海太半導(dǎo)體與SK海力士三期合作簽約

海太半導(dǎo)體與SK海力士三期合作簽約

近日,海太半導(dǎo)體與韓國(guó)SK海力士三期合作意向書(shū)簽約儀式在無(wú)錫舉行。

自2004年在無(wú)錫建成投產(chǎn)以來(lái),經(jīng)過(guò)十五年的發(fā)展,SK海力士已發(fā)展成為江蘇省單體投資規(guī)模最大、技術(shù)水平最高、發(fā)展速度最快的外資投資企業(yè)。

而海太半導(dǎo)體是由無(wú)錫市太極實(shí)業(yè)股份有限公司和韓國(guó)SK海力士株式會(huì)社合資成立的半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè),注冊(cè)資本1.75億美元,總投資4億美元。海太半導(dǎo)體自2009年11月10日正式成立以來(lái),經(jīng)過(guò)十年的穩(wěn)步發(fā)展,已成為國(guó)內(nèi)知名半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè),并逐步發(fā)展成為全球封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)一股重要的新興力量。

據(jù)無(wú)錫國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)報(bào)道,海太半導(dǎo)體通過(guò)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化,產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)等多項(xiàng)措施,單月封裝能力已超過(guò)12億Gb容量,全年產(chǎn)能約占全球DRAM封裝測(cè)試產(chǎn)能的13%。此次簽約標(biāo)志著雙方將在DRAM封裝領(lǐng)域繼續(xù)保持穩(wěn)固的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,加強(qiáng)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),促進(jìn)互利共贏。

無(wú)錫市政府副市長(zhǎng)、高新區(qū)黨工委書(shū)記、新吳區(qū)委書(shū)記王進(jìn)健表示,無(wú)錫高新區(qū)將進(jìn)一步深化與SK海力士多方面、多領(lǐng)域的合作,全力推動(dòng)SK科技園、學(xué)校、醫(yī)院、基金等項(xiàng)目的進(jìn)展,繼續(xù)為SK海力士在錫發(fā)展創(chuàng)造最佳的營(yíng)商環(huán)境、提供最優(yōu)的政府服務(wù),推動(dòng)SK海力士在錫做大做強(qiáng)。

海太半導(dǎo)體與SK海力士三期合作簽約

海太半導(dǎo)體與SK海力士三期合作簽約

近日,海太半導(dǎo)體與韓國(guó)SK海力士三期合作意向書(shū)簽約儀式在無(wú)錫舉行。

自2004年在無(wú)錫建成投產(chǎn)以來(lái),經(jīng)過(guò)十五年的發(fā)展,SK海力士已發(fā)展成為江蘇省單體投資規(guī)模最大、技術(shù)水平最高、發(fā)展速度最快的外資投資企業(yè)。

而海太半導(dǎo)體是由無(wú)錫市太極實(shí)業(yè)股份有限公司和韓國(guó)SK海力士株式會(huì)社合資成立的半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè),注冊(cè)資本1.75億美元,總投資4億美元。海太半導(dǎo)體自2009年11月10日正式成立以來(lái),經(jīng)過(guò)十年的穩(wěn)步發(fā)展,已成為國(guó)內(nèi)知名半導(dǎo)體封裝測(cè)試企業(yè),并逐步發(fā)展成為全球封裝測(cè)試產(chǎn)業(yè)一股重要的新興力量。

據(jù)無(wú)錫國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)報(bào)道,海太半導(dǎo)體通過(guò)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)優(yōu)化,產(chǎn)線技術(shù)升級(jí)等多項(xiàng)措施,單月封裝能力已超過(guò)12億Gb容量,全年產(chǎn)能約占全球DRAM封裝測(cè)試產(chǎn)能的13%。此次簽約標(biāo)志著雙方將在DRAM封裝領(lǐng)域繼續(xù)保持穩(wěn)固的戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,加強(qiáng)優(yōu)勢(shì)互補(bǔ),促進(jìn)互利共贏。

無(wú)錫市政府副市長(zhǎng)、高新區(qū)黨工委書(shū)記、新吳區(qū)委書(shū)記王進(jìn)健表示,無(wú)錫高新區(qū)將進(jìn)一步深化與SK海力士多方面、多領(lǐng)域的合作,全力推動(dòng)SK科技園、學(xué)校、醫(yī)院、基金等項(xiàng)目的進(jìn)展,繼續(xù)為SK海力士在錫發(fā)展創(chuàng)造最佳的營(yíng)商環(huán)境、提供最優(yōu)的政府服務(wù),推動(dòng)SK海力士在錫做大做強(qiáng)。

DRAMeXchange郭祚榮:預(yù)估內(nèi)存價(jià)格明年Q2開(kāi)始上漲

DRAMeXchange郭祚榮:預(yù)估內(nèi)存價(jià)格明年Q2開(kāi)始上漲

集邦咨詢(xún)DRAMeXchange研究副總經(jīng)理:郭祚榮

供給端方面,郭祚榮分析認(rèn)為全球2020年內(nèi)存市場(chǎng)的年成長(zhǎng)預(yù)估僅為12.2%,這個(gè)數(shù)字在年成長(zhǎng)動(dòng)輒25%、甚至40%-50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商明年獲利為主要目標(biāo),資本支出也會(huì)減少。

具體而言,在標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存、服務(wù)器內(nèi)存、行動(dòng)式內(nèi)存、繪圖用內(nèi)存、利基型內(nèi)存這5大類(lèi)產(chǎn)品中,明年份額比重最大的是行動(dòng)式內(nèi)存,占比約39.7%,主要因?yàn)橹悄苁謾C(jī)本身需求量大,加上明年5G的興起將帶來(lái)強(qiáng)勁的換機(jī)潮;其次為服務(wù)器內(nèi)存、占比約為34.9%,郭祚榮指出,服務(wù)器內(nèi)存的份額比重每年逐步上升,未來(lái)3-5年服務(wù)器內(nèi)存的份額比重可能會(huì)超過(guò)行動(dòng)式內(nèi)存,成為全部?jī)?nèi)存產(chǎn)品份額比重最高的產(chǎn)品。

其他產(chǎn)品類(lèi)別的份額比重情況,PC方面(標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存)在逐年下降,雖然游戲電腦的需求在提升,但占比不高;繪圖用內(nèi)存目前需求還可以,預(yù)估明年?duì)顩r會(huì)很好;利基型內(nèi)存方面,每年的增長(zhǎng)大概是7%-8%。

至于投片情況,郭祚榮指出今年第四季度全球內(nèi)存廠晶圓投片量預(yù)估為1200多K,明年第四季度預(yù)計(jì)是1300多K,從投片角度看,明年的成長(zhǎng)只有5%左右,這其實(shí)并不高,與明年的供給成長(zhǎng)只有12.2%相呼應(yīng)。

其中,三星明年第四季度投片量與今年第四季度投片量相比,成長(zhǎng)只有大概30K(即3萬(wàn)片左右),以三星的整體規(guī)??聪喈?dāng)于幾乎沒(méi)有新產(chǎn)能產(chǎn)出;SK海力士的投片量是不增反減,今年第一季度350K、到明年第四季度只有340K;美光方面,今年第四季度和明年第四季度相比,投片量相差不多。

雖然投片量沒(méi)有顯著增加,但為何明年供給端仍有12.2%的年成長(zhǎng)?郭祚榮表示這是因?yàn)橹瞥躺系奶嵘黾恿祟w粒的產(chǎn)出量。明年三星、SK海力士、美光等全球三大廠商的產(chǎn)出量仍有成長(zhǎng),三星預(yù)估成長(zhǎng)12.6%,SK海力士由于今年轉(zhuǎn)1Ynm不順、把量轉(zhuǎn)到明年,因此明年預(yù)估有14.1%的成長(zhǎng),美光預(yù)估成長(zhǎng)10.3%。

制程轉(zhuǎn)進(jìn)方面,三星大部分供應(yīng)已集中在1Xnm,1Ynm也有17%,明年三星將繼續(xù)轉(zhuǎn)1Ynm,1Xnm則會(huì)繼續(xù)減少。目前,三星也有在做1Znm產(chǎn)品,但還是會(huì)先轉(zhuǎn)1Ynm,1Znm的轉(zhuǎn)進(jìn)會(huì)視后面市場(chǎng)情況決定。

郭祚榮認(rèn)為,制程最先進(jìn)的是三星、SK海力士次之、美光第三。但據(jù)其了解到的新信息,美光的1Znm制程工藝十分先進(jìn),甚至可跟三星齊頭并進(jìn),有可能在明年或者后年、在1Znm變成規(guī)模較大時(shí),可能是美光制程工藝的反轉(zhuǎn)點(diǎn)。

再看需求端,郭祚榮分析認(rèn)為,明年全球內(nèi)存需求端仍出現(xiàn)微幅衰退,其中筆記本將衰退0.6%、PC將衰退0.7%;服務(wù)器和智能手機(jī)是明年唯二呈現(xiàn)成長(zhǎng)趨勢(shì)的產(chǎn)品類(lèi)別,其中服務(wù)器這幾年都在上升,明年將成長(zhǎng)3.8%;智能手機(jī)今年是負(fù)4%,明年預(yù)計(jì)為0.1%。

具體而言,全球2020年內(nèi)存需求達(dá)17.5%,其中智能手機(jī)和服務(wù)器的需求比重最大,無(wú)論是今年或是明年,兩者需求比重總和都占據(jù)了總需求七成左右份額,其他如PC比重將越來(lái)越低,利基市場(chǎng)大概每年維持差不多的比重。

根據(jù)全球內(nèi)存供需狀況分析,2020年Demand bit Growth預(yù)計(jì)增長(zhǎng)17.6%、Supply Bit Growth預(yù)計(jì)增長(zhǎng)12.2%,Sufficiency ratio則有0.5%的增長(zhǎng),價(jià)格有可能會(huì)反轉(zhuǎn);今年價(jià)格跌了將近50%-60%,這是因?yàn)槟壳肮┻^(guò)于求將近5.4%,對(duì)市場(chǎng)來(lái)講是十分嚴(yán)峻的。

以PC DRAM DDR4 8GB產(chǎn)品為例,今年年初價(jià)格為50元,到今年年底預(yù)計(jì)價(jià)格只剩24元,價(jià)格下跌近一半。郭祚榮認(rèn)為,明年第一季度內(nèi)存價(jià)格呈現(xiàn)小跌的可能性較高,但這并不影響明年下半年的價(jià)格趨勢(shì),畢竟供給真的有所減少,其預(yù)估內(nèi)存價(jià)格在明年第二季度會(huì)開(kāi)始反彈,一直延續(xù)到年底,但明年全年可能也只漲20%-30%。

具體到各類(lèi)別產(chǎn)品,郭祚榮預(yù)估明年漲幅最高的內(nèi)存產(chǎn)品應(yīng)該是PC DRAM和Graphic DRAM,其次是服務(wù)器內(nèi)存;移動(dòng)設(shè)備方面,相對(duì)其他的產(chǎn)品要平穩(wěn)一些,是5大類(lèi)別產(chǎn)品里面漲幅最小的,另外一個(gè)漲幅較小的是利基型產(chǎn)品。

整體而言,郭祚榮預(yù)估全部產(chǎn)品的利潤(rùn)明年至少有20%的上漲、甚至可能有機(jī)會(huì)達(dá)到30%,但最重要的還是取決于市場(chǎng)需求狀況。對(duì)于價(jià)格,郭祚榮的結(jié)論是,明年價(jià)格會(huì)上漲,最快第二季度可以看到,但不會(huì)漲得非常兇或者非常高,將呈現(xiàn)緩漲趨勢(shì)。

集邦咨詢(xún)于2019年11月27日成功舉辦2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)(MTS 2020),在此特別感謝金邦科技、芝奇國(guó)際、宏旺半導(dǎo)體、時(shí)創(chuàng)意電子、金泰克半導(dǎo)體、紫光存儲(chǔ)、廈門(mén)銀行等企業(yè)對(duì)本次會(huì)議的大力支持。

PS:本次峰會(huì)集邦咨詢(xún)分析師演講講義現(xiàn)已對(duì)外分享,如有需要請(qǐng)關(guān)注“全球半導(dǎo)體觀察”微信公眾號(hào)并回復(fù)分析師名字即可領(lǐng)取,如“葉茂盛”、“郭祚榮”。同時(shí),歡迎識(shí)別下方二維碼或在微信公眾號(hào)回復(fù)”峰會(huì)”觀看峰會(huì)完整視頻回放。

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SK海力士量產(chǎn)128層4D NAND 終端產(chǎn)品2020年下半年亮相

SK海力士量產(chǎn)128層4D NAND 終端產(chǎn)品2020年下半年亮相

當(dāng)前,隨著資料量大增,使得當(dāng)前主流的固態(tài)硬盤(pán)(SSD)容量也必須越來(lái)越大,以應(yīng)付儲(chǔ)存大量數(shù)據(jù)的需求。

日前,韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士就正式宣布量產(chǎn)128層堆疊的4D NAND Flash,正式將SSD的容量進(jìn)行大幅度的升級(jí)。

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo),SK海力士早就在2019年6月份就宣布正式量產(chǎn)128層堆疊的4D NAND Flash,成為全球首家量產(chǎn)128層NAND Flash的存儲(chǔ)器廠商。

而當(dāng)前SK海力士所宣布,在這個(gè)月正式向客戶(hù)交貨的128層堆疊4D NAND Flash的工程樣品,全部都是TB容量等級(jí)的高密度解決方案,包括手機(jī)所用的1TB UFS 3.1 4D NAND Flash,消費(fèi)等級(jí)的2TB SSD、以及企業(yè)級(jí)的16TB E1.L規(guī)格SSD。

SK海力士宣稱(chēng),其新推出的128層堆疊4D NAND Flash的單顆容量為1TB大小。所以,未來(lái)可以做到很大的容量,是業(yè)界儲(chǔ)存密度最高的TLC NAND Flash。

報(bào)導(dǎo)表示,現(xiàn)在1TB儲(chǔ)存空間的手機(jī),通常需要使用兩顆512GB的UFS NAND Flash,在SK海力士的1TB UFS 3.1 4D NAND Flash正式出貨后,手機(jī)使用NAND Flash的數(shù)量就會(huì)減少一半,節(jié)省更多的手機(jī)主機(jī)板空間。

此外,SK海力士這顆1TB的4D NAND Flash封裝厚度僅1mm,是未來(lái)超薄5G手機(jī)的絕佳選擇,預(yù)計(jì)搭配這款4D NAND Flash的手機(jī)有望在2020年下半年量產(chǎn),而搭載128層堆疊4D NAND Flash的2TB消費(fèi)級(jí)SSD,以及16TB的E1.L規(guī)格的企業(yè)級(jí)SSD也預(yù)計(jì)會(huì)在2020年下半年量產(chǎn)。

日首次批準(zhǔn)對(duì)韓出口液體氟化氫 或?yàn)闋恐祈n企發(fā)展?

日首次批準(zhǔn)對(duì)韓出口液體氟化氫 或?yàn)闋恐祈n企發(fā)展?

據(jù)韓國(guó)國(guó)際廣播電臺(tái)(KBS)報(bào)道,16日有消息稱(chēng),日本政府批準(zhǔn)向韓國(guó)三星電子和SK海力士出口,被列為對(duì)韓出口限制項(xiàng)目之一的液體氟化氫。

液體氟化氫是半導(dǎo)體材料之一。此前,日本政府曾批準(zhǔn)對(duì)韓出口三大出口限制項(xiàng)目,包括氟聚酰亞胺(Fluorine Polyimide)、光刻膠(Resist)以及高純度氟化氫(Eatching Gas),但批準(zhǔn)對(duì)韓出口液體氟化氫尚屬首次。

報(bào)道指出,到目前為止,日本政府已12次批準(zhǔn)向韓國(guó)出口三大限制項(xiàng)目,但這并不能視為日方已改變態(tài)度。

繼2019年7月宣布對(duì)韓采取出口限制措施后,日本政府以資料不全為由,未予批準(zhǔn)向三星電子和SK海力士出口液體氟化氫,90天出口審核時(shí)限即將到期,若日方未在時(shí)限內(nèi)完成審核,或?qū)⒃谑蕾Q(mào)組織(WTO)爭(zhēng)端解決機(jī)制中處于不利地位。報(bào)道稱(chēng),這被認(rèn)為是日本采取批準(zhǔn)措施的原因之一。

還有分析認(rèn)為,隨著韓國(guó)企業(yè)快速實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,日本政府為牽制韓企發(fā)展而批準(zhǔn)日企出口相關(guān)產(chǎn)品。據(jù)悉,日本限制對(duì)韓出口已給此次獲準(zhǔn)出口液體氟化氫的日企帶來(lái)了巨大打擊。

日本政府7月開(kāi)始對(duì)韓國(guó)實(shí)行限制出口措施,8月初以安全保障為由把韓國(guó)從“白名單”國(guó)家中剔除,8月28日零時(shí)正式生效。作為回應(yīng),韓國(guó)8月12日決定把日方排除出韓方貿(mào)易“白色清單”,8月22日宣布不再與日方續(xù)簽《軍事情報(bào)保護(hù)協(xié)定》。

9月11日,韓國(guó)政府就日本限制對(duì)韓出口一事向世界貿(mào)易組織提起申訴。詳細(xì)內(nèi)容有,日本限制對(duì)韓出口高純度氟化氫、氟聚酰亞胺、光致抗蝕劑這3種半導(dǎo)體關(guān)鍵材料違反《關(guān)貿(mào)總協(xié)定》(GATT)和《貿(mào)易便利化協(xié)定》(TFA),限制三種材料技術(shù)轉(zhuǎn)讓有違《與貿(mào)易有關(guān)的投資措施協(xié)議》(TRIMs)和《與貿(mào)易有關(guān)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)協(xié)定》(TRIPS)。

雙方若無(wú)法在磋商期內(nèi)達(dá)成一致,世貿(mào)組織將為此設(shè)立專(zhuān)家組。

HBM2E開(kāi)啟超高速存儲(chǔ)器半導(dǎo)體新時(shí)代

HBM2E開(kāi)啟超高速存儲(chǔ)器半導(dǎo)體新時(shí)代

比爾·蓋茨(Bill Gates)在1999年出版的《未來(lái)時(shí)速》(Business @ the Speed of Thought)一書(shū)中描繪了一種“數(shù)字神經(jīng)系統(tǒng)(Digital Nervous System)”,并把它比作為一個(gè)跨越時(shí)空界限的互聯(lián)世界?;凇皵?shù)字神經(jīng)系統(tǒng)”這一必要條件,他又提出了如何以思維速度(Speed of Thoughts)經(jīng)營(yíng)企業(yè)的想法。這在當(dāng)時(shí)看來(lái)似乎是不可能的事,但如今科技的快速進(jìn)步已經(jīng)讓這個(gè)預(yù)言成為可能。超高速存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的時(shí)代已經(jīng)來(lái)臨,IT技術(shù)正向人類(lèi)大腦的思考速度發(fā)起挑戰(zhàn)。

TSV技術(shù):解鎖HBM無(wú)可比擬的“容量和速度”

各大制造商已經(jīng)紛紛引進(jìn)了高帶寬存儲(chǔ)器 (High Bandwidth Memory, 簡(jiǎn)稱(chēng)HBM),采用硅通孔(Through Silicon Via, 簡(jiǎn)稱(chēng)TSV)技術(shù)進(jìn)行芯片堆疊,以增加吞吐量并克服單一封裝內(nèi)帶寬(Bandwidth)的限制。在這一趨勢(shì)下,SK海力士早在2013年便率先開(kāi)始了HBM的研發(fā),以嘗試提高容量和數(shù)據(jù)傳輸速率。SK海力士現(xiàn)已充分發(fā)揮了最新HBM2E的潛能,通過(guò)TSV將8個(gè)16Gb芯片縱向連接,從而實(shí)現(xiàn)了16GB傳輸速率。

TSV由一個(gè)電路芯片和一個(gè)“Interposer”(即位于電路板和芯片之間的功能包)上方的多層DRAM組成。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),TSV可以比喻成一幢公寓式建筑結(jié)構(gòu),建筑地基(Interposer)上方是社區(qū)活動(dòng)中心(邏輯芯片),再往上是層層疊加的公寓房間(DRAM)。與傳統(tǒng)方法不同,TSV技術(shù)就好比在芯片上鉆孔,然后一個(gè)一個(gè)地堆疊起來(lái)。作為一種封裝技術(shù),它通過(guò)這些孔內(nèi)的導(dǎo)電電極連接芯片,由此數(shù)據(jù)可以垂直移動(dòng),仿佛安裝了一臺(tái)數(shù)據(jù)電梯。與傳統(tǒng)的采用金線鍵合技術(shù)生產(chǎn)的芯片相比,這種技術(shù)連接更短,因而信號(hào)路徑更短,具有更低功耗的高速性能。另外,與傳統(tǒng)方法相比,穿透芯片可以在芯片之間形成更多通道。

從HBM到HBM2E的進(jìn)化

相比依賴(lài)于有線處理的DRAM封裝技術(shù),HBM在數(shù)據(jù)處理速度方面顯示出了高度的改良。不同于金線縫合的方式,通過(guò)TSV技術(shù),HBM可將超過(guò)5,000個(gè)孔鉆入相互縱向連接的DRAM芯片中。在這樣一個(gè)快速崛起的行業(yè)趨勢(shì)下,SK海力士于2019年8月開(kāi)發(fā)出了具有超高速性能的HBM2E。這是目前行業(yè)中擁有最高性能的一項(xiàng)技術(shù)。與之前的HBM2標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比,HBM2E將提高50%的數(shù)據(jù)處理速度。由于這一高度改良,它將成為新一代HBM DRAM產(chǎn)品。

不同于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)采用模塊形式封裝存儲(chǔ)芯片并在系統(tǒng)板上進(jìn)行連接,HBM芯片與芯片與圖像處理器(Graphics Processing Unit, 簡(jiǎn)稱(chēng)GPU)和邏輯芯片等處理器緊密地相互連接。在這樣一個(gè)僅有幾微米單元的距離下,數(shù)據(jù)可被更快地進(jìn)行傳輸。這種全新的結(jié)構(gòu)在芯片之間創(chuàng)造了更短的路徑,從而更進(jìn)一步加快了數(shù)據(jù)處理速度。

隨著數(shù)據(jù)不斷增加,對(duì)于高性能存儲(chǔ)器的需求將在第四次工業(yè)革命中持續(xù)增長(zhǎng)。HBM已經(jīng)在GPU中被使用。HBM2E或?qū)⒊蔀榘ㄐ乱淮鶪PU、高性能計(jì)算機(jī)處理、云計(jì)算、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)、以及超級(jí)計(jì)算機(jī)在內(nèi)等高性能裝置中的一種高端存儲(chǔ)器半導(dǎo)體,以滿足這些裝置對(duì)于超高速運(yùn)作這一特性的要求。除此之外,HBM2E也將在一些高科技行業(yè)中扮演重要角色,例如機(jī)器學(xué)習(xí)和AI系統(tǒng)等。另外,隨著游戲產(chǎn)業(yè)中對(duì)圖形應(yīng)用的日益擴(kuò)大,HBM技術(shù)的采用也相應(yīng)增加,以此可以處理大屏幕下更多像素的需求。通過(guò)更高的計(jì)算機(jī)處理速度,HBM也為高端游戲提供了更好的穩(wěn)定性。

填補(bǔ)日本管制缺口 韓國(guó)自比利時(shí)進(jìn)口光阻劑暴增近4.5倍

填補(bǔ)日本管制缺口 韓國(guó)自比利時(shí)進(jìn)口光阻劑暴增近4.5倍

根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),三星電子、SK海力士等韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè),目前從比利時(shí)引進(jìn)半導(dǎo)體光阻劑(photoresist),順利填補(bǔ)日本出口限制導(dǎo)致的原料缺口。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)研究院調(diào)查報(bào)告指出,有77%的韓國(guó)企業(yè)認(rèn)為,不會(huì)受日韓貿(mào)易沖突波及。

根據(jù)《ETnews》報(bào)導(dǎo),日本對(duì)韓國(guó)加強(qiáng)出口管制已超過(guò)100天。韓國(guó)關(guān)稅廳根據(jù)統(tǒng)計(jì)指出,2019年第3季從比利時(shí)進(jìn)口的光阻劑金額為459.6萬(wàn)美元,相較2018年同期的84.1萬(wàn)美元,高出446%。

值得注意是,從7月開(kāi)始,比利時(shí)制光阻劑進(jìn)口量急劇增加,相較6月進(jìn)口金額僅6.6萬(wàn)美元,7月日本對(duì)韓國(guó)出口限制后,每個(gè)月進(jìn)口金額都超過(guò)100萬(wàn)美元。

報(bào)導(dǎo)指出,日本將光阻劑列入對(duì)韓國(guó)的限制產(chǎn)品之后,三星和SK海力士等企業(yè)就積極爭(zhēng)取自比利時(shí)進(jìn)口。雖然,相關(guān)韓國(guó)企業(yè)不愿證實(shí)比利時(shí)光阻劑原料的來(lái)源,但據(jù)了解,光阻劑應(yīng)是來(lái)自日本化學(xué)企業(yè)JSR與比利時(shí)研究中心IMEC的合資公司RMQC。

韓國(guó)關(guān)稅廳公布的光阻劑進(jìn)口金額,也包含通用半導(dǎo)體原料,但大多是EUV技術(shù)專(zhuān)用原料。外界解讀,比利時(shí)的光阻劑原料已補(bǔ)足韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)對(duì)這類(lèi)產(chǎn)品需求的缺口。

根據(jù)統(tǒng)計(jì),2019年第3季,韓國(guó)從比利時(shí)進(jìn)口的光阻劑重量約0.9公噸,若換算成體積,相當(dāng)于250~260加侖。業(yè)界透露,三星電子每個(gè)月需約80加侖EUV用光阻劑,SK海力士則尚未正式引進(jìn)EUV技術(shù)制程,因此每個(gè)月只需10加侖以下用量。有分析認(rèn)為,韓國(guó)目前進(jìn)口庫(kù)存量已能避免日韓貿(mào)易糾紛帶來(lái)的影響。

韓國(guó)自比利時(shí)進(jìn)口光阻劑暴增近4.5倍 預(yù)估足以填補(bǔ)日本管制缺口

韓國(guó)自比利時(shí)進(jìn)口光阻劑暴增近4.5倍 預(yù)估足以填補(bǔ)日本管制缺口

根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)導(dǎo),三星電子、SK海力士等韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè),目前從比利時(shí)引進(jìn)半導(dǎo)體光阻劑(photoresist),順利填補(bǔ)日本出口限制導(dǎo)致的原料缺口。韓國(guó)產(chǎn)業(yè)研究院調(diào)查報(bào)告指出,有77%韓國(guó)企業(yè)認(rèn)為,不會(huì)受日韓貿(mào)易沖突波及。

根據(jù)《ETnews》報(bào)導(dǎo),日本對(duì)韓國(guó)加強(qiáng)出口管制已超過(guò)100天。韓國(guó)關(guān)稅廳根據(jù)統(tǒng)計(jì)指出,2019年第3季從比利時(shí)進(jìn)口的光阻劑金額為459.6萬(wàn)美元,相較2018年同期的84.1萬(wàn)美元,高出446%。特別的是,從7月開(kāi)始,比利時(shí)制光阻劑進(jìn)口量急劇增加,相較6月進(jìn)口金額僅6.6萬(wàn)美元,7月日本對(duì)韓國(guó)出口限制后,每個(gè)月進(jìn)口金額都超過(guò)100萬(wàn)美元。

報(bào)導(dǎo)指出,日本將光阻劑列入對(duì)韓國(guó)的限制產(chǎn)品之后,三星和SK海力士等企業(yè)就積極爭(zhēng)取自比利時(shí)進(jìn)口。

雖然相關(guān)韓國(guó)企業(yè)不愿證實(shí)比利時(shí)光阻劑原料的來(lái)源,但據(jù)了解,光阻劑應(yīng)是來(lái)自日本化學(xué)企業(yè)JSR與比利時(shí)研究中心IMEC的合資公司RMQC。

韓國(guó)關(guān)稅廳公布的光阻劑進(jìn)口金額,也包含通用半導(dǎo)體原料,但大多是EUV技術(shù)專(zhuān)用原料。外界解讀,比利時(shí)的光阻劑原料已補(bǔ)足韓國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)對(duì)這類(lèi)產(chǎn)品需求的缺口。

根據(jù)統(tǒng)計(jì),2019年第3季,韓國(guó)從比利時(shí)進(jìn)口的光阻劑重量約0.9公噸,若換算成體積,相當(dāng)于250~260加侖。

業(yè)界透露,三星電子每個(gè)月需約80加侖EUV用光阻劑,SK海力士則尚未正式引進(jìn)EUV技術(shù)制程,因此每個(gè)月只需10加侖以下用量。有分析認(rèn)為,韓國(guó)目前進(jìn)口庫(kù)存量已能避免日韓貿(mào)易糾紛帶來(lái)的影響。

SK海力士公布最新財(cái)報(bào) DRAM和NAND Flash各自表現(xiàn)如何?

SK海力士公布最新財(cái)報(bào) DRAM和NAND Flash各自表現(xiàn)如何?

10月24日 – SK海力士今日宣布截止2019年9月30日的2019年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告。第三季度結(jié)合并收入為6.84萬(wàn)億韓元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為4726億韓元,凈利潤(rùn)為4955億韓元。本季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為7%,凈利潤(rùn)率為7%。

第三季度,由于出現(xiàn)恢復(fù)需求的動(dòng)向,收入環(huán)比增長(zhǎng)6%,但在收益性方面,盡管DRAM的單位成本降低,但市場(chǎng)價(jià)格下降幅度卻沒(méi)有完全抵消,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)環(huán)比下降26%。

對(duì)于DRAM,公司積極響應(yīng)移動(dòng)新產(chǎn)品,并隨著一些數(shù)據(jù)中心客戶(hù)的購(gòu)買(mǎi)量也所增加,DRAM比特出貨量(bit shipments)環(huán)比增加23%,但價(jià)格持續(xù)疲軟,平均銷(xiāo)售價(jià)下降了16%。但是,平均銷(xiāo)售價(jià)下降幅度比上一季度有所減少。

對(duì)于NAND閃存,公司積極應(yīng)對(duì)持續(xù)需求復(fù)蘇的高容量移動(dòng)和SSD等解決方案市場(chǎng),但由于公司減少上一季度暫時(shí)增加的單品銷(xiāo)售,導(dǎo)致比特出貨量環(huán)比下降1%。但由于減少了價(jià)格相對(duì)較低的單品銷(xiāo)售比重,平均銷(xiāo)售價(jià)格環(huán)比增長(zhǎng)了4%。

SK海力士計(jì)劃,在滿足日益增長(zhǎng)的客戶(hù)要求的同時(shí),并有效應(yīng)對(duì)外部不確定性引起的需求波動(dòng),將根據(jù)市場(chǎng)情況靈活調(diào)整生產(chǎn)和投資。

SK海力士正在其利川M10廠的一部分生產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為批量生產(chǎn)CMOS圖像傳感器(CIS)的生產(chǎn)線,同時(shí)減少2D NAND閃存的生產(chǎn)量。結(jié)果,于去年相比,明年的DRAM和NAND閃存的生產(chǎn)容量預(yù)計(jì)將減少。于今年相比,明年的投資額也將相當(dāng)減少。

另外,SK海力士計(jì)劃,持續(xù)開(kāi)發(fā)新一代微細(xì)工程技術(shù),并通過(guò)擴(kuò)大高容量附加值產(chǎn)品的銷(xiāo)售來(lái)擴(kuò)展其他產(chǎn)品組合,以在市場(chǎng)改善時(shí)實(shí)現(xiàn)更大的增長(zhǎng)。

SK海力士計(jì)劃將第二代10納米(1Y)DRAM的生產(chǎn)比重到明年末提高至10%初,并計(jì)劃對(duì)最近開(kāi)發(fā)的第三代10納米(1Z)工程的產(chǎn)品進(jìn)行批量生產(chǎn)。此外,該公司計(jì)劃積極應(yīng)對(duì)LPDDR5和HBM2E市場(chǎng)。預(yù)計(jì)這些產(chǎn)品將于明年被客戶(hù)積極采用。

公司將把96層4D NAND閃存產(chǎn)品的生產(chǎn)比重到年末擴(kuò)大到10%中后半,并推進(jìn)128層 4D NAND閃存的批量生產(chǎn)和銷(xiāo)售準(zhǔn)備。此外,公司重點(diǎn)攻略高配置智能手機(jī)和SSD市場(chǎng),預(yù)計(jì)SK海力士的NAND閃存銷(xiāo)售額中SSD所占的比重在第四季度將增加到30%。

SK海力士攸關(guān)者表示 :“我們將基于這次市場(chǎng)低迷的經(jīng)驗(yàn),將把事業(yè)的波動(dòng)性最小化。同時(shí),加大努力實(shí)現(xiàn)可持續(xù)成長(zhǎng)?!?/p>

■ 2019財(cái)年第三季度業(yè)績(jī)? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

SK海力士開(kāi)發(fā)第三代10納米DDR4 DRAM

SK海力士開(kāi)發(fā)第三代10納米DDR4 DRAM

10月21日,SK海力士宣布開(kāi)發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb(Gigabits)DDR4(Double Data Rate 4) DRAM。

這款實(shí)現(xiàn)了單一芯片標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)業(yè)界最大容量的16Gb,在一張晶圓中能生產(chǎn)的存儲(chǔ)量也是現(xiàn)存的DRAM內(nèi)最大。于第二代1Y產(chǎn)品相比,該產(chǎn)品的生產(chǎn)效率提高了27%,并且可以在不適用超高價(jià)的EUV(極紫外光刻)曝光工藝的情況下進(jìn)行生產(chǎn),結(jié)果具有成本競(jìng)爭(zhēng)力。

該款1Z納米 DRAM還穩(wěn)定支持最高3200Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率,這是DDR4規(guī)格內(nèi)最高速度。 功耗也顯著提高,與基于第二代8Gb產(chǎn)品的相同容量模組相比,將功耗降低了約40%。

特別是,第三代產(chǎn)品適用前一代生產(chǎn)工藝中從來(lái)沒(méi)使用過(guò)的新材料,將DRAM操作的關(guān)鍵要素靜電容量(Capacitance)最大化。此外,還引進(jìn)了新的設(shè)計(jì)技術(shù),提高了動(dòng)作穩(wěn)定性。

DRAM 1Z 開(kāi)發(fā)事業(yè)TF長(zhǎng) 李廷燻表示:“第三代10納米級(jí)DDR4 DRAM擁有業(yè)界最高水平的容量和速度, 再加上功耗, 是最適合于購(gòu)買(mǎi)高性能/高容量DRAM的客戶(hù)需求變化。計(jì)劃年內(nèi)完成批量生產(chǎn),從明年開(kāi)始正式供應(yīng), 積極應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求?!?/p>

另一方面,SK海力士計(jì)劃對(duì)于下一代移動(dòng)DRAM LPDDR5 和 最高端DRAM HBM3等多種應(yīng)用領(lǐng)域擴(kuò)大適用第三代10納米級(jí)微細(xì)工程技術(shù)。