全芯片未來(lái)應(yīng)用的主要方向。

物聯(lián)網(wǎng)的安全需求主要包括設(shè)備的唯一標(biāo)識(shí)、設(shè)備端與云端雙向身份認(rèn)證、數(shù)據(jù)加密傳輸以及遠(yuǎn)程O(píng)TA升級(jí)安全等。馬靖表示，針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)的安全芯片部署主要有兩個(gè)維度。一是滿(mǎn)足物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備本地的數(shù)據(jù)安全或品牌安全，比如智能家電的配件防偽、智能門(mén)鎖的指紋數(shù)據(jù)或密碼等涉及使用者的生物特征及隱私數(shù)據(jù)等;二是滿(mǎn)足物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備與云端之間的數(shù)據(jù)安全，比如智能表計(jì)場(chǎng)景下的抄表數(shù)據(jù)安全、智能安防場(chǎng)景下的IPC(網(wǎng)絡(luò)攝像頭)視頻碼流的數(shù)據(jù)安全等。

同時(shí)，物聯(lián)網(wǎng)對(duì)成本、功耗高度敏感，需要兼顧性能和成本平衡。蘇琳琳表示，安全芯片曾經(jīng)以高可靠性為核心競(jìng)爭(zhēng)力，但要滿(mǎn)足物聯(lián)網(wǎng)的部署需求，需要同時(shí)兼顧高性能和低成本。王鵬表示，在物聯(lián)網(wǎng)場(chǎng)景下，終端核心通信芯片內(nèi)置密碼算法，對(duì)產(chǎn)品小型化和成本優(yōu)化，都大有好處。

目前，華大電子推出了針對(duì)智能家居、智能安防、智能表計(jì)、智能交通以及車(chē)聯(lián)網(wǎng)等場(chǎng)景的物聯(lián)網(wǎng)安全芯片產(chǎn)品及解決方案，產(chǎn)品累計(jì)出貨量達(dá)到上億級(jí)。紫光國(guó)微也推出了智能家居、車(chē)聯(lián)網(wǎng)等方案，旗下紫光同芯的THD89系列通過(guò)了金融級(jí)和車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證，支持商用密碼算法。翱捷科技在物聯(lián)網(wǎng)和泛智能終端芯片領(lǐng)域，都具備完整的軟硬件安全和商用密碼支持能力，可以為下游客戶(hù)提供安全終端芯片解決方案。

新基建帶來(lái)新挑戰(zhàn)

5G、人工智能、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新基建項(xiàng)目的加速部署，為安全芯片開(kāi)啟了新的應(yīng)用場(chǎng)景，也帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。

5G有三大典型應(yīng)用場(chǎng)景，增強(qiáng)型移動(dòng)寬帶(eMBB)、低時(shí)延高可靠通信(uRLLC)、大規(guī)模機(jī)器類(lèi)通信(mMTC)，都對(duì)安全加密有更高的要求，特別是后兩者，對(duì)終端處理能力和性能要求相當(dāng)敏感。王鵬表示，只有在芯片底層硬件內(nèi)置相關(guān)的密碼算法引擎，才能更好地確保通信性能和安全加密性能的均衡實(shí)現(xiàn)。

“5G的應(yīng)用會(huì)有大約80%是行業(yè)場(chǎng)景，對(duì)于智能家居、金融支付、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等場(chǎng)景，有必要加強(qiáng)商用密碼算法的進(jìn)一步普及和規(guī)模應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈良性循環(huán)，形成對(duì)信息及數(shù)據(jù)安全、應(yīng)用與服務(wù)安全的堅(jiān)實(shí)支撐?！蓖貔i說(shuō)。

工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)對(duì)安全芯片的要求有三個(gè)方面。一是工業(yè)數(shù)據(jù)確權(quán)、交易和治理相對(duì)于消費(fèi)數(shù)據(jù)更為復(fù)雜，對(duì)安全芯片的算法機(jī)制提出更多考驗(yàn);二是工業(yè)控制對(duì)于芯片時(shí)延、功耗、靈活性要求更高;三是對(duì)芯片可靠性要求更高。蘇琳琳表示，工業(yè)環(huán)境對(duì)終端的標(biāo)準(zhǔn)和要求非常嚴(yán)格，工業(yè)環(huán)境中往往會(huì)遇到低溫、高溫、高濕、強(qiáng)干擾、強(qiáng)震動(dòng)等，都會(huì)給設(shè)備的安全、穩(wěn)定性帶來(lái)挑戰(zhàn)，安全芯片必須滿(mǎn)足能夠在工控環(huán)境下穩(wěn)定、安全使用的要求。

AI是數(shù)字經(jīng)濟(jì)時(shí)代的“水電煤”，對(duì)安全芯片的性能提出挑戰(zhàn)。馬靖表示，安全芯片要符合商用密碼算法的技術(shù)規(guī)范，滿(mǎn)足溫度、濕度等環(huán)境參數(shù)要求，還要結(jié)合應(yīng)用領(lǐng)域?qū)π酒δ堋⑿阅芗翱煽啃缘奶囟ㄐ枨?。以AI為例，一款安全芯片要成為支持AI處理的芯片，在保護(hù)AI算法知識(shí)產(chǎn)權(quán)的基礎(chǔ)之上，對(duì)安全芯片的性能要求也是一個(gè)飛躍。

“安全芯片在可靠性的每一步跨越都是非常大的挑戰(zhàn)，從消費(fèi)級(jí)到工業(yè)級(jí)再到車(chē)規(guī)級(jí)?！瘪R靖說(shuō)。她表示，目前華大電子安全芯片已在國(guó)計(jì)民生的多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模應(yīng)用，其中帶商用密碼的安全芯片更是大批量出貨。針對(duì)新基建的新場(chǎng)景和新挑戰(zhàn)，華大電子將結(jié)合國(guó)計(jì)民生重點(diǎn)領(lǐng)域和自身業(yè)務(wù)方向，持續(xù)加強(qiáng)布局。

“盡管《中華人民共和國(guó)密碼法》已頒布實(shí)施，但是在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，由于缺少行業(yè)安全規(guī)范，基于商用密碼算法的安全芯片在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用推進(jìn)進(jìn)展緩慢;作為安全芯片企業(yè)，華大電子正積極推進(jìn)商用密碼算法在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的應(yīng)用推廣，但力量有限，希望行業(yè)主管部門(mén)能從規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)方面多引導(dǎo)商用密碼算法的應(yīng)用?！瘪R靖表示。

蘇琳琳也表示，紫光國(guó)微將繼續(xù)提供系統(tǒng)可信根、數(shù)據(jù)安全存儲(chǔ)，保障安全運(yùn)行以及安全連接，從硬件層面對(duì)終端設(shè)備進(jìn)行完整保護(hù)，為5G、AI、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新基建重要領(lǐng)域構(gòu)建安全隧道。

對(duì)于商用密碼安全芯片的發(fā)展，王鵬提出了兩點(diǎn)建議。一是突出市場(chǎng)和需求引導(dǎo)，對(duì)物聯(lián)網(wǎng)、金融支付、智能家居、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用場(chǎng)景，加強(qiáng)商用密碼算法的應(yīng)用需求牽引和產(chǎn)品市場(chǎng)導(dǎo)向。二是注重軟硬件協(xié)同的產(chǎn)業(yè)鏈和生態(tài)鏈建設(shè)。在相關(guān)基礎(chǔ)軟件環(huán)節(jié)上，同步加強(qiáng)軟硬件協(xié)同工作，為上層應(yīng)用和服務(wù)創(chuàng)造更為便捷的開(kāi)發(fā)環(huán)境和產(chǎn)業(yè)支持。他表示，翱捷科技會(huì)發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢(shì)，積極貢獻(xiàn)自己的一份力量。

目前全世界發(fā)展自家處理器的廠商仍屬少數(shù)，不過(guò)現(xiàn)在又有新的參與者加入。根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，日前俄羅斯科技公司「Multiclet」宣布，正在開(kāi)發(fā) Multiclet S2 通用型處理器，可在 Windows 及 Linux 系統(tǒng)運(yùn)作，宣稱(chēng)性能甚至超過(guò)處理器大廠英特爾（Intel）Core i7 系列，預(yù)計(jì)最快 2020 下半年問(wèn)世。

外電報(bào)導(dǎo)，Multiclet 公司開(kāi)發(fā)的 Multiclet S2 處理器與現(xiàn)在市面處理器都不同，有不同的運(yùn)算單元，能同時(shí)跑整數(shù)及浮點(diǎn)。預(yù)設(shè)如果有 256 個(gè)運(yùn)算單元，以及 2.5GHz 的頻率運(yùn)算，總和性能高達(dá) 81.9TFLOPS，非常接近針對(duì) AI 加速運(yùn)算開(kāi)發(fā)的 Google TPU-3 處理器 90TFLOPS 性能。

目前看來(lái)，Multiclet S2 處理器較像 AI 加速芯片，但 Multiclet 表示，Multiclet S2 處理器依然是通用型處理器，且性能比英特爾 Core i7 系列處理器還強(qiáng)。據(jù) Multiclet 的說(shuō)法，Multiclet S2 處理器性能同時(shí)超過(guò)英特爾 XeonPhi 7290 及 Core i7-5960 處理器。雖然 Core i7-5960 處理器是 2014 年發(fā)表的 Haswell E 架構(gòu)處理器，但仍是顆 8 核心 16 執(zhí)行續(xù)的處理器、具備最高 3.5GHz 運(yùn)算頻率，性能仍相當(dāng)有實(shí)力。

雖然 Multiclet 一直強(qiáng)調(diào) Multiclet S2 處理器有諸多不同，不過(guò)這款芯片展示的還是計(jì)劃中的東西，完成度約 20%。另外，Multiclet 的 Multiclet S2 處理器也同樣看上臺(tái)積電先進(jìn)制程，預(yù)計(jì)以臺(tái)積電 16 奈米制程打造，預(yù)計(jì) 2020 下半年問(wèn)世。

Multiclet 在 2018 年就曾發(fā)表 Multiclet S1 處理器，當(dāng)時(shí)也預(yù)計(jì)采用臺(tái)積電 28 奈米制程，且預(yù)計(jì)以當(dāng)時(shí)熱門(mén)的挖礦機(jī)市場(chǎng)為主要銷(xiāo)售對(duì)象，不過(guò)后來(lái)芯片完成度不足，結(jié)果并不理想，因此這次 Multiclet S2 處理器會(huì)有什么樣的發(fā)展，有待持續(xù)觀察。

日韓貿(mào)易戰(zhàn)未?；?。

最新消息顯示，10月11日，日本與韓國(guó)在瑞士日內(nèi)瓦舉行會(huì)談，尋求解決兩國(guó)近期的貿(mào)易糾紛，雙方會(huì)后同意繼續(xù)會(huì)面。

隨著貿(mào)易爭(zhēng)端愈演愈烈，日本與韓國(guó)雙雙迎來(lái)了連續(xù)九個(gè)月的出口數(shù)據(jù)下滑—韓國(guó)產(chǎn)業(yè)通商資源部數(shù)據(jù)顯示，韓國(guó)8月出口額為442億美元，進(jìn)口額為424億美元，雖然繼續(xù)保持貿(mào)易順差，但順差額遠(yuǎn)低于去年同期；日本財(cái)務(wù)省數(shù)據(jù)顯示，8月出口較去年同期下降8.2%，創(chuàng)下2015年10月至2016年11月連降14個(gè)月以來(lái)的出口最長(zhǎng)持續(xù)下降紀(jì)錄。

上一次大規(guī)模的半導(dǎo)體戰(zhàn)爭(zhēng)還要追溯到30年前的日美博弈，彼時(shí)日本幾乎輸?shù)袅怂械陌雽?dǎo)體芯片領(lǐng)地。與此同時(shí)，韓國(guó)則趁機(jī)入場(chǎng)，三星、SK海力士等企業(yè)迅速崛起，填補(bǔ)了上游產(chǎn)業(yè)鏈中的部分空白。

去年6月份，日企巨頭東芝又將旗下的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)出售給美國(guó)私募股權(quán)機(jī)構(gòu)貝恩資本，似乎為日本失落的平成30年畫(huà)下了句號(hào)。

但當(dāng)世界重新審視這位昔日霸主時(shí)才驀然驚覺(jué)，日本在全球半導(dǎo)體生態(tài)中已經(jīng)從芯片大國(guó)退至更上游的材料大國(guó)，并為全世界提供超過(guò)一半的半導(dǎo)體材料和1/3的半導(dǎo)體制造設(shè)備。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，2018年全球TOP 15半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備廠商中，日本廠商獨(dú)占7席。

這亦是日本在這場(chǎng)漫長(zhǎng)戰(zhàn)役中的底氣所在。

日本隱形冠軍

今年7月1日，日本政府經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省便宣布將對(duì)韓國(guó)實(shí)施嚴(yán)格的半導(dǎo)體出口限制，控管用于制造手機(jī)屏幕、OLED面板的氟聚酰亞胺（Fluorine Polyimide）、用于半導(dǎo)體制造的光刻膠及高純度氟化氫等三種化學(xué)原料的采購(gòu)合約。

2019年8月2日，日本內(nèi)閣更趨強(qiáng)硬，會(huì)議中通過(guò)相關(guān)法案的修訂，決定將韓國(guó)剔除出貿(mào)易優(yōu)惠白名單，并于8月28日起正式實(shí)施。作為回應(yīng)，韓國(guó)政府隨即宣布把日本移出韓國(guó)的出口白名單。

日本作為上述三種材料的主要輸出國(guó)，氟聚酰亞胺與氟化氫的產(chǎn)量約占全球9成，光刻膠也占有7成，因此，在世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)放緩、半導(dǎo)體芯片價(jià)格下跌的背景下，韓國(guó)的壓力與日俱增。

根據(jù)韓國(guó)經(jīng)濟(jì)研究院試算，日本的管制措施將造成韓國(guó)GDP減少2.2％，而日本將減少0.04％。此外，韓國(guó)針對(duì)有沖擊的269家中小企業(yè)的調(diào)查顯示，有59％表示恐難撐過(guò)六個(gè)月，僅有兩成企業(yè)反映能撐過(guò)一年。

這并非杞人憂(yōu)天。國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)數(shù)據(jù)顯示，2018年整年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)總營(yíng)收達(dá)519億美元，韓國(guó)以17%的份額位居第二。但在半導(dǎo)體市場(chǎng)上，看似風(fēng)光無(wú)限的韓國(guó)仍高度依賴(lài)日本的材料供應(yīng)—當(dāng)前，生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片有19種必備材料，其中多數(shù)均有極高技術(shù)壁壘。而日本在硅晶圓、合成半導(dǎo)體晶圓、光罩等14種重要材料方面分別占據(jù)超過(guò)50%的份額，在全球半導(dǎo)體材料行業(yè)長(zhǎng)期保持著絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。

這過(guò)半的市場(chǎng)份額分別被信越化工(Shin-Etsu)、三菱住友(SUMCO)、住友電木(Sumitomo)、日立化學(xué)(Hitachi Chemical)、京瓷化學(xué)(KYOCERA)等日本廠商緊緊攥在手中，這些巨頭并不如索尼、松下等廣為人知，但從某種意義上來(lái)講，更像是半導(dǎo)體市場(chǎng)中的幕后玩家。

1990 年，德國(guó)管理學(xué)家赫爾曼?西蒙提出過(guò)隱形冠軍的概念。他認(rèn)為德國(guó)連續(xù)23 年保持世界出口第一，靠的并非是世界 500 強(qiáng)之類(lèi)的大企業(yè)，而是不為人知的杰出中小型企業(yè)。

縱觀信越化學(xué)的發(fā)展史，它能成功躲開(kāi)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的衰落，最重要的一點(diǎn)，就在于它是一家重視市場(chǎng)需求的隱形冠軍企業(yè)。

這家低調(diào)的老牌日企成立于1920年代中期，從1939年就開(kāi)始生產(chǎn)硅產(chǎn)品，最早研制成功了最尖端的300mm硅片，并實(shí)現(xiàn)了SOI硅片的量產(chǎn)。早在2017年11月13日，信越化工就曾宣布在全球提高其所有有機(jī)硅產(chǎn)品的價(jià)格—但這個(gè)漲價(jià)并沒(méi)有任何商量的余地，因?yàn)樗呀?jīng)占據(jù)了全球約27%的硅片供應(yīng)，其同行三菱住友則壟斷了全球約26%的硅片供應(yīng)。

這不僅是30年前那場(chǎng)世紀(jì)之戰(zhàn)中留下來(lái)的寶貴遺產(chǎn)，更是日本半導(dǎo)體材料制造業(yè)堅(jiān)固的護(hù)城河。

韓國(guó)尋求突圍

近40年的全球化浪潮，令各國(guó)之間共同組成世界產(chǎn)業(yè)鏈條上的不同環(huán)節(jié)。但隨著貿(mào)易爭(zhēng)端的加劇，這一原有的格局或?qū)⒈淮蚱啤?/p>

據(jù)日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)道，當(dāng)前三星的半導(dǎo)體主要零件中很大一部分依賴(lài)于日本企業(yè)—在三星公開(kāi)交易關(guān)系的100家主要供應(yīng)商名單中，日系企業(yè)為23家，排在第2位，僅次于韓國(guó)企業(yè)（39家）。

作為全球存儲(chǔ)芯片和顯示器面板的主要提供者，韓國(guó)企業(yè)在DRAM的市場(chǎng)占有率已然超過(guò)70%，其重要客戶(hù)包括蘋(píng)果、高通等科技巨頭，如果因?yàn)椴牧线M(jìn)口受限導(dǎo)致生產(chǎn)受阻，全球供應(yīng)鏈都將受到?jīng)_擊；韓國(guó)半導(dǎo)體與顯示技術(shù)協(xié)會(huì)會(huì)長(zhǎng)樸在勤指出，若韓國(guó)限制OLED面板或半導(dǎo)體出口，則將影響索尼、夏普等日企巨頭的電子產(chǎn)品生產(chǎn)。

作為曾經(jīng)相互依存的兩個(gè)半導(dǎo)體大國(guó)，韓國(guó)也正在尋求解決方案。

8月6日，韓國(guó)宣布將投入近65億美元，用于研發(fā)國(guó)內(nèi)零部件、半導(dǎo)體原材料和設(shè)備。與此同時(shí)，韓國(guó)也在尋找其他海外材料供應(yīng)商。有分析師指出，三星將最遲在明年1月從其供應(yīng)鏈逐步淘汰日本產(chǎn)品，包括Soulbrain在內(nèi)的韓國(guó)化工企業(yè)的股價(jià)今年已上漲逾50%。

此前，LG化學(xué)首席執(zhí)行官兼副董事長(zhǎng)Shin Hak Cheol曾表示，公司計(jì)劃加強(qiáng)業(yè)務(wù)組合和擴(kuò)大研發(fā)活動(dòng)，并將銷(xiāo)售額目標(biāo)從今年的31萬(wàn)億韓元增加到2024年底的59萬(wàn)億韓元（500億美元）—不難看出，LG化學(xué)正在積極搶占全球前五名的市場(chǎng)份額。

對(duì)于日韓而言，這場(chǎng)因半導(dǎo)體而起的爭(zhēng)端還沒(méi)有結(jié)束，未來(lái)將會(huì)給他們的產(chǎn)業(yè)改善和創(chuàng)新帶來(lái)更艱巨的挑戰(zhàn)。

摩爾定律是否失效了？近年來(lái)，這一討論不絕于耳。

隨著芯片工藝技術(shù)不斷演進(jìn)，芯片設(shè)計(jì)和制造成本都在呈指數(shù)級(jí)增加，去年開(kāi)始有兩家大型芯片制造商先后放棄先進(jìn)工藝研發(fā)，同時(shí)，先進(jìn)工藝每一代至少較上一代增加30%~50%的設(shè)計(jì)成本。

“技術(shù)會(huì)繼續(xù)發(fā)展，芯片集成度會(huì)繼續(xù)增加，但是像過(guò)去那樣提高性能、降低功耗而不增加成本已經(jīng)不存在了?！苯?，在接受第一財(cái)經(jīng)記者專(zhuān)訪時(shí)，賽靈思中央工程部芯片技術(shù)副總裁吳欣告訴記者，除了繼續(xù)通過(guò)晶體管微縮來(lái)提高密度之外，異構(gòu)集成(Heterogeneous Integration，HI)也被認(rèn)為是增強(qiáng)功能及降低成本的可行方法，是延續(xù)摩爾定律的新路徑。

研發(fā)成本越來(lái)越高

芯片行業(yè)是典型的人才密集和資金密集型高風(fēng)險(xiǎn)產(chǎn)業(yè)，如果沒(méi)有大量用戶(hù)攤薄費(fèi)用，芯片成本將直線(xiàn)上升。華為曾向媒體透露7nm的麒麟980研發(fā)費(fèi)用遠(yuǎn)超業(yè)界預(yù)估的5億美元，紫光展銳的一名工作人員則對(duì)記者表示，（5G Modem）研發(fā)費(fèi)用在上億美元，光流片就特別費(fèi)錢(qián)，還有團(tuán)隊(duì)的持續(xù)投入，累計(jì)參與項(xiàng)目的工程師有上千人。

一方面，制造成本不斷攀升。吳欣指出，由于使用多次曝光（multi-patterning），從20nm開(kāi)始，芯片制造成本便上升很快?！氨緛?lái)一次曝光，現(xiàn)在兩次：本來(lái)一個(gè)機(jī)臺(tái)一天做4000片wafer（晶圓），現(xiàn)在兩次曝光只能做2000片了。一片晶圓從頭到尾大概需要幾十步的光刻過(guò)程，假如光刻占設(shè)備成本的一半，有一半都需要兩次曝光，成本就增加了25%?！?/p>

作為芯片制造業(yè)中最核心的設(shè)備，光刻機(jī)也越來(lái)越昂貴?！罢麄€(gè)業(yè)界花了二三十年的時(shí)間把EUV（極紫外光）做出來(lái)，今后幾代光刻都會(huì)使用EUV。一臺(tái)EUV光刻機(jī)就可能需要2億美金。臺(tái)積電、英特爾的新工藝生產(chǎn)線(xiàn)都需要十幾臺(tái)這樣的設(shè)備。”吳欣告訴記者。

越來(lái)越高的費(fèi)用也讓晶圓代工廠望而卻步。格芯（GlobalFoundries）去年8月正式對(duì)外宣布放棄7nm和更先進(jìn)制程的研發(fā)，并調(diào)整相應(yīng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)來(lái)支持強(qiáng)化的產(chǎn)品組合方案。此前，臺(tái)聯(lián)電也宣布放棄12nm先進(jìn)制程的投資。

據(jù)預(yù)測(cè)，未來(lái)5年有能力投入先進(jìn)制程的晶圓代工廠只有臺(tái)積電、三星和英特爾，在激烈競(jìng)爭(zhēng)之下，一定會(huì)讓定價(jià)壓力會(huì)一路延燒。

另一方面，設(shè)計(jì)成本也不斷上漲，每一代至少增加30~50%的設(shè)計(jì)成本，主要是“人頭費(fèi)”。吳欣表示，對(duì)于芯片設(shè)計(jì)而言，此前迭代無(wú)需考慮新的工藝問(wèn)題，“只需了解65nm比90nm小多少，可以直接把90nm上的設(shè)計(jì)拿到65nm工藝上，重新設(shè)計(jì)一下馬上就能做，整個(gè)過(guò)程半年、一年就完成了。但現(xiàn)在7nm和16nm有很多不一樣的地方，不能把16nm的設(shè)計(jì)直接放到7nm上，從架構(gòu)到設(shè)計(jì)到后端都要做很多改變。”

由于芯片設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜，設(shè)計(jì)的周期和人數(shù)都要增加?！斑^(guò)去設(shè)計(jì)一年現(xiàn)在需要兩年；過(guò)去1000人一年，現(xiàn)在2000人兩年，變成四倍了。”對(duì)于絕大多數(shù)芯片制作廠商而言，這無(wú)疑是一個(gè)非常大的負(fù)擔(dān)。

因此，對(duì)于一些超大數(shù)據(jù)企業(yè)紛紛自己造芯的現(xiàn)象，吳欣指出，“這些芯片本身不一定賺錢(qián)，但谷歌、百度、阿里巴巴這些數(shù)據(jù)公司會(huì)想做自己的芯片是因?yàn)檫@會(huì)讓企業(yè)自己的搜索引擎等業(yè)務(wù)更有效率，在系統(tǒng)層面上能夠享受到好處?！?/p>

但是對(duì)于創(chuàng)業(yè)企業(yè)而言，資本、人才和客戶(hù)都存在問(wèn)題，“即使大如谷歌，做TPU的團(tuán)隊(duì)也并不大，遠(yuǎn)不夠設(shè)計(jì)芯片并維持芯片迭代，需要外包給芯片公司，其他的創(chuàng)業(yè)公司又有多少錢(qián)和人？”

異構(gòu)集成成為新潮流

在芯片設(shè)計(jì)和制造成本越來(lái)越高的情況下，異構(gòu)集成作為先進(jìn)封裝技術(shù)越來(lái)越受關(guān)注，被認(rèn)為是增加芯片功能，及降低成本的可行方法，也被視為延續(xù)摩爾定律的新路徑。

異構(gòu)集成主要指將多個(gè)單獨(dú)制造的部件封裝到一個(gè)芯片上，以增強(qiáng)功能性和提高工作性能，可以對(duì)采用不同工藝、不同功能、不同制造商制造的組件進(jìn)行封裝。通過(guò)這一技術(shù)，工程師可以像搭積木一樣，在芯片庫(kù)里將不同工藝的小芯片組裝在一起。

吳欣舉例稱(chēng)，“我們做第一顆異構(gòu)集成芯片是V2000T。如果當(dāng)時(shí)不用異構(gòu)集成的話(huà)，芯片要大很多。這么大的芯片良率太低，一片12寸的晶圓在當(dāng)時(shí)只能出兩個(gè)通過(guò)良品測(cè)試的芯片。“

他解釋稱(chēng)，良率和面積并不是線(xiàn)性關(guān)系，而是呈指數(shù)關(guān)系，“如果把這顆原本很大的芯片切分成四塊，每片晶圓能有100個(gè)通過(guò)良品測(cè)試的裸晶片，再把每四個(gè)組成一顆完整的芯片，就可以有25顆芯片。考慮到額外的一些損失，即使損失一半也還剩12顆；對(duì)客戶(hù)來(lái)說(shuō)，也不需要花6倍的價(jià)錢(qián)去買(mǎi)?！?/p>

以賽靈思的FPGA產(chǎn)品為例，吳欣告訴記者，通過(guò)采用異構(gòu)集成技術(shù)，最近幾代FPGA容納的最大邏輯單元數(shù)量比起僅靠摩爾定律增加了70%甚至一倍以上。

不過(guò)，異構(gòu)集成在延續(xù)摩爾定律的同時(shí)也面臨可靠性、散熱、測(cè)試難度等多方面的挑戰(zhàn)。

更復(fù)雜的封裝技術(shù)意味著測(cè)試也更難。常規(guī)的芯片測(cè)試中，一個(gè)芯片測(cè)試后進(jìn)行封裝再進(jìn)行整體測(cè)試。而系統(tǒng)化封裝中，對(duì)每個(gè)小芯片的性能測(cè)試以及整體系統(tǒng)的測(cè)試無(wú)疑讓芯片測(cè)試變得更加復(fù)雜。

吳欣指出，異構(gòu)集成并不簡(jiǎn)單，要讓集成的芯片和單片芯片具有一樣的可靠性需要很多工作。

同時(shí)，他強(qiáng)調(diào)，異構(gòu)集成時(shí)代更看重終端應(yīng)用場(chǎng)景，而不是功能越強(qiáng)越好，“以前摩爾定律的黃金時(shí)代，芯片工藝從90nm到65nm到40nm，不用想，40nm肯定比65nm要好。 但是異構(gòu)集成不是這樣，能力越強(qiáng)成本也越高，并不存在哪種技術(shù)一定更好，而是說(shuō)你的產(chǎn)品最適合哪個(gè)就去選哪個(gè)?！?/p>

據(jù)鞍山日?qǐng)?bào)報(bào)道，近日，總投資60億元的中科北方芯片基底材料項(xiàng)目已經(jīng)奠基開(kāi)工。此外，中科北方鞍山項(xiàng)目指揮部和遼寧科興半導(dǎo)體科技有限公司也已經(jīng)揭牌，吹響了中科北方全面進(jìn)軍鞍山的號(hào)角。

鞍山日?qǐng)?bào)指出，這是20多年來(lái)，在鞍山高新區(qū)落地投資規(guī)模最大、采用水平最高、技術(shù)創(chuàng)新能力最強(qiáng)的一個(gè)高新技術(shù)項(xiàng)目。

資料顯示，中科北方投資發(fā)展有限公司此前在鞍山高新區(qū)注冊(cè)了遼寧科興半導(dǎo)體科技有限公司，注冊(cè)資本30億元，擬建設(shè)芯片基底材料（SOI）基地項(xiàng)目。

據(jù)了解，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資60億元，征地9.4萬(wàn)平方米。建設(shè)年產(chǎn)12寸芯片基底材料(SOI)100萬(wàn)片，預(yù)計(jì)年銷(xiāo)售收入60億元。項(xiàng)目分兩期建設(shè)，項(xiàng)目一期投資30億元，建設(shè)年產(chǎn)12寸芯片基底材料（SOI）50萬(wàn)片。建筑面積3.5萬(wàn)平方米，其中潔凈廠房3000平方米、研發(fā)辦公樓5000平方米。

日前，華為旗下哈勃投資入股山東天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導(dǎo)體材料再次走入大眾視野，引起業(yè)界重點(diǎn)關(guān)注。

事實(shí)上，隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷進(jìn)步，對(duì)半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來(lái)越高，傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體材料逐漸無(wú)法滿(mǎn)足性能需求，碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料憑借著優(yōu)異的性能，早已成為當(dāng)前世界各國(guó)競(jìng)相布局的焦點(diǎn)，我國(guó)在加速發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)的同時(shí)，把發(fā)展第三代半導(dǎo)體技術(shù)列入國(guó)家戰(zhàn)略。

如今5G時(shí)代到來(lái)，將推動(dòng)半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)革命性變化。其中，氮化鎵器件以高性能特點(diǎn)廣泛應(yīng)用于通信、國(guó)防等領(lǐng)域，其市場(chǎng)需求有望在5G時(shí)代迎來(lái)爆發(fā)式增長(zhǎng)。風(fēng)口來(lái)臨，我國(guó)目前有哪些企業(yè)在布局？下面將從襯底、外延片、制造及IDM幾大分類(lèi)盤(pán)點(diǎn)國(guó)內(nèi)氮化鎵主要企業(yè)。

GaN襯底企業(yè)

· 東莞市中稼半導(dǎo)體科技有限公司

東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司成立于2009年1月，總部設(shè)于廣東東莞，總注冊(cè)資本為1.3億元人民幣，總部設(shè)立廠房辦公區(qū)等共17000多平方米，并在北京有大型研發(fā)中心，為中國(guó)國(guó)內(nèi)一家專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)氮化鎵襯底材料的企業(yè)。

官網(wǎng)顯示，中鎵半導(dǎo)體已建成國(guó)內(nèi)首家專(zhuān)業(yè)的氮化鎵襯底材料生產(chǎn)線(xiàn)，制備出厚度達(dá)1100微米的自支撐GaN襯底，并能夠穩(wěn)定生產(chǎn)。2018年2月，中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)4英寸GaN自支撐襯底的試量產(chǎn)。

·?東莞市中晶半導(dǎo)體科技有限公司

東莞市中晶半導(dǎo)體科技有限公司成立于2010年，是廣東光大企業(yè)集團(tuán)在半導(dǎo)體領(lǐng)域繼中鎵半導(dǎo)體、中圖半導(dǎo)體后布局的第三個(gè)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。

中晶半導(dǎo)體主要以HVPE設(shè)備等系列精密半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)為支撐，以GaN襯底為基礎(chǔ)，重點(diǎn)發(fā)展Mini/MicroLED外延、芯片技術(shù)，并向新型顯示模組方向延展；同時(shí)，中晶半導(dǎo)體將以GaN襯底材料技術(shù)為基礎(chǔ)，孵化VCSEL、電力電子器件、化合物半導(dǎo)體射頻器件、車(chē)燈封裝模組、激光器封裝模組等國(guó)際前沿技術(shù)，并進(jìn)行全球產(chǎn)業(yè)布局。

·?蘇州納維科技有限公司

蘇州納維科技有限公司成立于2007年，致力于氮化鎵單晶襯底的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，實(shí)現(xiàn)了2英寸氮化鎵單晶襯底的生產(chǎn)、完成了4英寸產(chǎn)品的工程化技術(shù)開(kāi)發(fā)、突破了6英寸的關(guān)鍵技術(shù)，現(xiàn)在是國(guó)際上少數(shù)幾家能夠批量提供2英寸氮化鎵單晶產(chǎn)品的單位之一。

據(jù)官網(wǎng)介紹，目前納維科技GaN單晶襯底產(chǎn)品已提供給300余家客戶(hù)使用，正在提升產(chǎn)能向企業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)發(fā)展，重點(diǎn)突破方向是藍(lán)綠光半導(dǎo)體激光器、高功率電力電子器件、高可靠性高功率微波器件等重大領(lǐng)域。

·?鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司

鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司成立于2015年4月，主要從事大尺寸的高質(zhì)量、低成本氮化鎵襯底的生長(zhǎng)，以推動(dòng)諸多半導(dǎo)體企業(yè)能夠以合理價(jià)來(lái)購(gòu)買(mǎi)并使用氮化鎵襯底。鎵特半導(dǎo)體已自主研發(fā)出HVPE設(shè)備，并用以生長(zhǎng)高質(zhì)量的氮化鎵襯底。

官網(wǎng)顯示，借助自主研發(fā)的HVPE設(shè)備，鎵特半導(dǎo)體已成功生長(zhǎng)出4英寸的自支撐氮化鎵襯底。鎵特半導(dǎo)體表示，未來(lái)幾年內(nèi)將建成全球最大的氮化鎵襯底生長(zhǎng)基地，以此進(jìn)一步推廣氮化鎵襯底在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)上的廣泛應(yīng)用，并將依托自支撐GaN襯底進(jìn)行中下游的高端LED、電力電子及其他器件的研發(fā)和制造。

GaN外延片企業(yè)

·?蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司

蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司成立于2012年3月，致力于氮化鎵（GaN）外延材料的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。2013年8月，晶湛半導(dǎo)體開(kāi)始在蘇州納米城建設(shè)GaN外延材料生產(chǎn)線(xiàn)，可年產(chǎn)150mm氮化鎵外延片2萬(wàn)片；2014年底，晶湛半導(dǎo)體發(fā)布其商品化8英寸硅基氮化鎵外延片產(chǎn)品。

官網(wǎng)介紹稱(chēng)，截至目前，晶湛半導(dǎo)體已完成B輪融資用于擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月產(chǎn)能達(dá)1萬(wàn)片。晶湛半導(dǎo)體現(xiàn)已擁有全球超過(guò)150家的著名半導(dǎo)體公司、研究院所客戶(hù)。

·?聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司

聚能晶源（青島）半導(dǎo)體材料有限公司成立于2018年6月，專(zhuān)注于電力電子應(yīng)用的外延材料增長(zhǎng)。針對(duì)外延材料市場(chǎng)，聚能晶源正在開(kāi)發(fā)硅基氮化鎵材料生長(zhǎng)技術(shù)并銷(xiāo)售硅基氮化鎵外延材料作為產(chǎn)品。

2018年12月，聚能晶源成功研制了達(dá)到全球業(yè)界領(lǐng)先水平的8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延晶圓。該型外延晶圓在實(shí)現(xiàn)了650V/700V高耐壓能力的同時(shí)，保持了外延材料的高晶體質(zhì)量、高均勻性與高可靠性，可以完全滿(mǎn)足產(chǎn)業(yè)界中高壓功率電子器件的應(yīng)用需求。

·?北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司

北京世紀(jì)金光半導(dǎo)體有限公司成立于2010年12月，經(jīng)過(guò)多年發(fā)展，世紀(jì)金光已成為集半導(dǎo)體單晶材料、外延、器件、模塊的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)與銷(xiāo)售于一體的、貫通第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)。

在碳化硅領(lǐng)域，世紀(jì)金光已實(shí)現(xiàn)碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈貫通，氮化鎵方面，官網(wǎng)顯示其目前則以氮化鎵基外延片為主。

·?聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司

聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司成立于2018年9月，是重慶捷舜科技有限公司在大足區(qū)設(shè)立的公司。2018年9月，重慶大足區(qū)政府與重慶捷舜科技有限公司簽約，擬在重慶建設(shè)“聚力成外延片和芯片產(chǎn)線(xiàn)項(xiàng)目”。

2018年11月，聚力成半導(dǎo)體（重慶）有限公司舉行奠基儀式，項(xiàng)目正式開(kāi)工。該項(xiàng)目占地500畝，計(jì)劃投資50億元，將在大足高新區(qū)建設(shè)集氮化鎵外延片、氮化鎵芯片的研發(fā)與生產(chǎn)、封裝測(cè)試、產(chǎn)品設(shè)計(jì)應(yīng)用為一體的全產(chǎn)業(yè)鏈基地。2019年6月5日，該項(xiàng)目一期廠房正式啟用，預(yù)計(jì)將于今年10月開(kāi)始外延片的量產(chǎn)。

GaN制造企業(yè)

·?成都海威華芯科技有限公司

成都海威華芯科技有限公司成立于2010年，是國(guó)內(nèi)首家提供6英寸砷化鎵/氮化鎵微波集成電路的純晶圓代工企業(yè)。據(jù)了解，海威華芯由海特高新和央企中電科29所合資組建，2015年1月，海特高新以5.55億元收購(gòu)海威華芯原股東股權(quán)，并以增資的方式取得海威華芯52.91%的股權(quán)成為其控股股東，從而涉足高端化合物半導(dǎo)體集成電路芯片研制領(lǐng)域。

海威華芯6英寸第二代/第三代半導(dǎo)體集成電路芯片生產(chǎn)線(xiàn)已于2016年8月投入試生產(chǎn)。官網(wǎng)顯示，海威華芯已開(kāi)發(fā)了5G中頻段小于6GHz的基站用氮化鎵代工工藝、手機(jī)用砷化鎵代工工藝，發(fā)布了毫米波頻段用0.15um砷化鎵工藝。砷化鎵VCSEL激光器工藝、電力電子用硅基氮化鎵制造工藝在2019年也取得了較大的進(jìn)展。

·?廈門(mén)市三安集成電路有限公司

廈門(mén)市三安集成電路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光電下屬子公司，基于氮化鎵和砷化鎵技術(shù)經(jīng)營(yíng)業(yè)務(wù)，是一家專(zhuān)門(mén)從事化合物半導(dǎo)體制造的代工廠，服務(wù)于射頻、毫米波、功率電子和光學(xué)市場(chǎng)，具備襯底材料、外延生長(zhǎng)以及芯片制造的產(chǎn)業(yè)整合能力。

三安集成項(xiàng)目總規(guī)劃用地281 畝，總投資額30億元，規(guī)劃產(chǎn)能為30萬(wàn)片/年GaAs高速半導(dǎo)體外延片、30萬(wàn)片/年GaAs高速半導(dǎo)體芯片、6萬(wàn)片/年GaN高功率半導(dǎo)體外延片、6萬(wàn)片/年GaN高功率半導(dǎo)體芯片。官網(wǎng)顯示，三安集成在微波射頻領(lǐng)域已建成專(zhuān)業(yè)化、規(guī)?；?英寸、6英寸化合物晶圓制造產(chǎn)線(xiàn)，在電子電路領(lǐng)域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二極管及硅基氮化鎵功率器件。

·?華潤(rùn)微電子有限公司

華潤(rùn)微電子有限公司是華潤(rùn)集團(tuán)旗下負(fù)責(zé)微電子業(yè)務(wù)投資、發(fā)展和經(jīng)營(yíng)管理的企業(yè)，亦是中國(guó)本土具有重要影響力的綜合性微電子企業(yè)，其聚焦于模擬與功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域，業(yè)務(wù)包括集成電路設(shè)計(jì)、掩模制造、晶圓制造、封裝測(cè)試及分立器件，目前擁有6-8英寸晶圓生產(chǎn)線(xiàn)5條、封裝生產(chǎn)線(xiàn)2條、掩模生產(chǎn)線(xiàn)1條、設(shè)計(jì)公司3家，為國(guó)內(nèi)擁有完整半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)。

2017年12月，華潤(rùn)微電子完成對(duì)中航（重慶）微電子有限公司（后更名為“華潤(rùn)微電子（重慶）有限公司”）的收購(gòu)，重慶華潤(rùn)微電子采用8英寸0.18微米工藝技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)，并在主生產(chǎn)線(xiàn)外建有獨(dú)立的MEMS和化合物半導(dǎo)體工藝線(xiàn)，具備氮化鎵功率器件規(guī)?；a(chǎn)制造能力。

·?杭州士蘭微電子股份有限公司

杭州士蘭微電子股份有限公司成立于成立于1997年，專(zhuān)業(yè)從事集成電路芯片設(shè)計(jì)以及半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品制造，2001年開(kāi)始在杭州建了第一條5英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)，現(xiàn)已成為國(guó)內(nèi)集成電路芯片設(shè)計(jì)與制造一體（IDM）企業(yè)。

近年來(lái)，士蘭微逐步布局第三代化合物功率半導(dǎo)體。2017年，士蘭微打通一條6英寸的硅基氮化鎵功率器件中試線(xiàn)。2018年10月，士蘭微廈門(mén)12英寸芯片生產(chǎn)線(xiàn)暨先進(jìn)化合物半導(dǎo)體生產(chǎn)線(xiàn)開(kāi)工，其中4/6英寸兼容先進(jìn)化合物半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線(xiàn)總投資50億元，定位為第三代功率半導(dǎo)體、光通訊器件、高端LED芯片等。

GaN IDM企業(yè)

·?蘇州能訊高能半導(dǎo)體公司

蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司成立于2011年，致力于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵電子器件技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化，為5G移動(dòng)通訊、寬頻帶通信等射頻微波領(lǐng)域和工業(yè)控制、電源、電動(dòng)汽車(chē)等電力電子領(lǐng)域等兩大領(lǐng)域提供高效率的半導(dǎo)體產(chǎn)品與服務(wù)。

能訊半導(dǎo)體采用整合設(shè)計(jì)與制造（IDM）的模式，自主開(kāi)發(fā)了氮化鎵材料生長(zhǎng)、芯片設(shè)計(jì)、晶圓工藝、封裝測(cè)試、可靠性與應(yīng)用電路技術(shù)，目前公司擁有專(zhuān)利256項(xiàng)。該公司在江蘇建有一座氮化鎵（GaN）電子器件工廠，廠區(qū)占地55畝，累計(jì)投資10億元。

·?江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司

江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司成立于2010年6月，是由國(guó)家千人計(jì)劃專(zhuān)家朱廷剛博士領(lǐng)銜的、由留美留澳留日歸國(guó)團(tuán)隊(duì)創(chuàng)辦的一家專(zhuān)業(yè)設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)、制造和銷(xiāo)售以氮化鎵為代表的復(fù)合半導(dǎo)體高性能晶圓、以及用其做成的功率器件、芯片和模塊的高科技公司。

能華微電子先后承擔(dān)了國(guó)家電子信息產(chǎn)業(yè)振興和技術(shù)改造專(zhuān)項(xiàng)的大功率GaN功率電子器件及其材料的產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃戰(zhàn)略性先進(jìn)電子材料重點(diǎn)專(zhuān)項(xiàng)的GaN基新型電力電子器件關(guān)鍵技術(shù)項(xiàng)目等。2017年，能華微電子建成8英寸氮化鎵芯片生產(chǎn)線(xiàn)并正式啟用。

·?英諾賽科（珠海）科技有限公司

英諾賽科（珠海）科技有限公司成立于2015年12月，該公司采用IDM 全產(chǎn)業(yè)鏈模式，致力于打造一個(gè)集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生長(zhǎng)、芯片制造、測(cè)試與失效分析為一體的第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)平臺(tái)。2017年11月，英諾賽科的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)通線(xiàn)投產(chǎn)，成為國(guó)內(nèi)首條實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的8英寸硅基氮化鎵生產(chǎn)線(xiàn)，主要產(chǎn)品包括30V-650V氮化鎵功率與5G射頻器件。

2018年6月，總投資60億元的英諾賽科蘇州半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目開(kāi)工，今年8月30日項(xiàng)目主廠房封頂，預(yù)計(jì)12月底生產(chǎn)設(shè)備正式進(jìn)廠，2020年可實(shí)現(xiàn)規(guī)模化量產(chǎn)。該項(xiàng)目聚焦在氮化鎵和碳化硅等核心產(chǎn)品，將打造將成為集研發(fā)、設(shè)計(jì)、外延生產(chǎn)、芯片制造、分裝測(cè)試等于一體的第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈研發(fā)生產(chǎn)平臺(tái)。

·?大連芯冠科技有限公司

大連芯冠科技有限公司成立于2016年3月，該公司采用整合設(shè)計(jì)與制造（IDM）的商業(yè)模式，主要從事第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延材料及電力電子器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售，產(chǎn)品應(yīng)用于電源管理、太陽(yáng)能逆變器、電動(dòng)汽車(chē)及工業(yè)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。

官網(wǎng)介紹稱(chēng)，芯冠科技已建成首條6英寸硅基氮化鎵外延及功率器件晶圓生產(chǎn)線(xiàn)。2019年3月，芯冠科技在國(guó)內(nèi)率先推出符合產(chǎn)業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)的650伏硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)品（通過(guò)1000小時(shí)HTRB可靠性測(cè)試），并正式投放市場(chǎng)。

·?江蘇華功半導(dǎo)體有限公司

江蘇華功半導(dǎo)體有限公司成立于2016年5月，注冊(cè)資本為2億元人民幣，一期投入10億元人民幣。官網(wǎng)介紹稱(chēng)，目前公司已全面掌握大尺寸Si襯底高電導(dǎo)、高耐壓、高穩(wěn)定性的GaN外延技術(shù)并掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的增強(qiáng)型功率電子器件制造技術(shù)。

根據(jù)官網(wǎng)顯示，華功半導(dǎo)體可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率電子器件用外延片產(chǎn)品，并基于華功自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)的GaN-on-Si外延技術(shù)設(shè)計(jì)和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。

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