10月17日,國電南瑞科技股份有限公司(以下簡稱“國電南瑞”)發(fā)布公告稱,擬與國家電網(wǎng)有限公司(以下簡稱“國網(wǎng)公司”)下屬科研單位全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司(以下簡稱“聯(lián)研院”)共同投資設立南瑞聯(lián)研功率半導體有限責任公司(以工商部門核準名稱為準,以下簡稱“合資公司”),由該合資公司實施IGBT模塊產業(yè)化項目的部分投資。
公告指出,國電南瑞擬以IGBT模塊產業(yè)化項目的部分募集資金55,864.45萬元出資,占合資公司69.8305625%股權,聯(lián)研院以技術作價出資24,135.55萬元(該出資技術的評估值已經國有資產管理單位備案),占合資公司30.17%股權。涉及變更實施主體的計劃投資額55,864.45萬元,占IGBT模塊產業(yè)化項目投資額的33.98%,占公司募集資金總籌資額的9.15%,相關募集資金用途、建設內容、地點等不變。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是國家產業(yè)政策重點支持發(fā)展的功率半導體器件,技術難度大、研發(fā)及產線建設周期長、資金投入大,核心技術一直被國外企業(yè)壟斷,目前國內高端人才缺乏,國內僅有少量廠商開展高壓IGBT研制業(yè)務。聯(lián)研院是國家電網(wǎng)公司直屬科研單位,國內首家專業(yè)從事全球能源互聯(lián)網(wǎng)關鍵技術和設備開發(fā)的高端科研機構。
聯(lián)研院于2010年開始研究功率半導體器件,擁有100多人的技術團隊和先進的功率器件中試線,是國內少數(shù)掌握高壓IGBT芯片設計技術的單位之一。在功率半導體器件領域,聯(lián)研院承擔國家科技重大專項(02專項)“國產高壓大功率IGBT模塊電力系統(tǒng)應用工程”等攻關任務,自主研發(fā)了1200V至4500V系列IGBT、FRD芯片及器件,其中3300V/1500A壓接式和焊接式IGBT器件,掌握成套的設計、制備等核心技術,打破了國外技術壟斷,成功研制1200V至6500V碳化硅二極管樣品,實現(xiàn)了新一代電力電子器件的重大創(chuàng)新突破。
國電南瑞指出,通過與聯(lián)研院合作,有利于公司降低IGBT等功率器件技術研發(fā)及產品批量化生產的風險,保障中低壓、加快高壓IGBT等功率半導體芯片及模塊研制和產業(yè)化進程。為加快公司產業(yè)鏈延伸和產業(yè)升級,增強企業(yè)核心競爭力,提高公司募集資金使用效率和效果,降低公司募投項目投資風險,公司擬以“IGBT模塊產業(yè)化項目”部分募集資金出資與聯(lián)研院共同設立合資公司,并增加合資公司為該項目的實施主體。
公告顯示,經中國證券監(jiān)督管理委員會《關于核準國電南瑞科技股份有限公司向南瑞集團有限公司等發(fā)行股份購買資產并募集配套資金的批復》(證監(jiān)許可[2017]2224號)核準,公司以非公開發(fā)行股份方式向7名特定投資者發(fā)行了人民幣普通股381,693,558股,發(fā)行價格為15.99元/股,本次發(fā)行募集資金總額為61.03億元元,扣除各項發(fā)行費用83,23.94萬元,實際募集資金凈額為60.2億元。上述募集資金已于2018年4月8日全部到位。
“IGBT模塊產業(yè)化項目”是上述募集資金投資項目之一,根據(jù)原計劃,“IGBT模塊產業(yè)化項目”全部由國電南瑞母公司實施,項目投資總額為164,388萬元,項目建設期42個月,項目投產后第7年達到本項目預計的生產能力。截止2019年8月31日,該項目已累計使用募集資金2,370.53萬元,占總投資1.44%,剩余募集資金162,017.47萬元(不含利息)。
公告指出,公司本次擬增加“IGBT模塊產業(yè)化項目”的實施主體,以計劃用于該項目設備投資的部分募集資金出資,與聯(lián)研院以技術作價出資共同投資設立合資公司,即由該合資公司實施IGBT模塊產業(yè)化項目的部分投資。涉及變更實施主體的計劃投資額為55864.45萬元,占“IGBT模塊產業(yè)化項目”投資額的33.98%,占公司募集資金總籌資額的9.15%,相關募集資金用途、建設內容、地點等不變。
國電南瑞表示,本次交易有利于募集資金投資項目的運作和實施、提高募集資金的使用效率、加快募集資金投資項目的實施進度。