填補江西半導體晶圓生產線空白!200億元芯片項目落戶贛州

填補江西半導體晶圓生產線空白!200億元芯片項目落戶贛州

近日,贛州經開區(qū)成功舉行名冠微電子(贛州)有限公司功率芯片項目簽約儀式,與名芯有限公司(香港)、電子科技大學廣東電子信息工程研究院正式簽訂功率芯片項目投資合同。

據(jù)贛州經開區(qū)微新聞報道,名冠微電子(贛州)有限公司功率芯片項目由名芯有限公司(香港)、贛州經開區(qū)管委會、電子科技大學廣東電子信息工程研究院共同投資,項目總投資約200億元,用地550畝。

據(jù)了解,該項目共分兩期建設:項目一期建設一條8英寸0.09-0.11μm功率晶圓生產線,投資約65億元(其中進口晶圓制造設備約36億元、廠房約15億元),目標產能8萬片/月,目標年產值40億元;項目二期規(guī)劃建設第三代6/8英寸晶圓制造生產線或12英寸硅基晶圓制造生產線,投資約140億元,項目整體達產達標后年產值過百億元。

項目涉及產品類型包括IGBT、功率MOS、功率IC、電源管理芯片等,覆蓋全球功率器件領域全部類別中80%品種。項目建成后,將填補全省半導體晶圓生產線空白,也是全市首個總投資超200億元的電子信息產業(yè)項目。

贛州市委常委、贛州經開區(qū)黨工委書記李明生表示,贛州經開區(qū)是贛州“贛粵電子信息產業(yè)帶”的核心區(qū)和龍頭,規(guī)劃建設了總面積32.5平方公里的電子信息產業(yè)園,推進了一大批項目投產達產,已具備較好的產業(yè)發(fā)展基礎和較完備的產業(yè)鏈條。

比亞迪微電子與藍海華騰簽訂合作協(xié)議

比亞迪微電子與藍海華騰簽訂合作協(xié)議

11月22日,深圳市藍海華騰技術股份有限公司(以下簡稱“藍海華騰”)發(fā)布《關于與深圳比亞迪微電子有限公司簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議的公告》。公司于深圳比亞迪微電子有限公司(以下簡稱“比亞迪微電子”)就電機控制器單元、集成式電控、IGBT模塊及晶圓、SiC模塊及晶圓、電流傳感器等產品的應用與推廣達成合作共識,共同擬定戰(zhàn)略合作框架協(xié)議書。

資料顯示,藍海華騰成立于2006年,2016年3月登陸深交所創(chuàng)業(yè)板。公司主營業(yè)務從事工業(yè)自動化控制產品的研發(fā)、生產和銷售,掌握電機驅動的核心控制技術,同時具有完善的產業(yè)化設計和生產能力。截至2019年上半年,公司電動汽車電機控制器產品實現(xiàn)營業(yè)收入7086.10萬元,在營業(yè)收入總額中占比57.71%;中低壓變頻器產品實現(xiàn)營業(yè)收入5193.21萬元,在營業(yè)收入總額中占比42.29%。

比亞迪微電子成立于2004年,專注于新型電力電子器件及模塊的開發(fā)與生產。目前已形成包括功率半導體器件、IGBT功率模塊、電源管理IC、CMOS圖像傳感器、指紋識別芯片、觸摸控制IC、LED、智能安防監(jiān)控在內的完整產業(yè)鏈布局,產品已廣泛應用于汽車、能源、工業(yè)、通訊和消費類電子多個領域。

藍海華騰指出,公司與比亞迪微電子開啟戰(zhàn)略合作,有利于實現(xiàn)公司向上游核心原材料如IGBT模塊及晶圓、SiC模塊及晶圓等關鍵技術領域的戰(zhàn)略延伸,實現(xiàn)成本優(yōu)化控制和原材料供給保障,此外,雙方合作有利于公司在電動汽車電機控制器及相關產品的技術推動和產業(yè)布局。

二度闖關成功!IGBT廠商斯達股份IPO過會

二度闖關成功!IGBT廠商斯達股份IPO過會

11月21日,證監(jiān)會第十八屆發(fā)審委會議審核結果顯示,嘉興斯達半導體股份有限公司(以下簡稱“斯達股份”)(首發(fā))獲通過,意味著斯達股份即將在上海主板上市。

2018年10月,證監(jiān)會披露了斯達股份的招股書;今年10月,斯達股份更新招股書。招股書顯示,公司擬在上交所主板發(fā)行股份數(shù)不超過4000萬股,募集資金8.20億元用于新能源汽車用IGBT模塊擴產項目等。

發(fā)審會上,發(fā)審委就斯達股份的收入和費用、自主研發(fā)芯片采購金額及數(shù)量占芯片采購總額比例快速增長、實際控制人及副總經理均具有同行業(yè)公司從業(yè)經歷等相關問題提出詢問,要求斯達股份代表說明情況。

資料顯示,斯達股份成立2005年4月,2011年11月底整體變更設立為股份公司,其主營業(yè)務是以IGBT為主的功率半導體芯片和模塊的設計研發(fā)和生產,并以IGBT模塊形式對外實現(xiàn)銷售。斯達股份分別于2011年和2015年成功獨立地研發(fā)出NPT型芯片和FS-Trench芯片,并量產制造成模塊,應用于工業(yè)控制及電源、新能源、變頻白色家電等行業(yè)。

招股書指出,目前國內IGBT模塊至今仍幾乎全部依賴進口,市場主要由歐洲、日本及美國企業(yè)占領。相關數(shù)據(jù)顯示,斯達股份2017年在IGBT模塊全球市場份額占有率國際排名第10位,在中國企業(yè)中排名第1位;在IGBT行業(yè),斯達股份占全球市場份額比率約為2.0%,相比排名第一的英飛凌22.4%的市場份額仍有較大的差距。

隨著全球制造業(yè)向中國的轉移,中國已逐漸成為全球最大的IGBT市場,IGBT國產化需求刻不容緩。目前,我國IGBT產業(yè)化水平有了一定提升、部分企業(yè)已實現(xiàn)量產,如斯達股份自主研發(fā)的第二代芯片(國際第六代芯片F(xiàn)S-Trench)已實現(xiàn)量產,成功打破了國外跨國企業(yè)長期以來對IGBT芯片的壟斷。

經營業(yè)績方面,2016年至2019年1-6月,斯達股份實現(xiàn)營業(yè)收入分別為3.01億元、4.38億元、6.75億元、3.66億元;實現(xiàn)歸母凈利潤分別為2146.47萬元、5271.96萬元、9674.28萬元、6438.43萬元;綜合毛利率分別為27.97%、30.60%、29.41%、30.24%。

這次申請登陸上交所,斯達股份擬發(fā)行股份數(shù)不超過4000萬股,募集資金8.20億元,將投資于以下項目:新能源汽車用IGBT模塊擴產項目、IPM模塊項目(年產700萬個)、技術研發(fā)中心擴建項目、補充流動資金。

其中,新能源汽車用IGBT模塊擴產項目總投資規(guī)模2.50億元,擬投入募集資金2.50億元,將形成年產120萬個新能源汽車用IGBT模塊的生產能力;IPM模塊項目(年產700萬個)總投資規(guī)模2.20億元,擬投入募集資金2.20億元,將形成年產700萬個IPM模塊的生產能力。

技術研發(fā)中心擴建項目總投資規(guī)模1.50億元,擬投入募集資金1.50億元,將建立具有IGBT 芯片設計和后道工藝研發(fā)能力的技術研發(fā)中心。補充流動資金總投資規(guī)模2.00億元,擬投入募集資金2.00億元,有利于保證公司生產經營所需資金、進一步優(yōu)化資產負債結構及降低財務風險。

斯達股份表示,此次募集資金運用全部圍繞主營業(yè)務進行,以增強本公司在IGBT領域的競爭優(yōu)勢和市場地位,豐富完善本公司產品結構、提升產能及提高新技術和新產品的研發(fā)能力,滿足客戶對產品的需求。項目的實施將進一步提高本公司盈利能力和市場競爭地位,確保本公司持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展。

事實上,2012年斯達股份曾向證監(jiān)會申請IPO,但最后于2013年宣布終止審查。如今二度闖關終于成功過會,斯達股份表示發(fā)行后未來三年,將持續(xù)投入研發(fā)經費,加強自主創(chuàng)新的研發(fā)能力,開拓產品線、提升產品性能和拓寬產品應用領域,提升公司核心競爭力,不斷完善和優(yōu)化專業(yè)化營銷體系和管理流程,提升企業(yè)的品牌知名度,擴大區(qū)域及行業(yè)的覆蓋,積極開拓國內外市場。

11月27日,由集邦咨詢旗下DRAMeXchange主辦的“2020存儲產業(yè)趨勢峰會”即將在深圳舉辦,歡迎參會。

總投資1億美元的中芯圓綜合半導體生產基地項目落戶山東德州

總投資1億美元的中芯圓綜合半導體生產基地項目落戶山東德州

近日,中芯圓綜合半導體生產基地項目簽約儀式在山東德州經開區(qū)舉行。

據(jù)悉,該項目由深圳熠宇科技有限公司投資1億美元建設,將成為開發(fā)區(qū)發(fā)展外向型經濟的生動實踐。項目占地面積50畝,總規(guī)劃建筑面積4萬平方米,將購置國際先進的生產及檢測、研發(fā)設備617臺/套,主要生產半導體芯片等產品。

該項目在技術方面擁有最新SJMOS芯片及IGBT芯片研發(fā)制造技術,能夠攻克現(xiàn)有中國半導體市場貨源不穩(wěn)定、產品分散、電子波問題及應用方面常見問題,預計前四年銷售額分別達到12億元、26億元、38億元和51億元,解決就業(yè)300人以上,經濟效益和社會效益明顯。

德州經開區(qū)指出,中芯圓綜合半導體生產基地項目屬于新舊動能轉換范疇,是山東省支持產業(yè),作為有研半導體的下游企業(yè),能夠充分利用資源優(yōu)勢,促進半導體上下游企業(yè)的引進,具有良好的產業(yè)價值。

中芯紹興8英寸產線最新進展:超150臺設備搬入工廠

中芯紹興8英寸產線最新進展:超150臺設備搬入工廠

作為浙江省第一條8英寸晶圓代工生產線,中芯國際紹興8英寸生產線項目正在有序進行。

紹興集成電路產業(yè)園官方平臺消息,據(jù)中芯國際紹興8英寸生產線項目方負責人介紹,目前已經有超過150臺設備搬入工廠,單機調試已經完成50%,下個月進行聯(lián)機調試,根據(jù)計劃將于2020年投產。

2018年3月1日,紹興市與國內晶圓代工龍頭中芯國際簽署協(xié)議,5月18日正式奠基開工,僅用79天。2019年3月,項目完成廠房結構封頂,6月19日,中芯紹興MEMS和功率器件芯片制造及封裝測試生產基地項目舉行主體工程結頂儀式。

資料顯示,中芯紹興項目已經被列入浙江省市兩級重點項目,位于紹興集成電路小鎮(zhèn),是紹興集成電路小鎮(zhèn)全產業(yè)鏈發(fā)展的關鍵性項目,最終將打造成為國內領先,世界一流的特色工藝半導體企業(yè)。

該首期總投資58.8億元,占地207.6畝,總建筑面積14.6萬平方米,引進一條51萬片8英寸特色集成電路制造生產線和一條年產模組19.95億顆封裝測試生產線。項目一期達產后,可實現(xiàn)年產值45億元。主要產品包括MEMS、IGBT、MOSFET、RF等產品線。

10億元 國電南瑞擬與聯(lián)研院合資設立功率半導體公司

10億元 國電南瑞擬與聯(lián)研院合資設立功率半導體公司

10月17日,國電南瑞科技股份有限公司(以下簡稱“國電南瑞”)發(fā)布公告稱,擬與國家電網(wǎng)有限公司(以下簡稱“國網(wǎng)公司”)下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司(以下簡稱“聯(lián)研院”)共同投資設立南瑞聯(lián)研功率半導體有限責任公司(以工商部門核準名稱為準,以下簡稱“合資公司”),由該合資公司實施IGBT模塊產業(yè)化項目的部分投資。

公告指出,國電南瑞擬以IGBT模塊產業(yè)化項目的部分募集資金55,864.45萬元出資,占合資公司69.8305625%股權,聯(lián)研院以技術作價出資24,135.55萬元(該出資技術的評估值已經國有資產管理單位備案),占合資公司30.17%股權。涉及變更實施主體的計劃投資額55,864.45萬元,占IGBT模塊產業(yè)化項目投資額的33.98%,占公司募集資金總籌資額的9.15%,相關募集資金用途、建設內容、地點等不變。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是國家產業(yè)政策重點支持發(fā)展的功率半導體器件,技術難度大、研發(fā)及產線建設周期長、資金投入大,核心技術一直被國外企業(yè)壟斷,目前國內高端人才缺乏,國內僅有少量廠商開展高壓IGBT研制業(yè)務。聯(lián)研院是國家電網(wǎng)公司直屬科研單位,國內首家專業(yè)從事全球能源互聯(lián)網(wǎng)關鍵技術和設備開發(fā)的高端科研機構。

聯(lián)研院于2010年開始研究功率半導體器件,擁有100多人的技術團隊和先進的功率器件中試線,是國內少數(shù)掌握高壓IGBT芯片設計技術的單位之一。在功率半導體器件領域,聯(lián)研院承擔國家科技重大專項(02專項)“國產高壓大功率IGBT模塊電力系統(tǒng)應用工程”等攻關任務,自主研發(fā)了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件,其中3300V/1500A壓接式和焊接式IGBT器件,掌握成套的設計、制備等核心技術,打破了國外技術壟斷,成功研制1200V至6500V碳化硅二極管樣品,實現(xiàn)了新一代電力電子器件的重大創(chuàng)新突破。

國電南瑞指出,通過與聯(lián)研院合作,有利于公司降低IGBT等功率器件技術研發(fā)及產品批量化生產的風險,保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導體芯片及模塊研制和產業(yè)化進程。為加快公司產業(yè)鏈延伸和產業(yè)升級,增強企業(yè)核心競爭力,提高公司募集資金使用效率和效果,降低公司募投項目投資風險,公司擬以“IGBT模塊產業(yè)化項目”部分募集資金出資與聯(lián)研院共同設立合資公司,并增加合資公司為該項目的實施主體。

公告顯示,經中國證券監(jiān)督管理委員會《關于核準國電南瑞科技股份有限公司向南瑞集團有限公司等發(fā)行股份購買資產并募集配套資金的批復》(證監(jiān)許可[2017]2224號)核準,公司以非公開發(fā)行股份方式向7名特定投資者發(fā)行了人民幣普通股381,693,558股,發(fā)行價格為15.99元/股,本次發(fā)行募集資金總額為61.03億元元,扣除各項發(fā)行費用83,23.94萬元,實際募集資金凈額為60.2億元。上述募集資金已于2018年4月8日全部到位。

“IGBT模塊產業(yè)化項目”是上述募集資金投資項目之一,根據(jù)原計劃,“IGBT模塊產業(yè)化項目”全部由國電南瑞母公司實施,項目投資總額為164,388萬元,項目建設期42個月,項目投產后第7年達到本項目預計的生產能力。截止2019年8月31日,該項目已累計使用募集資金2,370.53萬元,占總投資1.44%,剩余募集資金162,017.47萬元(不含利息)。

公告指出,公司本次擬增加“IGBT模塊產業(yè)化項目”的實施主體,以計劃用于該項目設備投資的部分募集資金出資,與聯(lián)研院以技術作價出資共同投資設立合資公司,即由該合資公司實施IGBT模塊產業(yè)化項目的部分投資。涉及變更實施主體的計劃投資額為55864.45萬元,占“IGBT模塊產業(yè)化項目”投資額的33.98%,占公司募集資金總籌資額的9.15%,相關募集資金用途、建設內容、地點等不變。

國電南瑞表示,本次交易有利于募集資金投資項目的運作和實施、提高募集資金的使用效率、加快募集資金投資項目的實施進度。

思源電氣擬1000萬元增資陸芯科技

思源電氣擬1000萬元增資陸芯科技

10月15日,思源電氣發(fā)布公告,以上海陸芯電子科技有限公司(下稱“陸芯科技”)投前整體估值1.75億元人民幣向該公司增資共計1000萬元人民幣,本次增資后公司預計將持有陸芯科技4.444%的股份(最終持股比例以最終簽署的增資協(xié)議為準)。

據(jù)介紹,陸芯科技成立于2017年5月,聚焦于功率半導體的設計和應用,設計高性能、低成本、覆蓋全電壓段的功率器件,產品擬覆蓋全電壓段的MOSFET、IGBT、Diodes、Power IC 以及寬禁帶功率器件(SiC、GaN),并提供整體的電源管理解決方案。

本次增資前上海武岳峰集成電路股權投資合伙企業(yè)(有限合伙)(下稱“上海武岳峰”)持股陸芯科技14.894%。上海武岳峰與上海承芯企業(yè)管理合伙企業(yè)(有限合伙)(下稱“上海承芯”)均為武岳峰資本平臺的下屬企業(yè)。上海承芯目前持有公司總股份的9.08%,公司董事 PETER QUAN XIONG(熊泉)先生目前為陸芯科技董事。本次投資屬關聯(lián)投資,本次交易構成關聯(lián)交易。

思源電氣表示,這幾年公司無功補償大類中電力電子產品訂單和收入增長良好,公司對功率半導體器件(如IGBT等)的需求隨之增大。目前功率半導體器件依賴進口,存在供給不足的問題。公司通過本次投資,有助于提升功率半導體器件的市場供給,有助于公司與目標公司建立在功率半導體應用方向的長期穩(wěn)定合作關系。

資料顯示,思源電氣成立于1993年12月,是國內知名專業(yè)從事電力技術研發(fā)、設備制造、工程服務的上市公司,主要提供電氣設備與服務。此前思源電氣曾籌劃收購北京矽成41.65%股權以轉型半導體領域,后來宣布終止收購。

總投資達25億元的廣東芯聚能半導體項目奠基

總投資達25億元的廣東芯聚能半導體項目奠基

據(jù)南沙投資報道,近日,廣東芯聚能半導體有限公司在廣州南沙舉行奠基活動。

資料顯示,芯聚能半導體有限公司聚焦車規(guī)級功率半導體元器件研發(fā)、生產和銷售,將建成面向新能源汽車主驅動器的核心功率半導體芯片設計、器件與模塊產品的研發(fā)與產業(yè)化基地。

2018年9月,廣州南沙開發(fā)區(qū)管委會和芯聚能半導體有限公司簽訂投資協(xié)議,標志著這家企業(yè)正式落戶南沙,也標志著應用第三代半導體技術產業(yè)化基地在南沙落地。芯聚能將建設IGBT模塊和傳感器設計、研發(fā)與生產基地,IGBT模塊被業(yè)內稱之為新能源汽車的“CPU”,即是控制新能源汽車電能的“大腦”。

據(jù)金羊網(wǎng)此前報道,芯聚能項目總投資達25億元。項目第一階段將建設用于新能源汽車的IGBT和SiC功率器件與模塊生產基地,同時實現(xiàn)工業(yè)級功率器件規(guī)模化生產。第二階段將面向新能源汽車和自動駕駛的汽車功率模塊、半導體器件和系統(tǒng)產品,延伸并形成從芯片到封裝、模塊的產業(yè)鏈聚集。