鼎龍股份CMP拋光墊項(xiàng)目引入戰(zhàn)投 將分拆子公司赴科創(chuàng)板上市

鼎龍股份CMP拋光墊項(xiàng)目引入戰(zhàn)投 將分拆子公司赴科創(chuàng)板上市

日前,材料廠商鼎龍股份發(fā)布公告,旗下全資子公司湖北鼎匯微電子材料有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鼎匯微電子”)擬通過增資擴(kuò)股引入戰(zhàn)略投資者——湖北省高新產(chǎn)業(yè)投資集團(tuán)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“湖北高投集團(tuán)”)。

公告顯示,為深化鼎匯微電子CMP拋光墊項(xiàng)目的下游市場(chǎng)拓展需求及未來業(yè)務(wù)發(fā)展需求,提升公司CMP 拋光墊產(chǎn)品的品牌影響力及拓寬項(xiàng)目融資渠道,鼎匯微電子擬引入國(guó)有大型投資公司資本,以增資擴(kuò)股的方式引入戰(zhàn)略股東湖北高投集團(tuán)。

湖北高投集團(tuán)以鼎匯微電子投資前估值7.5億元的價(jià)格向其增資3000萬元,其中400萬元計(jì)入鼎匯微電子注冊(cè)資本,余下2600萬元計(jì)入鼎匯微電子資本公積。本次增資完成后,湖北高投集團(tuán)持有鼎匯微電子3.85%的股份比例,鼎匯微電子注冊(cè)資本共計(jì)增加400萬元。

公告介紹稱,鼎匯微電子是鼎龍股份利用首發(fā)超募資金于2015年12月投資設(shè)立,投入首發(fā)超募資金1億元用于實(shí)施集成電路芯片拋光工藝材料的產(chǎn)業(yè)化一期項(xiàng)目。2017年7月,鼎龍股份再投入7600萬元募集資金,繼續(xù)由鼎匯微電子實(shí)施“集成電路芯片(IC)拋光工藝材料的產(chǎn)業(yè)化二期項(xiàng)目”。

截至2018 年12月,用于上述項(xiàng)目的首發(fā)超募資金及非公開募集資金已經(jīng)全部使用完畢,集成電路芯片一二期項(xiàng)目已經(jīng)建設(shè)完成并投產(chǎn)使用。公告顯示,鼎匯微電子2018年?duì)I業(yè)收入為16.57萬元,凈利潤(rùn)為-471.78萬元;2019年第一季度營(yíng)業(yè)收入為41.56萬元,凈利潤(rùn)為-281.62萬元。

這次的戰(zhàn)略投資方——湖北高投集團(tuán)成立于2005年,注冊(cè)資本7.2億元,總資產(chǎn)80多億元。該公司是經(jīng)湖北省政府同意,由湖北省科技廳聯(lián)合襄陽、宜昌、黃石、鄂州葛店四個(gè)高新區(qū)共同發(fā)起成立,目前湖北省國(guó)資委持有其58.33%股份。

據(jù)官網(wǎng)介紹,湖北高投集團(tuán)先后累計(jì)組建了50多支不同定位的股權(quán)投資基金,累計(jì)投資支持了近300多家創(chuàng)業(yè)企業(yè),已投項(xiàng)目中有20多家企業(yè)通過IPO、借殼及并購等方式成功上市,40多家企業(yè)完成新三板掛牌。

值得一提的是,此次湖北高投集團(tuán)投資鼎匯微電子也有意推動(dòng)又一家企業(yè)IPO。雙方簽署的協(xié)議核心條款之一顯示,若鼎匯微電子未能在2022年12月31日之前申報(bào)科創(chuàng)板的材料,并獲得上交所的受理,湖北高投集團(tuán)將有權(quán)要求原股東鼎龍股份進(jìn)行股份回購。

核心條款還指出,若鼎匯微電子發(fā)生重大環(huán)保事故或安全生產(chǎn)事故,嚴(yán)重影響公司生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)或成為公司IPO實(shí)質(zhì)性障礙的;或鼎匯微電子、鼎龍股份因違反法律法規(guī)而遭受重大行政處罰或刑事處罰,以致鼎匯微電子IPO目的無法實(shí)現(xiàn)或使甲方的利益遭受重大損失的,湖北高投集團(tuán)也有權(quán)要求原股東鼎龍股份進(jìn)行股份回購。

可見,推動(dòng)鼎匯微電子在科創(chuàng)板上市,是湖北高投集團(tuán)與鼎龍股份此番達(dá)投資成協(xié)議的重要目標(biāo)。

鼎龍股份表示,此次交易旨在進(jìn)一步調(diào)整鼎匯微電子的股權(quán)結(jié)構(gòu),深化CMP拋光墊項(xiàng)目的下游市場(chǎng)拓展需求及未來業(yè)務(wù)發(fā)展需求,提升公司拋光墊產(chǎn)品的品牌影響力及拓寬項(xiàng)目融資渠道。本次股份增資后,鼎匯微電子將獲得融資資金保障項(xiàng)目后續(xù)需求,將進(jìn)一步充實(shí)其現(xiàn)金儲(chǔ)備,為后續(xù)重點(diǎn)研發(fā)及市場(chǎng)拓展工作提供資金保障。

據(jù)了解,CMP即化學(xué)機(jī)械拋光(Chemical-MechanicalPlanarization),是在晶圓制造過程中使用化學(xué)及機(jī)械力對(duì)晶圓進(jìn)行平坦化處理的過程。相關(guān)數(shù)據(jù)顯示,CMP材料在半導(dǎo)體材料中整體占比高達(dá)7%,其中拋光墊在CMP材料中的價(jià)值量占比約60%。目前為止,我國(guó)集成電路制造環(huán)節(jié)所使用的CMP拋光墊幾乎100%依賴進(jìn)口,國(guó)產(chǎn)化勢(shì)在必行。

鼎龍股份于2015年投資設(shè)立鼎匯微電子并正式啟動(dòng)CMP產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目,據(jù)其2018年年報(bào)顯示,其CMP拋光墊已經(jīng)實(shí)現(xiàn)銷售,并獲得了多家主流客戶的認(rèn)證和訂單。

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工信部副部長(zhǎng)談中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展

工信部副部長(zhǎng)談中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展

近日,國(guó)家工信部副部長(zhǎng)王志軍在接受媒體采訪時(shí)談及中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展時(shí)表示,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)自2012年以來,以年均20%以上的速度快速增長(zhǎng),2018年全行業(yè)銷售額6532億元,技術(shù)水平也不斷提高。

當(dāng)前,我國(guó)芯片設(shè)計(jì)水平提升3代以上,海思麒麟980手機(jī)芯片采用了全球最先進(jìn)的7納米工藝;制造工藝提升了1.5代,32/28納米工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn),16/14納米工藝進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段;存儲(chǔ)芯片進(jìn)行了初步布局,64層3D NAND閃存芯片預(yù)計(jì)今年下半年量產(chǎn);先進(jìn)封裝測(cè)試規(guī)模在封測(cè)業(yè)中占比達(dá)到約30%;刻蝕機(jī)等高端裝備和靶材等關(guān)鍵材料取得突破。

不過,王志軍也表示,與國(guó)際先進(jìn)水平相比,我國(guó)集成電路的總體設(shè)計(jì)、制造、檢測(cè)及相關(guān)設(shè)備、原材料生產(chǎn)還有相當(dāng)?shù)牟罹唷?/p>

王志軍指出,下一步,我國(guó)將更大范圍更深層次地融入全球集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系。堅(jiān)持開放創(chuàng)新合作發(fā)展,推進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)開放式創(chuàng)新發(fā)展。堅(jiān)持優(yōu)化環(huán)境、機(jī)遇共享,對(duì)內(nèi)外資一視同仁,加強(qiáng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù),與全球集成電路產(chǎn)業(yè)界共同分享中國(guó)市場(chǎng)帶來的發(fā)展機(jī)遇。

加快突破芯片核心關(guān)鍵技術(shù),上海發(fā)布重磅利好措施

加快突破芯片核心關(guān)鍵技術(shù),上海發(fā)布重磅利好措施

5月13日,上海市人民政府官網(wǎng)發(fā)布消息稱,為進(jìn)一步提升集成電路領(lǐng)域科技創(chuàng)新能力,加快突破集成電路領(lǐng)域核心關(guān)鍵技術(shù),上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)特發(fā)布2019年度“科技創(chuàng)新行動(dòng)計(jì)劃”集成電路領(lǐng)域項(xiàng)目指南。

該指南征集范圍包含關(guān)鍵核心產(chǎn)品技術(shù)攻關(guān)與前瞻和共性技術(shù)研究?jī)纱髮n}。

關(guān)鍵核心產(chǎn)品技術(shù)攻關(guān)分為三個(gè)方向:

方向1.集成電路制造裝備、材料及零部件

研究目標(biāo):研制具有國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力的重大集成電路裝備及關(guān)鍵零部件產(chǎn)品,突破和掌握集成電路制造高端裝備系統(tǒng)設(shè)計(jì)、集成和應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù),持續(xù)提升集成電路高端裝備的零部件配套能力。

研究?jī)?nèi)容:(1)集成電路高端裝備用關(guān)鍵零部件研發(fā)、驗(yàn)證與應(yīng)用。(2)面向集成電路領(lǐng)域激光隱性切割技術(shù)研究與工藝驗(yàn)證。(3)硅片晶圓標(biāo)識(shí)技術(shù)研究與驗(yàn)證(4)高能離子注入機(jī)關(guān)鍵技術(shù)研究與樣機(jī)驗(yàn)證。(5)10nm銅化學(xué)機(jī)械拋光液及14nm大馬士革工藝光刻膠去除劑研發(fā)。

方向2.集成電路制造關(guān)鍵技術(shù)

研究目標(biāo):突破集成電路制造工藝模塊開發(fā)和工藝整合關(guān)鍵瓶頸,掌握具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的工藝技術(shù),支撐先進(jìn)工藝生產(chǎn)線建設(shè)和量產(chǎn)能力提升。

研究?jī)?nèi)容:大面陣、高動(dòng)態(tài)CMOS圖像傳感器工藝研發(fā)提升。

方向3.核心芯片器件、模塊及其應(yīng)用

研究目標(biāo):與汽車等優(yōu)勢(shì)產(chǎn)業(yè)和應(yīng)用需求緊密結(jié)合,持續(xù)推動(dòng)核心產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)鏈上下協(xié)同創(chuàng)新,突破芯片、模塊自主設(shè)計(jì)、制造和應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)。

研究?jī)?nèi)容:(1)750V/250A以上功率等級(jí)IGBT芯片、模塊開發(fā)及新能源汽車示范應(yīng)用。(2)高能氫注入溝槽場(chǎng)中止IGBT工藝開發(fā)。(3)碳化硅功率器件、光導(dǎo)開關(guān)器件研發(fā)和應(yīng)用。(4)車規(guī)級(jí)集成電路芯片及相應(yīng)傳感器、控制器研發(fā)并小批量試裝驗(yàn)證。(5)面向第四代PCIe通訊的超高速時(shí)序整合芯片研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。(6)汽車級(jí)EEPROM研發(fā)與應(yīng)用。

前瞻和共性技術(shù)研究專題,分為兩個(gè)方向:

方向1.集成電路前沿理論與技術(shù)

研究目標(biāo):面向高性能非易失存儲(chǔ)與低功耗計(jì)算的基礎(chǔ)問題,探索新材料、新結(jié)構(gòu)和新原理,實(shí)現(xiàn)超高速低功耗非易失存儲(chǔ)與計(jì)算,完成原型器件驗(yàn)證。

研究?jī)?nèi)容:研究非易失存儲(chǔ)中的載流子微觀輸運(yùn)機(jī)制,探索其在存算一體化和神經(jīng)形態(tài)計(jì)算等方面的應(yīng)用。

方向2.集成電路新器件、新工藝、新方法研究

研究目標(biāo):面向未來電子學(xué)對(duì)更多功能集成智能微系統(tǒng)芯片的重大需求,突破材料級(jí)、器件級(jí)、系統(tǒng)級(jí)一體化微納集成芯片技術(shù),為下一代智能集成微系統(tǒng)芯片提供支撐。

研究?jī)?nèi)容:三維異質(zhì)集成設(shè)計(jì)與制造關(guān)鍵技術(shù)研究及芯片驗(yàn)證。

先進(jìn)封裝強(qiáng)勢(shì)崛起,影響IC產(chǎn)業(yè)格局

先進(jìn)封裝強(qiáng)勢(shì)崛起,影響IC產(chǎn)業(yè)格局

摩爾定律的延伸受到物理極限、巨額資金投入等多重壓力,迫切需要?jiǎng)e開蹊徑延續(xù)工藝進(jìn)步。而通過先進(jìn)封裝集成技術(shù),可以更輕松地實(shí)現(xiàn)高密度集成、體積微型化和更低的成本。封裝行業(yè)將在集成電路整體系統(tǒng)整合中扮演更重要的角色,也將對(duì)產(chǎn)業(yè)的格局形成更多影響。隨著先進(jìn)封裝的推進(jìn),集成電路產(chǎn)業(yè)將展現(xiàn)出一些新的發(fā)展趨勢(shì),有先進(jìn)封裝的集成電路產(chǎn)業(yè)樣貎將會(huì)有所不同。

先進(jìn)封裝增速遠(yuǎn)超傳統(tǒng)封裝

當(dāng)前社會(huì)正處于新技術(shù)與新應(yīng)用全面爆發(fā)的背景下,移動(dòng)設(shè)備、大數(shù)據(jù)、人工智能、5G通信、高性能計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、智能工業(yè)等快速發(fā)展。這些技術(shù)與應(yīng)用必將對(duì)底層芯片技術(shù)產(chǎn)生新的需求。據(jù)麥姆斯咨詢的介紹,支持這些新興大趨勢(shì)的電子硬件需要高計(jì)算能力、高速度、更多帶寬、低延遲、低功耗、更多功能、更多內(nèi)存、系統(tǒng)級(jí)集成、更精密的傳感器,以及最重要的低成本。這些新興趨勢(shì)將為各種封裝平臺(tái)創(chuàng)造商機(jī),而先進(jìn)封裝技術(shù)是滿足各種性能要求和復(fù)雜異構(gòu)集成需求的理想選擇。

目前來看,扇出型封裝(FOWLP/)、系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)、3D封裝是最受關(guān)注的三種先進(jìn)封裝技術(shù)。扇出型封裝是晶圓級(jí)封裝中的一種,相對(duì)于傳統(tǒng)封裝具有不需要引線框、基板等介質(zhì)的特點(diǎn),因此可以實(shí)現(xiàn)更輕薄短小的封裝。根據(jù)IC Insight預(yù)計(jì),在未來數(shù)年之內(nèi),利用扇出型封裝技術(shù)生產(chǎn)的芯片,每年將以32%的增長(zhǎng)率持續(xù)擴(kuò)大,2023年扇出型封裝市場(chǎng)規(guī)模將超過55億美元。

系統(tǒng)級(jí)封裝可以將一個(gè)或多個(gè)IC芯片及被動(dòng)元件整合在一個(gè)模塊中,從而實(shí)現(xiàn)具有完整功能的電路集成,它也可以降低成本,縮短上市時(shí)間,同時(shí)克服了SoC中諸如工藝兼容、信號(hào)混合、噪聲干擾、電磁干擾等難題。

3D封裝通過晶圓級(jí)互連技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片間的高密度封裝,可以有效滿足高功能芯片超輕、超薄、高性能、低功耗及低成本的需求,被大多半導(dǎo)體廠商認(rèn)為是最具有潛力的封裝方法。

總之,在市場(chǎng)需求的帶動(dòng)下,越來越多先進(jìn)封裝技術(shù)被開發(fā)出來,先進(jìn)封裝的市場(chǎng)占比將會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大。統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示,從2017年到2023年,整個(gè)半導(dǎo)體封裝市場(chǎng)的營(yíng)收將以5.2%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng),而先進(jìn)封裝市場(chǎng)將以7%的年復(fù)合增長(zhǎng)率增長(zhǎng),市場(chǎng)規(guī)模到2023年將增長(zhǎng)至390億美元,傳統(tǒng)封裝市場(chǎng)的復(fù)合年增長(zhǎng)率則低于3.3%。

展現(xiàn)三大發(fā)展趨勢(shì)

隨著先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展以及市場(chǎng)規(guī)模的擴(kuò)大,其對(duì)于整個(gè)集成電路產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)將產(chǎn)生越來越大的影響。首先是中段工藝的出現(xiàn)并逐漸形成規(guī)模。隨著傳統(tǒng)封裝技術(shù)向先進(jìn)封裝過渡,有別于傳統(tǒng)封裝技術(shù)的凸塊(Bumping)、再布線(RDL)、硅通孔(TSV)等中段工藝被開發(fā)出來,并且開始發(fā)揮重要作用。中芯長(zhǎng)電半導(dǎo)體首席執(zhí)行官崔東表示,僅靠縮小線寬的辦法已經(jīng)無法同時(shí)滿足性能、功耗、面積,以及信號(hào)傳輸速度等多方面的要求,因此半導(dǎo)體企業(yè)開始把注意力放在系統(tǒng)集成層面來尋找解決方案,也就是通過先進(jìn)的硅片級(jí)封裝技術(shù),把不同工藝技術(shù)代的裸芯封裝在一個(gè)硅片級(jí)的系統(tǒng)里,兼顧性能、功耗和傳輸速度的要求。這就產(chǎn)生了在硅片級(jí)進(jìn)行芯片之間互聯(lián)的需要,進(jìn)而產(chǎn)生了凸塊、再布線、硅通孔等中段工藝。而中段硅片加工的出現(xiàn),也打破了前后段芯片加工的傳統(tǒng)分工方式。

其次,制造與封裝將形成新的競(jìng)合關(guān)系。由于先進(jìn)封裝帶來的中段工藝,封測(cè)業(yè)和晶圓制造業(yè)有了更緊密的聯(lián)系,在帶來發(fā)展機(jī)遇的同時(shí),也面臨著新的挑戰(zhàn)。中段封裝的崛起必然擠壓晶圓制造或者封裝測(cè)試業(yè)的份額。有跡象表明,部分晶圓廠已加大在中段封裝工藝上的布局。晶圓廠有著技術(shù)和資本的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì),將對(duì)封測(cè)廠形成較大的競(jìng)爭(zhēng)壓力。傳統(tǒng)封測(cè)廠較晶圓制造業(yè)相比屬于輕資產(chǎn),引入中段工藝后,設(shè)備資產(chǎn)比重較傳統(tǒng)封裝大大增加,封測(cè)業(yè)的先進(jìn)技術(shù)研發(fā)和擴(kuò)產(chǎn)將面臨較大的資金壓力。

最后,推動(dòng)集成電路整體實(shí)力的提升。后摩爾時(shí)代的集成電路產(chǎn)業(yè)更強(qiáng)調(diào)產(chǎn)業(yè)鏈的緊密合作,強(qiáng)化產(chǎn)業(yè)鏈上下游之間的內(nèi)在聯(lián)系,要求各個(gè)環(huán)節(jié)不再是割裂地單獨(dú)進(jìn)行生產(chǎn)加工,而是要求從系統(tǒng)設(shè)計(jì)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、前段工藝技術(shù)和封測(cè)各個(gè)環(huán)節(jié)開展更加緊密的合作。企業(yè)對(duì)于先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)的競(jìng)爭(zhēng),最終還需表現(xiàn)為產(chǎn)業(yè)鏈之間綜合實(shí)力的競(jìng)爭(zhēng)。

中國(guó)應(yīng)加快虛擬IDM生態(tài)鏈建設(shè)

近幾年中國(guó)集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)了高速發(fā)展,有了長(zhǎng)足的進(jìn)步,然而國(guó)內(nèi)集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈整體技術(shù)水平不高也是不爭(zhēng)的事實(shí)。半導(dǎo)體專家莫大康認(rèn)為,中國(guó)現(xiàn)在非常重視集成電路產(chǎn)業(yè),推動(dòng)先進(jìn)封裝業(yè)的發(fā)展就是非常必要的了。中國(guó)的封裝測(cè)試是集成電路三業(yè)(設(shè)計(jì)、制造、封測(cè))中起步最早的,與國(guó)際水平差距也比較小,因此完全有能力發(fā)展起來。

華進(jìn)半導(dǎo)體總經(jīng)理曹立強(qiáng)在近日的演講中再次提出,推動(dòng)國(guó)內(nèi)“EDA軟件—芯片設(shè)計(jì)—芯片制造—芯片封測(cè)—整機(jī)應(yīng)用”集成電路產(chǎn)業(yè)鏈虛擬IDM生態(tài)鏈的建設(shè),以市場(chǎng)需求牽引我國(guó)集成電路封測(cè)產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展。集成電路的競(jìng)爭(zhēng)最終會(huì)表現(xiàn)為產(chǎn)業(yè)鏈之間綜合實(shí)力的競(jìng)爭(zhēng),先進(jìn)封裝的發(fā)展需要從工藝、設(shè)備和材料等方面的協(xié)同。

在新的技術(shù)趨勢(shì)和競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境下,集成電路產(chǎn)業(yè)越來越表現(xiàn)為產(chǎn)業(yè)鏈整體實(shí)力的競(jìng)爭(zhēng)。過去幾年,國(guó)際半導(dǎo)體制造公司紛紛加大力度向先進(jìn)工藝挺進(jìn),在持續(xù)大規(guī)模資本投入擴(kuò)建產(chǎn)能的帶動(dòng)下,一些半導(dǎo)體制造大廠同樣具備了完整的先進(jìn)封裝制造能力。

應(yīng)對(duì)這樣的產(chǎn)業(yè)形勢(shì),曹立強(qiáng)指出,重點(diǎn)在于突破一些關(guān)鍵性技術(shù),如高密度封裝關(guān)鍵工藝、三維封裝關(guān)鍵技術(shù)、多功能芯片疊層集成關(guān)鍵技術(shù)、系統(tǒng)級(jí)封裝關(guān)鍵技術(shù)等。建設(shè)立足應(yīng)用、重在轉(zhuǎn)化、多功能、高起點(diǎn)的虛擬IDM產(chǎn)業(yè)鏈,解決集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù),突破技術(shù)瓶頸。

紫光集團(tuán)股權(quán)轉(zhuǎn)讓新進(jìn)展:盡職調(diào)查已接近尾聲

紫光集團(tuán)股權(quán)轉(zhuǎn)讓新進(jìn)展:盡職調(diào)查已接近尾聲

清華控股對(duì)紫光集團(tuán)的股權(quán)轉(zhuǎn)讓事宜有了新進(jìn)展。

2018年10月,紫光集團(tuán)的實(shí)際控制人清華控股與深圳市投資控股有限公司(以下簡(jiǎn)稱“深投控”)及紫光集團(tuán)共同簽署《合作框架協(xié)議》,清華控股擬向深投控轉(zhuǎn)讓所持有的紫光集團(tuán)36%股權(quán),深投控以現(xiàn)金支付對(duì)價(jià)。股權(quán)轉(zhuǎn)讓完成后,深投控、清華控股將在紫光集團(tuán)分別持股36%、15%。

公告顯示,《合作框架協(xié)議》簽訂后,清華控股、深投控、紫光集團(tuán)將在上述合作原則的基礎(chǔ)上推進(jìn)相關(guān)工作,深投控安排專業(yè)機(jī)構(gòu)對(duì)紫光集團(tuán)進(jìn)行盡職調(diào)查,力爭(zhēng)自《合作框架協(xié)議》簽訂之日起1個(gè)月內(nèi)簽訂正式交易文件。?

如今距協(xié)議簽訂之日已過去3個(gè)月時(shí)間,終于傳來進(jìn)展消息。

1月28日,紫光集團(tuán)旗下港股上市公司紫光控股發(fā)布公告稱,截至本公告日期,深投控仍在對(duì)紫光集團(tuán)進(jìn)行盡職調(diào)查,但該項(xiàng)工作已接近尾聲。同時(shí),清華控股、紫光集團(tuán)及深投控仍在就將簽署的轉(zhuǎn)讓協(xié)議及一致行動(dòng)協(xié)議的內(nèi)容進(jìn)行協(xié)商,暫無其他進(jìn)展。

根據(jù)此前公告,清華控股和深投控應(yīng)在簽署股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議的當(dāng)天,簽署《一致行動(dòng)協(xié)議》或作出其他安排,約定本次股權(quán)轉(zhuǎn)讓完成后由清華控股和深投控一致行動(dòng)或作出類似安排,達(dá)到將紫光集團(tuán)納入深投控合并報(bào)表范圍的條件,以實(shí)現(xiàn)深投控對(duì)紫光集團(tuán)的實(shí)際控制。

深投控是深圳市人民政府國(guó)有資產(chǎn)監(jiān)督管理委員會(huì)全資子公司,據(jù)悉是深圳國(guó)資旗下六大投資平臺(tái)之一,是深圳最大的國(guó)資運(yùn)作平臺(tái)、國(guó)有資本投資界的“巨無霸”,集中了深圳市屬國(guó)有主要金融資產(chǎn),資產(chǎn)規(guī)模高達(dá)數(shù)千億。

這次股份轉(zhuǎn)讓被業(yè)界看做是紫光集團(tuán)的第三次改革。清華控股表示,通過跨地域國(guó)有產(chǎn)權(quán)的合作,可以進(jìn)一步提升紫光集團(tuán)的發(fā)展?jié)摿透?jìng)爭(zhēng)力,更好地發(fā)揮協(xié)同和整合效應(yīng),從而實(shí)現(xiàn)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合,進(jìn)一步促進(jìn)公司的健康發(fā)展。

盡管相關(guān)協(xié)議仍在協(xié)商,但隨著盡職調(diào)查工作進(jìn)入尾聲,紫光集團(tuán)納入深圳國(guó)資旗下的時(shí)間將越來越近。

高通:要成為蘋果供應(yīng)鏈,蘋果要求先繳 10 億美元獎(jiǎng)金

高通:要成為蘋果供應(yīng)鏈,蘋果要求先繳 10 億美元獎(jiǎng)金

《路透社》報(bào)導(dǎo),蘋果與行動(dòng)芯片大廠高通(Qualcomm)的專利權(quán)官司,美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間 11 日的反壟斷監(jiān)管機(jī)構(gòu)聽證會(huì)時(shí),高通執(zhí)行長(zhǎng)莫倫科夫(Steve Mollenkopf)表示,之前為使高通成為蘋果 iPhone 的基頻芯片供應(yīng)商,蘋果向高通索取高達(dá) 10 億美元的驚人「獎(jiǎng)金」。

報(bào)導(dǎo)指出,根據(jù)相關(guān)人士透露,蘋果向高通索取的 10 億美元「獎(jiǎng)金」是 2011 年蘋果與高通之間交易協(xié)議的一部分,目的是在減少當(dāng)時(shí)將蘋果 iPhone 芯片替換成高通產(chǎn)品的技術(shù)成本。Steve Mollenkopf 還表示,由于這筆 10 億美元款項(xiàng),是高通成為蘋果基頻晶唯一供應(yīng)商的原因之一。

報(bào)導(dǎo)指出,根據(jù) 2011 年兩家公司協(xié)議,高通成為蘋果獨(dú)家基頻芯片的供應(yīng)商,高通同意向蘋果提供未公布的產(chǎn)品價(jià)格折扣,但蘋果若選擇其他供應(yīng)商,將失去先前議定的折扣優(yōu)惠,使蘋果購買基頻芯片的成本提高。不過,美國(guó)的反壟斷機(jī)構(gòu)之前認(rèn)為,與蘋果的交易是高通為保持基頻芯片的主導(dǎo)地位、排除英特爾等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的反競(jìng)爭(zhēng)行為模式一部分。

另外還有消息指出,高通接受美國(guó)聯(lián)邦貿(mào)易委員會(huì)壟斷審查時(shí),蘋果高階主管列席證人出庭作證。該蘋果高階主管表示,蘋果考慮在 2019 年款 iPhone,讓南韓三星、臺(tái)灣聯(lián)發(fā)科及現(xiàn)有供應(yīng)商英特爾提供基頻芯片。

耐威科技投資設(shè)立參股子公司  專攻導(dǎo)航與DSP芯片

耐威科技投資設(shè)立參股子公司 專攻導(dǎo)航與DSP芯片

1月9日,耐威科技發(fā)布公告稱,旗下全資子公司將對(duì)外投資設(shè)立參股子公司,專門從事導(dǎo)航與DSP芯片。

根據(jù)公告,耐威科技全資子公司北京微芯科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“微芯科技”)與北京中自投資管理有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中自投資”)、北京頂芯科技中心(有限合伙)(以下簡(jiǎn)稱“頂芯科技”)簽訂《投資協(xié)議書》,共同投資設(shè)立參股子公司北京中科昊芯科技有限公司(暫定名,以下簡(jiǎn)稱“中科昊芯”)。

其中,微芯科技擬使用自有資金人民幣1000萬元投資中科昊芯,持有中科昊芯34%的股權(quán);中自投資以及頂芯科技則分別持有中科昊芯9.75%、56.25%的股權(quán),中自投資是中國(guó)科學(xué)院自動(dòng)化研究所獨(dú)資設(shè)立的資產(chǎn)管理公司,而頂芯科技的三位主要核心人員亦均在中國(guó)科學(xué)院自動(dòng)化研究所工作。

耐威科技指出,根據(jù)公司的發(fā)展戰(zhàn)略與規(guī)劃,此次微芯科技投資設(shè)立的參股子公司主要從事 導(dǎo)航與DSP芯片的研發(fā)設(shè)計(jì),有利于促進(jìn)公司與中國(guó)科學(xué)院自動(dòng)化研究所在相關(guān)業(yè)務(wù)領(lǐng)域的合作,充分發(fā)揮各方的技術(shù)及資金、市場(chǎng)等優(yōu)勢(shì),聚合資源,促進(jìn)公司相關(guān)業(yè)務(wù)的長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展。

據(jù)了解,DSP芯片(Digital Signal Processor,高性能數(shù)字信號(hào)處理器)可將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào),用于專用處理器的高速實(shí)時(shí)處理,具有高速、靈活、可編程等功能,在圖形圖像處理、語音處理、信號(hào)處理等通信領(lǐng)域起到越來越重要的作用。目前,全球DSP芯片大部分市場(chǎng)份額被TI、ADI、摩托羅拉等國(guó)際廠商所占有。

中國(guó)科學(xué)院自動(dòng)化研究所于1985年即成立了國(guó)家專用集成電路設(shè)計(jì)工程技術(shù)研究中心,自上世紀(jì)九十年代即開始致力于DSP領(lǐng)域的研究工作。2000年起,該中心承擔(dān)了多項(xiàng)國(guó)家重大任務(wù),自主研制成功一系列具有國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)水平的DSP芯片產(chǎn)品。

目前,耐威科技一方面大力發(fā)展導(dǎo)航、MEMS、航空電子三大核心業(yè)務(wù),一方面積極布局智能制造、無人系統(tǒng)、第三代半導(dǎo)體材料和器件等業(yè)務(wù)。公告稱,中科昊芯若能順暢運(yùn)營(yíng)并充分發(fā)揮各項(xiàng)優(yōu)勢(shì),成功推動(dòng)自主導(dǎo)航與DSP芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,將對(duì)公司相關(guān)業(yè)務(wù)的發(fā)展產(chǎn)生積極影響。

日前耐威科技發(fā)布業(yè)績(jī)預(yù)告,預(yù)計(jì)2018年1-12月歸屬上市公司股東的凈利潤(rùn)9202.53萬元至1.07億元,同比上升90.00%~120.00%。

北方華創(chuàng)募投項(xiàng)目發(fā)力5/7納米設(shè)備 大基金、北京電控等參與認(rèn)購

北方華創(chuàng)募投項(xiàng)目發(fā)力5/7納米設(shè)備 大基金、北京電控等參與認(rèn)購

日前,設(shè)備廠商北方華創(chuàng)擬募資21億元投建兩大項(xiàng)目,其中5/7納米集成電路設(shè)備為建設(shè)重點(diǎn),大基金、北京集成電路等參與認(rèn)購。

募資21億元,大基金等參與認(rèn)購

1月4日,北方華創(chuàng)公告稱,公司擬向國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“大基金”)、北京電子控股有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱“北京電控”)、北京京國(guó)瑞國(guó)企改革發(fā)展基金(有限合伙)(以下簡(jiǎn)稱“京國(guó)瑞基金”)、北京集成電路制造和裝備股權(quán)投資中心(有限合伙)(以下簡(jiǎn)稱“北京集成電路基金”)共4名符合中國(guó)證監(jiān)會(huì)規(guī)定的特定對(duì)象非公開發(fā)行股票募集資金,募集資金總額不超過21億元。

上述4名認(rèn)購方均以現(xiàn)金方式認(rèn)購,其中大基金認(rèn)購金額為9.2億元、北京電控認(rèn)購金額為6億元、京國(guó)瑞基金認(rèn)購金額為5億元、北京集成電路基金認(rèn)購金額為8000萬元。北方華創(chuàng)于2019年1月4日與上述發(fā)行對(duì)象簽署了附條件生效的《股份認(rèn)購協(xié)議》。

公告顯示,在本次非公開發(fā)行前,大基金持有公司7.50%股份,本次發(fā)行完成后預(yù)計(jì)仍持有公司 5%以上的股份;北京電控持有公司48.13%股份,為公司實(shí)際控制人,本次發(fā)行完成后北京電控仍為公司實(shí)際控制人。

北方華創(chuàng)表示,公司通過本次非公開發(fā)行,積極布局新技術(shù),提升公司集成電路設(shè)備技術(shù)水平;增強(qiáng)核心競(jìng)爭(zhēng)力,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)公司戰(zhàn)略目標(biāo);發(fā)揮資本的作用,加速公司規(guī)?;l(fā)展的步伐。

投建兩大項(xiàng)目,發(fā)力5/7納米

這次非公開發(fā)行股票所募集資金扣除發(fā)行費(fèi)用后,將全部用于“高端集成電路裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”和“高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目”的建設(shè)。其中,高端集成電路裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資總額20.05億元,擬使用募集資金18.80億元;高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資總額2.42億元,擬使用募集資金2.20億元。

報(bào)告顯示,高端集成電路裝備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的建設(shè)內(nèi)容包括:28納米以下集成電路裝備搭建產(chǎn)業(yè)化工藝驗(yàn)證環(huán)境和實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化;建造集成電路裝備創(chuàng)新中心樓及購置5/7納米關(guān)鍵測(cè)試設(shè)備和搭建測(cè)試驗(yàn)證平臺(tái);開展5/7納米關(guān)鍵集成電路裝備的研發(fā)并實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。

該項(xiàng)目設(shè)計(jì)產(chǎn)能為年產(chǎn)刻蝕裝備30臺(tái)、PVD裝備30臺(tái)、單片退火裝備15臺(tái)、ALD裝備30臺(tái)、立式爐裝備30臺(tái)、清洗裝備30臺(tái)。項(xiàng)目總計(jì)劃工期25個(gè)月,完全達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)年年平均銷售收入為 26.38億元。

從建設(shè)內(nèi)容可見,5/7納米集成電路裝備為該項(xiàng)目的建設(shè)重點(diǎn)。北方華創(chuàng)指出,5納米技術(shù)代優(yōu)勢(shì)明顯,將成為集成電路制造技術(shù)發(fā)展的必然趨勢(shì),AI、5G等先進(jìn)技術(shù)對(duì)芯片高性能、低功耗提出的更高要求也將帶動(dòng)集成電路芯片向 5/7 納米發(fā)展。

這種發(fā)展趨勢(shì)對(duì)于集成電路設(shè)備產(chǎn)業(yè)有著很大的影響,一方面,為了滿足制造工藝的苛刻要求,設(shè)備研發(fā)中需要攻克的技術(shù)難點(diǎn)更多、研發(fā)投入更大、研發(fā)周期更長(zhǎng), 需要有充足的核心技術(shù)研發(fā)儲(chǔ)備;另一方面,如果設(shè)備研發(fā)成功,設(shè)備的售價(jià)將較以往技術(shù)代的設(shè)備售價(jià)更高,投資回報(bào)更加可觀。?

目前,北方華創(chuàng)的14納米設(shè)備已交付至客戶端進(jìn)行工藝驗(yàn)證,這次募投項(xiàng)目將在28納米的基礎(chǔ)上,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)14納米設(shè)備的產(chǎn)業(yè)化,開展5/7納米設(shè)備的關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)。

此外,高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資總額2.42億元,擬使用募集資金2.20億元。項(xiàng)目建設(shè)內(nèi)容包括廠房建設(shè)、生產(chǎn)設(shè)施、輔助動(dòng)力設(shè)施、環(huán)保設(shè)施、安全設(shè)施、消防設(shè)施、管理設(shè)施等。項(xiàng)目設(shè)計(jì)產(chǎn)能為年產(chǎn)模塊電源5.8萬只,總計(jì)劃工期24個(gè)月,完全達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)年年平均銷售收入為 1.62億元。

北方華創(chuàng)表示,本次募投項(xiàng)目順利實(shí)施后,公司整體技術(shù)實(shí)力將進(jìn)一步提高,主營(yíng)業(yè)務(wù)優(yōu)勢(shì)將進(jìn)一步加強(qiáng),高端半導(dǎo)體裝備的產(chǎn)業(yè)化能力也將實(shí)現(xiàn)快速發(fā)展,有利于進(jìn)一步提升公司的市場(chǎng)影響力、提高盈利水平。

總投資10億元!亞光科技投建微波混合集成電路研發(fā)等項(xiàng)目

總投資10億元!亞光科技投建微波混合集成電路研發(fā)等項(xiàng)目

12月28日,亞光科技發(fā)布《對(duì)外投資公告》,擬投資10億元于湖南省長(zhǎng)沙建設(shè)微波混合集成電路研發(fā)、制造平臺(tái)等項(xiàng)目。

公告顯示,近日亞光科技與長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)(以下簡(jiǎn)稱“高開區(qū)管委會(huì)”)在湖南省長(zhǎng)沙市簽訂了《項(xiàng)目投資建設(shè)合同》,公司擬在長(zhǎng)沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)投資微波混合集成電路研發(fā)、制造平臺(tái)等項(xiàng)目的生產(chǎn)廠房、技術(shù)研究中心、產(chǎn)品設(shè)計(jì)中心及相關(guān)附屬配套設(shè)施等,充分利用公司長(zhǎng)沙基地土地、廠房等項(xiàng)目資源,主要生產(chǎn)5G通信配套產(chǎn)品(BBU控制單元、RRU射頻單元和定向天線等)和微波集成電路芯片、模塊、組建及分系統(tǒng)等。

項(xiàng)目名稱暫定為“亞光(長(zhǎng)沙)集成電路產(chǎn)業(yè)園”(以下簡(jiǎn)稱“項(xiàng)目”),由公司下屬成都亞光電子股份有限公司的全資子公司長(zhǎng)沙亞光電子有限責(zé)任公司作為項(xiàng)目實(shí)施主體。預(yù)計(jì)項(xiàng)目總投資10億元,自項(xiàng)目用地交付之日起3年內(nèi)全部完成。高開區(qū)管委會(huì)積極支持公司發(fā)起設(shè)立基金投資該項(xiàng)目,基金規(guī)模為10億元,由高開區(qū)管委會(huì)負(fù)責(zé)募集。其中基金一期為5億元,爭(zhēng)取于2019年一季度組建完成。

公告指出,5億元項(xiàng)目資金如期到位是本項(xiàng)目實(shí)施的前提。如上述基金未能在2019年6月30日前完成組建并實(shí)現(xiàn)5億元資金到位,且公司也未能在2019年6月30日前通過其他渠道完成5億元資金籌措,則項(xiàng)目合同于2019年7月1日自動(dòng)解除,雙方互不追究對(duì)方違約責(zé)任。基金組建具體事宜另行協(xié)商約定。

亞光科技表示,這次項(xiàng)目投資進(jìn)一步優(yōu)化、提升船艇業(yè)務(wù)的土地、廠房等資源使用效果,盤活存量資產(chǎn),滿足市場(chǎng)對(duì)公司產(chǎn)品快速增長(zhǎng)的需要,積極契合當(dāng)?shù)卣畬?duì)集成電路產(chǎn)業(yè)和軍民融合產(chǎn)業(yè)的扶持政策,大力拓展公司5G通信相關(guān)民品業(yè)務(wù),進(jìn)一步提升公司的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力和持續(xù)盈利能力。

立昂微電沖刺IPO!募資13.5億元投建8英寸硅片和射頻芯片項(xiàng)目

立昂微電沖刺IPO!募資13.5億元投建8英寸硅片和射頻芯片項(xiàng)目

日前上海新昇大硅片剛通過了中芯國(guó)際的認(rèn)證,如今另一家大硅片企業(yè)杭州立昂微電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“立昂微電”)亦遞交了IPO招股書,擬登陸A股。

招股書顯示,立昂微電擬在上海證券交易所首次公開發(fā)行新股4058萬股,占發(fā)行后總股本的比例不低于10.00%、不超過10.131%,募集資金13.5億元用于年產(chǎn)120萬片集成電路8英寸硅片項(xiàng)目和年產(chǎn)12萬片6英寸第二代半導(dǎo)體射頻集成電路芯片項(xiàng)目。

橫跨分立器件、硅片兩大細(xì)分領(lǐng)域

資料顯示,立昂微電成立于2002年3月,是一家專注于集成電路用半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體功率芯片設(shè)計(jì)、開發(fā)、制造、銷售的高新技術(shù)企業(yè)。

立昂微電自身主要從事半導(dǎo)體分立器件業(yè)務(wù),主要產(chǎn)品包括肖特基二極管芯片、MOSFET芯片、肖特基二極管等。據(jù)悉,立昂微電成立之初引進(jìn)安森美的全套肖特基芯片工藝技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備及質(zhì)量管理體系,建立了6英寸半導(dǎo)體生產(chǎn)線,隨后于2012年收購日本三洋半導(dǎo)體和日本旭化成MOSFET功率器件生產(chǎn)線。

招股書顯示,2016年立昂微電順利通過博世和大陸集團(tuán)的體系認(rèn)證,成為國(guó)內(nèi)少數(shù)獲得車載電源開關(guān)資格認(rèn)證的肖特基二極管芯片供應(yīng)商,2017年立昂微電以委外加工模式將產(chǎn)品線拓展延伸至半導(dǎo)體分立器件成品。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)最新統(tǒng)計(jì),立昂微電在2017年中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)評(píng)選中位列第八名。

2015年,立昂微電全資收購國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體硅片制造企業(yè)浙江金瑞泓,其主營(yíng)業(yè)務(wù)從分立器件延伸至上游半導(dǎo)體硅片。目前擁有浙江金瑞泓、立昂半導(dǎo)體、立昂東芯、衢州金瑞泓、金瑞泓微電子5家控股子公司,以及綠發(fā)農(nóng)銀、綠發(fā)金瑞泓、綠發(fā)立昂3家參股有限合伙企業(yè)。

其中,浙江金瑞泓、衢州金瑞泓主要從事半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù),主要產(chǎn)品包括硅研磨片、硅拋光片、硅外延片等;金瑞泓微電子主要從事12英寸半導(dǎo)體硅片業(yè)務(wù),立昂東芯主要從事微波射頻集成電路芯片業(yè)務(wù)。

2016年12月,在衢州市委、市政府的支持下,立昂微電在衢州投資50億元,建設(shè)集成電路用大硅片基地,成立了金瑞泓科技(衢州)有限公司。今年3月,立昂微電投資的8英寸硅片生產(chǎn)線項(xiàng)目已正式投產(chǎn);今年5月,立昂微電子與衢州政府簽約,在衢州再追加投資83億元,建設(shè)年產(chǎn)360萬片集成電路用12英寸硅片項(xiàng)目。

截至2017年底,浙江金瑞泓具備月產(chǎn)12萬片8英寸硅拋光片的生產(chǎn)能力,還具有8英寸硅外延片的批量生產(chǎn)能力,并已完成12英寸硅片的相關(guān)技術(shù)開發(fā),客戶群體包括AOS、ONSEMI、日本東芝、中芯國(guó)際、華虹宏力、華潤(rùn)上華、華潤(rùn)微電子、士蘭微等企業(yè)。

根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),報(bào)告期內(nèi)浙江金瑞泓在2015年至2017年中國(guó)半導(dǎo)體材料十強(qiáng)企業(yè)評(píng)選中均位列第一名。

立昂微電于2015年、2016年、2017年、2018年1-6月依次實(shí)現(xiàn)營(yíng)收為5.91億元、6.70億元、9.32億元、5.26億元,實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)依次為3824.03萬元、6574.29萬元、1.05億元、5601.43萬元。分立器件和硅片兩大主營(yíng)業(yè)務(wù)收入占其營(yíng)收比重均在98%以上,其中半導(dǎo)體硅片收入占主營(yíng)業(yè)務(wù)收入的比例依次為60.11%、57.00%、52.30%、60.71%。

募資13.5億元用于兩大主業(yè)

招股書顯示,立昂微電本次公開發(fā)行不超過4058萬股A股普通股,實(shí)際募集資金扣除發(fā)行費(fèi)用后的凈額將依次用于與公司主營(yíng)業(yè)務(wù)相關(guān)的兩大投資項(xiàng)目:年產(chǎn)120萬片集成電路8英寸硅片項(xiàng)目和年產(chǎn)12萬片6英寸第二代半導(dǎo)體射頻集成電路芯片項(xiàng)目。

這次募投項(xiàng)目總投資約17.12億元,擬使用募集資金投入不超過13.5億元,若實(shí)際募集資金(扣除發(fā)行費(fèi)用后)不能滿足上述項(xiàng)目的投資需要,資金缺口由公司通過自籌方式解決。

其中,8英寸硅片項(xiàng)目總投資約7.04億元,擬投入募集資金5.5億元,項(xiàng)目用地約136畝,將新增單晶爐等共計(jì)360臺(tái)(套)設(shè)備,項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)能為120萬片集成電路用8英寸硅片,項(xiàng)目計(jì)劃建設(shè)期為24個(gè)月,項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年新增銷售收入4.8億元。

立昂微電表示,該硅片項(xiàng)目是現(xiàn)有業(yè)務(wù)的擴(kuò)大再生產(chǎn),為公司發(fā)揮規(guī)模效應(yīng)、提高市場(chǎng)占有率提供有力保障,能快速擴(kuò)大企業(yè)8英寸硅片產(chǎn)品的生產(chǎn)規(guī)模,緩解當(dāng)前產(chǎn)能壓力,提升公司盈利能力。

此外,6英寸射頻芯片項(xiàng)目總投資約10.08億元,擬投入募集資金8億元,將新增刻蝕機(jī)等各類生產(chǎn)、檢測(cè)及輔助設(shè)備、儀器共計(jì)248臺(tái)(套),項(xiàng)目設(shè)計(jì)年產(chǎn)能為12萬片6英寸第二代半導(dǎo)體射頻集成電路芯片(砷化鎵微波射頻集成電路芯片),項(xiàng)目建設(shè)期為60個(gè)月,項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)年新增銷售收入10.08億元。

立昂微電亦指出,公司現(xiàn)已具備量產(chǎn)砷化鎵芯片的能力,相關(guān)產(chǎn)品已處于認(rèn)證階段,該射頻芯片項(xiàng)目是對(duì)現(xiàn)已業(yè)務(wù)的延伸和擴(kuò)展,將豐富和完善公司的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和業(yè)務(wù)體系,進(jìn)一步提升公司的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

近年來不斷有半導(dǎo)體企業(yè)沖刺IPO,今年更甚。證監(jiān)會(huì)今年曾發(fā)聲支持國(guó)內(nèi)符合條件的芯片產(chǎn)業(yè)企業(yè)上市融資,業(yè)界認(rèn)為該表態(tài)將明顯利好于芯片企業(yè)沖刺IPO,此次立昂微電能否順利過會(huì)?我們且拭目以待。