EUV技術(shù)創(chuàng)新繪制半導(dǎo)體藍(lán)圖

EUV技術(shù)創(chuàng)新繪制半導(dǎo)體藍(lán)圖

半導(dǎo)體細(xì)微化(Scaling)是目前半導(dǎo)體行業(yè)最熱門的話題之一。隨著DRAM等的芯片元器件在內(nèi)的大部分電子元器件和存儲單元趨于超小型化,對于高度集成技術(shù)的需求也逐漸提高,超小型芯片將可以儲存并快速處理天文數(shù)字般的數(shù)據(jù)量。

如今,半導(dǎo)體細(xì)微化(Scaling)最為核心的是新一代曝光技術(shù)——極紫外光刻(Extreme Ultra Violet,簡稱EUV)技術(shù)?,F(xiàn)在,SK海力士正致力于實(shí)現(xiàn)新一代DRAM的量產(chǎn)化,并已在韓國利川正式開工新建一座尖端的儲存類半導(dǎo)體工廠“M16”。這座全新工廠將為EUV光刻工藝開設(shè)單獨(dú)廠間。

“摩爾定律(Moore’s Law)已經(jīng)終結(jié)” 半導(dǎo)體細(xì)微化技術(shù)陷入瓶頸

半導(dǎo)體細(xì)微化已進(jìn)入10納米時(shí)代,之前的“多重成像(Multi Patterning)”技術(shù)已不再奏效。因?yàn)?,?0納米級芯片制程中,之前的氟化氬曝光技術(shù)(Argon Fluoride, 簡稱ArF )已經(jīng)陷入瓶頸。迄今為止,半導(dǎo)體行業(yè)一直遵循每隔24個(gè)月芯片集成度翻一番的“摩爾定律”。然而,如今隨著光刻工藝難度越來越高,曾經(jīng)輝煌沿用的摩爾定律也終將被淘汰。

光刻工藝是用激光在晶圓上繪制超微電路的半導(dǎo)體制造流程之一,其電路圖案轉(zhuǎn)移到晶圓的過程與傳統(tǒng)相片的制作過程類似,故“光刻工藝”的英文有“Photo”一詞。“光刻法(Photolithography)”是一種圖案轉(zhuǎn)移及復(fù)印技術(shù),通過把光照射在包含電路圖形信息并預(yù)制成金屬圖案的掩膜版(Mask)或原裝玻璃板上,從而實(shí)現(xiàn)將出現(xiàn)的影子復(fù)制轉(zhuǎn)移到晶圓上。這種在晶圓上形成預(yù)設(shè)計(jì)的圖案為半導(dǎo)體制造的關(guān)鍵工藝。在此過程中,電路圖案的細(xì)微程度是半導(dǎo)體技術(shù)競爭力的決定性因素。

“細(xì)微化(Scaling)”,即縮小半導(dǎo)體電路晶體管器件電門的長度的,一直被視作業(yè)界最為重要的課題。晶體管電門就如同一座連接源級和漏級的橋梁,是調(diào)節(jié)電流的閥門。因此,電門長度越短,從源極流向漏極的電子數(shù)量也就越大,電路運(yùn)行速度也相應(yīng)越快。

近年以來,半導(dǎo)體曝光設(shè)備進(jìn)展迅速,均使用帶有高數(shù)值孔徑(numerical aperture,簡稱NA)的較大透鏡或短波光源。但當(dāng)柵極長度縮小到30納米以下后,現(xiàn)有的液體浸沒式氟化氬曝光設(shè)備(ArF)將會達(dá)到極限。到18納米的DRAM芯片采用的是多重成像技術(shù),但這會造成工序增加、生產(chǎn)率下降、材料費(fèi)上升的問題,從而導(dǎo)致成本上升。當(dāng)處理工序數(shù)量多達(dá)500-600道時(shí),可見該技術(shù)已走到了盡頭。解決這一問題的唯一辦法取決于短波光,利用更加“纖細(xì)的筆觸”精細(xì)地繪制電路。

EUV成為救星

為了順應(yīng)10納米時(shí)代對工藝的要求,半導(dǎo)體行業(yè)孕育了全新半導(dǎo)體曝光技術(shù)——EUV。EUV設(shè)備由荷蘭ASML公司獨(dú)家生產(chǎn),每臺設(shè)備約為0.81-1.22億美元。EUV的光波長為13.5納米,大大小于之前的氟化氬(ArF)激光波長(193納米),可在不多重成像的情況下繪制更加細(xì)微的半導(dǎo)體電路。而且這項(xiàng)技術(shù)還能簡化成像工藝流程,因此目前被視為唯一的突破口。除此之外,EUV相較于目前的四重構(gòu)圖(Quadruple Patterning Technique,簡稱QPT)等多重成像技術(shù),大幅度縮短了制造時(shí)間。

然而,在DRAM芯片采用EUV技術(shù)是一項(xiàng)難度極高的工藝,這往往需要最高端的技術(shù)支持。也正因如此,業(yè)界正在密切關(guān)注首批基于EUV技術(shù)的DRAM量產(chǎn)投入產(chǎn)出效率。據(jù)預(yù)測,到2020年,EUV技術(shù)將部分適用于1Y納米級以下的DRAM芯片中。

關(guān)鍵在于攻克EUV工藝的技術(shù)難關(guān)

攻克EUV工藝的技術(shù)難關(guān)對于行業(yè)未來至關(guān)重要。EUV具有被包括氣體在內(nèi)的大部分物質(zhì)吸收的特性。為此,開發(fā)與整個(gè)曝光工藝流程相關(guān)的新技術(shù),包括全新的掩膜版(Mask)、光阻(Photoresist)和光學(xué)系統(tǒng)等,成為了一項(xiàng)必不可少的前提條件。此外,我們還需要開發(fā)無缺陷的掩膜版和新的掩膜版檢測設(shè)備。

擴(kuò)大每小時(shí)晶圓產(chǎn)量(wafer per hour,簡稱WPH)也是業(yè)界內(nèi)一大重要挑戰(zhàn)。ASML公司的每小時(shí)晶圓產(chǎn)量于2018年達(dá)到125張目標(biāo),并計(jì)劃將在2020年達(dá)到155張。而在光源功率方面,根據(jù)DRAM廠商的測試結(jié)果顯示,該公司已達(dá)到250瓦。同時(shí),一些半導(dǎo)體廠商從ASML公司引進(jìn)EUV設(shè)備后已經(jīng)投入開發(fā)相關(guān)工藝,正處于各項(xiàng)設(shè)備的開發(fā)和測試階段。業(yè)界則在積極研發(fā)下一代曝光技術(shù)—高數(shù)值孔徑工藝,這項(xiàng)技術(shù)或?qū)?shù)值孔徑從目前開發(fā)中的0.33NA增加到0.55NA。

一名半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)人士透露:“EUV曝光技術(shù)要想投入量產(chǎn),我們在保證有曝光機(jī)內(nèi)部硬件、光源、光阻(Photoresist)、掩膜版膜(Pellicle)的制造技術(shù)的同時(shí),還必須要有零缺陷的EUV掩膜版制作技術(shù)”。他還強(qiáng)調(diào):“業(yè)界正在研究各種檢測EUV掩膜版內(nèi)部缺陷的技術(shù),為了改善檢測器的分辨率,我們對于更短的光源波長和更高的數(shù)值孔徑的要求也至關(guān)重要?!?/p>

128層4D NAND下半年量產(chǎn) 2TB容量5G手機(jī)即將問世

128層4D NAND下半年量產(chǎn) 2TB容量5G手機(jī)即將問世

隨著蘋果、華為和小米等主要智能手機(jī)制造商推出一系列高規(guī)格的新產(chǎn)品,市場對大容量存儲設(shè)備的需求正與日俱增。SK海力士在該領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,所推出的世界上首款128層4D NAND閃存,將于2019年下半年投入量產(chǎn),獲得了業(yè)界廣泛贊譽(yù)。

該128層NAND閃存即將應(yīng)用于下一代容量超過1Terabyte(TB,太字節(jié))的存儲設(shè)備,包括通用閃存(Universal Flash Storage, UFS)和固態(tài)硬盤(Solid State Drive, SSD)。隨著該最新的進(jìn)展,2TB(Terabytes,太字節(jié))容量的5G智能手機(jī)即將問世。

行業(yè)領(lǐng)先技術(shù)實(shí)現(xiàn)最高密度容量

2019年6月,SK海力士成功研發(fā)并量產(chǎn)全球首款128層的1Tb(Terabit,兆兆位) 三層單元(Triple Level Cell, TLC) 4D NAND閃存。

這款128層NAND閃存是業(yè)界主流的三層單元(TLC)閃存芯片,該閃存芯片占據(jù)NAND市場85%以上的份額,并支持目前業(yè)界最高的1Tb容量。當(dāng)其他公司正通過構(gòu)建96層四層單元(Quadruple Level Cell, QLC)實(shí)現(xiàn)1Tb NAND閃存產(chǎn)品的開發(fā),SK海力士已經(jīng)率先通過TLC實(shí)現(xiàn)超大容量NAND閃存的商業(yè)化,并取得了比QLC更好的性能和更快的處理速度。

SK海力士的獨(dú)家產(chǎn)品還實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的閃存垂直堆疊密度,單顆芯片集成超過3,600億個(gè)NAND單元,每個(gè)單元可存儲3比特(bit)。與現(xiàn)有的96層4D NAND芯片相比,相同面積的存儲容量提高了30%,數(shù)據(jù)讀寫耗時(shí)降低了16%。此外,每顆晶圓可生產(chǎn)的比特容量也增加了40%,與以往技術(shù)轉(zhuǎn)移相比,96層NAND向128層NAND過渡的投資成本降低了60%。

僅歷時(shí)八個(gè)月,實(shí)現(xiàn)下一代升級

作為96層TLC 4D NAND 的前代,SK海力士于2018年10月成功開發(fā)出世界首款基于電荷捕獲型(Charge Trap Flash, CTF)的4D NAND閃存*平臺。隨后僅僅過了8個(gè)月,SK海力士又在該領(lǐng)域邁進(jìn)了一大步。

通過這個(gè)創(chuàng)新平臺,SK海力士將開發(fā)新產(chǎn)品的所需時(shí)間顯著縮短至8個(gè)月。SK海力士采用與96層4D NAND工藝相同的平臺,專注于核心工藝和增加層數(shù)所必需的設(shè)計(jì)技術(shù),使得產(chǎn)品在如此短的時(shí)間內(nèi)開發(fā)成功。SK海力士計(jì)劃采用相同平臺進(jìn)一步研發(fā)176層4D NAND。作為SK海力士最大的成果之一,該創(chuàng)新平臺在提升公司生產(chǎn)和投資效率的同時(shí),更確保了SK海力士在NAND領(lǐng)域的核心競爭力。

特別適用于高速和大容量的儲存設(shè)備

SK海力士計(jì)劃基于128層4D NAND閃存,從2020年開始推出各種前沿解決方案。
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明年上半年,SK海力士計(jì)劃開發(fā)下一代通用閃存(UFS) 3.1產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)與5G旗艦智能手機(jī)的全面兼容。借此,制造1TB(迄今智能手機(jī)的最大容量)產(chǎn)品所需的NANDs數(shù)量,將比制造512Gb(Gigabit,千兆位)產(chǎn)品所需的NANDs數(shù)量減少一半。這使得移動(dòng)解決方案的功耗降低了20%,而厚度僅為1毫米。如果128層1Tb 4D NAND的16個(gè)單元形成單一的半導(dǎo)體封裝,那么2TB存儲容量的5G智能手機(jī)(業(yè)界迄今最大容量)的實(shí)現(xiàn)也指日可待。

此外,SK海力士將在明年上半年,開始大規(guī)模生產(chǎn)配備2TB內(nèi)置控制器和軟件的消費(fèi)級固態(tài)硬盤。16TB和32TB非易失性存儲器標(biāo)準(zhǔn)(Non Volatile Memory Express, NVMe)的固態(tài)硬盤功耗比上一代降低了20%,可用于前沿云數(shù)據(jù)中心,以優(yōu)化人工智能和大數(shù)據(jù)。該固態(tài)硬盤預(yù)計(jì)將于明年發(fā)布。

【盤點(diǎn)】電子氫氟酸迎市場機(jī)遇 本土企業(yè)有哪些?

【盤點(diǎn)】電子氫氟酸迎市場機(jī)遇 本土企業(yè)有哪些?

作為產(chǎn)業(yè)基石,材料在半導(dǎo)體生產(chǎn)制造中扮演著重要角色。前段時(shí)間,日本對韓國收緊半導(dǎo)體材料的出口限制讓半導(dǎo)體材料一時(shí)成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn),亦為中國半導(dǎo)體材料企業(yè)帶來商機(jī)。

據(jù)外媒報(bào)道,在日本政府限制向韓國出口氟化氫、光刻膠、含氟聚酰亞胺等半導(dǎo)體材料一個(gè)半月后,韓國三星電子、SK海力士等半導(dǎo)體大廠開始重新考慮供應(yīng)商體系搭建并尋求使用替代品,并有傳聞稱SK海力士設(shè)在中國無錫的半導(dǎo)體工廠已完全使用中國大陸生產(chǎn)的氟化氫。

據(jù)了解,氟化氫溶于水形成氫氟酸,電子級氫氟酸是由無水氫氟酸經(jīng)進(jìn)一步處理得到的高端氫氟酸產(chǎn)品,對金屬、玻璃、混凝土等具有強(qiáng)烈腐蝕性,主要運(yùn)用在集成電路、太陽能、液晶顯示等領(lǐng)域,在集成電路領(lǐng)域用于芯片的清洗和腐蝕,是微電子行業(yè)生產(chǎn)所需的關(guān)鍵基礎(chǔ)化工原材料之一。

縱觀全球市場,日本是最重要的電子級氫氟酸生產(chǎn)國,主要供應(yīng)商包括Stella Chemifa、昭和電工、關(guān)東電化、大陽日酸和中央硝子等,其中Stella Chemifa是全球最大的電子級氫氟酸供應(yīng)商;歐美企業(yè)有SOVAY、HONEYWEL;中國臺灣地區(qū)企業(yè)有臺塑大金、僑力化工等。

中國大陸電子氫氟酸產(chǎn)業(yè)發(fā)展起步較晚,此前幾乎全部依賴進(jìn)口。隨著近年本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷發(fā)展,電子級氫氟酸的年需求量不斷提升,近年來已有多氟多等不少本土企業(yè)加碼布局,并相繼有項(xiàng)目上馬在建或投產(chǎn),逐漸打破電子級氫氟酸完全依賴進(jìn)口的局面。

不過,目前中國大陸電子級氫氟酸產(chǎn)業(yè)整體尚處于中低級階段,能達(dá)到半導(dǎo)體所用UP-SS級別(即G4級)的企業(yè)屈指可數(shù),仍存在較大的進(jìn)口替代空間。這次日韓管制事件將為大陸電子級氫氟酸企業(yè)造就有利市場契機(jī),助推產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

那么,中國大陸有哪些企業(yè)在布局電子級氫氟酸?下面來盤點(diǎn)一下主要幾家本土企業(yè)——

1.多氟多化工股份有限公司

多氟多化工股份有限公司成立于1999年12月,產(chǎn)品布局高性能無機(jī)氟化物、電子化學(xué)品、鋰離子電池及材料、新能源汽車生產(chǎn)研發(fā)四大板塊。2011年,多氟多投資建設(shè)年產(chǎn)1萬噸超凈高純電子級氫氟酸項(xiàng)目,2013年8月該項(xiàng)目試車成功。

目前,多氟多的電子級氫氟酸產(chǎn)品品質(zhì)已達(dá)到UP—SSS級。官方消息稱,2018年多氟多電子級氫氟酸與國內(nèi)多家8英寸寸和12英寸半導(dǎo)體客戶建立合作關(guān)系,包括長江存儲、中芯國際等,并成功進(jìn)入美國、韓國等半導(dǎo)體跨國公司供應(yīng)鏈,穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代。

多氟多2019年半年報(bào)顯示,目前其電子級氫氟酸產(chǎn)能為5000噸,基本已實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn),預(yù)計(jì)2019年底將新建成5000噸產(chǎn)能,并計(jì)劃2020年投產(chǎn),屆時(shí)達(dá)到萬噸生產(chǎn)規(guī)模。今年7月,多氟多旗下控股子公司盈氟金和位于石嘴山的年產(chǎn)20000噸電子級氫氟酸項(xiàng)目開工。

2.福建省邵武市永飛化工有限公司

福建省邵武市永飛化工有限公司于2001年由國有企業(yè)福建省邵武市氟化廠改制而成,現(xiàn)為福建永晶科技股份有限公司的全資子公司,是國內(nèi)建廠最早的氟化工企業(yè)之一,主要生產(chǎn)無水氟化氫、工業(yè)氫氟酸、試劑級氫氟酸、電子級氫氟酸。

在電子級氫氟酸方面,永飛化工是國內(nèi)少數(shù)的全部指標(biāo)達(dá)UP-SS級的廠家,正逐步替代進(jìn)口產(chǎn)品、填補(bǔ)國內(nèi)空白。2013年5月,永飛化工年產(chǎn)6000噸電子級氫氟酸(UP-SS級)生產(chǎn)線順利投產(chǎn),電子級氫氟酸總產(chǎn)能達(dá)到12000噸。有消息稱,目前永飛化工的電子級氫氟酸生產(chǎn)能力約50000噸/年。

3.索爾維藍(lán)天(衢州)化學(xué)品有限公司

索爾維藍(lán)天(衢州)化學(xué)品有限公司(原浙江藍(lán)蘇氟化有限公司)成立于2006年,是由索爾維集團(tuán)與中化藍(lán)天集團(tuán)組建的中外合資企業(yè),?專業(yè)從事氟化學(xué)品的生產(chǎn)和銷售,其電子級氫氟酸引進(jìn)德國索爾維氟有限公司技術(shù),2011年1月索爾維藍(lán)天年產(chǎn)5000噸電子級氫氟酸新裝置成功投入生產(chǎn)。

2018年12月,政府環(huán)評報(bào)告顯示,索爾維藍(lán)天擬投資2515.97萬元,在位于衢州市綠色產(chǎn)業(yè)聚集區(qū)高新片區(qū)華陽路39號廠區(qū)內(nèi)現(xiàn)有電子級氫氟酸車間,對已建年產(chǎn)5000噸電子級氫氟酸裝置進(jìn)行技改擴(kuò)建,對現(xiàn)有生產(chǎn)線技改更新冷凝器設(shè)備,使產(chǎn)能提升至15000噸/年,并新增一套年產(chǎn)15000噸/年電子級氫氟酸生產(chǎn)線,使現(xiàn)有電子級氫氟酸總產(chǎn)能達(dá)到30000噸/年。

4.濱化集團(tuán)股份有限公司

濱化集團(tuán)股份有限公司始建于1968年,是一家綜合型化工企業(yè)集團(tuán),產(chǎn)品包括化工產(chǎn)品、環(huán)?;瘜W(xué)品、油田化學(xué)品級工業(yè)助劑系列產(chǎn)品等。濱化股份2019年半年報(bào)顯示,報(bào)告期內(nèi)公司電子級氫氟酸裝置順利開車,生產(chǎn)運(yùn)行保持總體穩(wěn)定。根據(jù)其官方消息,其電子級氫氟酸的設(shè)計(jì)產(chǎn)能是6000噸/年,開工負(fù)荷根據(jù)市場情況調(diào)整。

7月中旬,有消息稱,濱化股份的電子級氫氟酸已成功打入韓國市場。濱化股份在互動(dòng)平臺上表示,公司電子級氫氟酸已銷售給國內(nèi)客戶使用,正在辦理電子級氫氟酸向韓國發(fā)貨出口手續(xù)。不過目前其電子級氫氟酸產(chǎn)量較小, 預(yù)計(jì)不會對2019年業(yè)績造成重大影響。

5.浙江巨化股份有限公司

巨化股份是國內(nèi)一家氟化工企業(yè),已形成包括基礎(chǔ)配套原料、新型氟 致冷劑、有機(jī)氟單體、含氟聚合物、精細(xì)化學(xué)品等在內(nèi)的完整的氟化工產(chǎn)業(yè)鏈,近年來其積極布局電子化學(xué)材料產(chǎn)業(yè),其曾經(jīng)的全資子公司浙江凱圣氟化學(xué)有限公司是國內(nèi)主要電子級氫氟酸生產(chǎn)企業(yè)之一。

2018年3月,巨化股份宣布將旗下兩大子公司浙江博瑞電子科技有限公司100%股權(quán)和浙江凱圣氟化學(xué)有限公司100%股權(quán)轉(zhuǎn)讓中巨芯科技有限公司,后者為巨化股份與大基金等單位共同合資設(shè)立,其中巨化股份持股比例39%。

近期,巨化股份在互動(dòng)平臺上表示,中巨芯科技旗下的凱圣公司PPT級氫氟酸目前訂單飽滿,生產(chǎn)滿負(fù)荷。為了滿足市場需求,擴(kuò)建項(xiàng)目正抓緊收尾,預(yù)計(jì)第四季度投產(chǎn),投產(chǎn)后產(chǎn)能將增加一倍,并表示三星為凱圣公司重要客戶。

6.廣州天賜高新材料股份有限公司

廣州天賜高新材料股份有限公司成立于2000年,致力于精細(xì)化工新材料的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,目前擁有鋰離子電池材料、日化材料和特種化學(xué)品兩大業(yè)務(wù)板塊。天賜材料旗下控股子公司安徽天孚氟材料有限公司主要生產(chǎn)和銷售氟化氫、氟化氫銨、氟化銨等氟化工產(chǎn)品,建有1萬噸/年無水氟化氫產(chǎn)線。

2018年1月,天賜材料董事會同意公司控股子公司安徽天孚使用自籌資金投資建設(shè)年產(chǎn)5萬噸氟化氫、年產(chǎn)2.5萬噸電子級氫氟酸改擴(kuò)建項(xiàng)目,項(xiàng)目總投資1.22億元,今年1月宣布將該項(xiàng)目總投資變更為1.5億元。

今年7月,天賜材料在互動(dòng)平臺上表示,安徽天孚現(xiàn)有的無水氟化氫主要為公司六氟磷酸鋰的主要原料,為工業(yè)級;而安徽天孚年產(chǎn)5萬噸氟化氫、年產(chǎn)2.5萬噸電子級氫氟酸改擴(kuò)建項(xiàng)目目前處于前期設(shè)計(jì)階段。

7.浙江三美化工股份有限公司

浙江三美化工股份有限公司成立于2001年,主要從事氟碳化學(xué)品和無機(jī)氟產(chǎn)品等氟化工產(chǎn)品的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,其中無機(jī)氟產(chǎn)品主要包括無水氟化氫、氫氟酸等,主要用于氟化工行業(yè)的基礎(chǔ)原材料或刻蝕玻璃、金屬清洗及表面處理等。

2018年10月,三美股份招股書顯示,擬募集資金投資新建江蘇三美1萬噸高純電子級氫氟酸項(xiàng)目等多個(gè)項(xiàng)目,正式進(jìn)入高純電子級氫氟酸領(lǐng)域。今年7月,三美股份在互動(dòng)平臺上透露,江蘇三美1萬噸高純電子級氫氟酸項(xiàng)目尚未開工建設(shè)。

三美股份2019年半年報(bào)顯示,公司與日本森田通過參股公司浙江森田新材料有限公司合作開展蝕刻級氫氟酸、氟化銨研發(fā)和產(chǎn)能建設(shè),產(chǎn)品可用于半導(dǎo)體領(lǐng)域,有望打破國際壟斷,森田新材料在建的2萬噸/年蝕刻級氫氟酸項(xiàng)目已進(jìn)入設(shè)備安裝階段,預(yù)計(jì)本年底完成項(xiàng)目建設(shè),進(jìn)入試生產(chǎn)準(zhǔn)備階段。

8.湖北興力電子材料有限公司

湖北興力電子材料有限公司成立于2018年11月,是由是湖北興發(fā)化工集團(tuán)股份有限公司和Forerunner Vision Holding Limited出資設(shè)立的合資企業(yè),主要從事電子級氫氟酸、氟化銨、無水氟化氫、緩沖氫氟酸蝕刻液的生產(chǎn)、研發(fā)、銷售。

興發(fā)集團(tuán)是中國大陸主要電子化學(xué)品生產(chǎn)企業(yè)之一,其將通過與Forerunner合資成立興力電子,引進(jìn)Forerunner關(guān)聯(lián)企業(yè)——中國臺灣企業(yè)僑力化工股份有限公司的電子級氫氟酸等技術(shù),建設(shè)3萬噸/年電子級氫氟酸項(xiàng)目。

該項(xiàng)目總投資3.65億元,建成后總生產(chǎn)規(guī)模將為電子級氫氟酸3萬噸/年、電子級氟化銨1.2萬噸/年、BHF1.2萬噸/年。項(xiàng)目分兩期建設(shè),一期投資2億元,將具備年產(chǎn)1.5萬噸電子級氫氟酸、6千噸電子級氟化銨、6千噸BHF、6千噸工業(yè)級氫氟酸生產(chǎn)能力。2019年5月,該項(xiàng)目正式開工。

9.鷹鵬化工有限公司

鷹鵬化工有限公司是中國氟化工主要企業(yè)之一,是鷹鵬集團(tuán)的核心企業(yè),主要產(chǎn)品有無水氟化氫、工業(yè)氫氟酸、二氟一氯甲烷、ODS替代品等。官網(wǎng)顯示,鷹鵬集團(tuán)以氟化工產(chǎn)業(yè)為基石,已形成了具有規(guī)模化、產(chǎn)品種類齊全的產(chǎn)業(yè)鏈,成功開發(fā)了電子級氫氟酸、電子級硫酸等產(chǎn)品。

2009年,鷹鵬化工與中國鷹鵬集團(tuán)控股有限公司共同出資組建宣城亨泰電子化學(xué)材料有限公司,該公司投資新建12000噸電子級氫氟酸項(xiàng)目。2013年項(xiàng)目一期建設(shè)完畢并于2014年驗(yàn)收,建設(shè)一條年產(chǎn)6000噸電子級氫氟酸生產(chǎn)線,并配套的公用和輔助工程可滿足12000噸電子級氫氟酸生產(chǎn)能力要求。

2018年,宣城亨泰電子擬啟動(dòng)年產(chǎn)12000噸電子級氫氟酸(二期6000噸)項(xiàng)目建設(shè)。環(huán)評公示顯示,宣城亨泰電子將在一期廠址預(yù)留區(qū)域建設(shè)二期年產(chǎn)6000噸電子級氫氟酸生產(chǎn)線,項(xiàng)目建設(shè)完成后,計(jì)劃年產(chǎn)6000噸ppb級氫氟酸,屆時(shí)全廠可達(dá)12000噸電子級氫氟酸生產(chǎn)規(guī)模。

10.蘇州晶瑞化學(xué)股份有限公司

蘇州晶瑞化學(xué)股份有限公司成立于2001年,是一家生產(chǎn)銷售微電子業(yè)用超純化學(xué)材料和其他精細(xì)化工產(chǎn)品的企業(yè),主導(dǎo)產(chǎn)品包括超凈高純試劑、光刻膠、功能性材料和鋰電池粘結(jié)劑四大類微電子化學(xué)品,超凈高純試劑主要包括超純氫氟酸、硝酸、雙氧水、鹽酸、硫酸等。

氫氟酸方面,晶瑞股份公告顯示其擁有自主開發(fā)的超大規(guī)模集成電路用超純氫氟酸技術(shù),承擔(dān)了國家火炬計(jì)劃“微電子用超凈超純氫氟酸”。官方消息顯示,其超凈高純試劑中氟化銨、硝酸、鹽酸、氫氟酸達(dá)到G3、G4等級,可滿足光伏太陽能、LED和面板行業(yè)的客戶需求。

SK海力士公布新產(chǎn)品規(guī)劃:2030年推800+層堆疊NAND Flash,屆時(shí)SSD可達(dá)200TB

SK海力士公布新產(chǎn)品規(guī)劃:2030年推800+層堆疊NAND Flash,屆時(shí)SSD可達(dá)200TB

目前,兩大韓系NAND Flash廠商──三星及SK海力士已經(jīng)公布了新NAND Flash產(chǎn)品的發(fā)展規(guī)劃。其中,三星宣布推出136層堆疊的第6代V-NAND Flash,SK海力士則是宣布成功開發(fā)出128層堆疊的4D NAND Flash,并已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段。

不過,雖然兩家廠商競相推出NAND Flash的新產(chǎn)品,但是堆疊技術(shù)的發(fā)展至今仍未到達(dá)極限。所以,SK海力士日前在一場會議上就公布了公司的規(guī)劃,預(yù)計(jì)在2030年推出800+層的NAND Flash,屆時(shí)將可輕松打造出100到200TB容量的SSD。

在日前舉行的“Flash Memory Summit”大會上,SK海力士公布旗下新產(chǎn)品的規(guī)劃以及公司的相關(guān)布局。根據(jù)內(nèi)容指出,目前SK海力士正在開發(fā)128層堆疊的4D NAND Flash,其量產(chǎn)時(shí)間將落在2019年第4季。

另外,SK海力士還展示了一款“PE8030”的全新SSD,采用PCIe 4.0×4介面連接,提供了800GB、1600GB、3200GB、6400GB容量,連續(xù)讀寫速度最高可達(dá)6200MB/s、3300MB/s,而4KB隨機(jī)讀寫最高可達(dá)950K IOPS、260K IOPS。

在研發(fā)發(fā)展方面,目前SK海力士正在研發(fā)176層NAND Flash,而其他產(chǎn)品的發(fā)展,包括72層堆疊的4D NAND Flash目前在大規(guī)模量產(chǎn)中,96層堆疊的4D NAND Flash目前也在大規(guī)模量產(chǎn)中,而且未來產(chǎn)能即將超越72層堆疊的4D NAND Flash。

128層堆疊的4D NAND Flash將于2019年第4季量產(chǎn),176層堆疊產(chǎn)品2020年問世、500層堆疊產(chǎn)品則將于2025年問世,其TB/wafer容量比將可提升30%。而800+堆疊的4D NAND Flash則是預(yù)計(jì)2030年問世,TB/wafer容量比提升到100到200TB的大小。

據(jù)了解,目前SK海力士生產(chǎn)的128層堆疊NAND Flash核心容量是1Tbit,176層堆疊的核心容量則是來到1.38Tbit,預(yù)計(jì)500層堆疊時(shí)核心容量可達(dá)3.9Tbit,到800層堆疊時(shí)則會高達(dá)6.25Tbit,是現(xiàn)在的6倍多。

若以當(dāng)前SSD固態(tài)硬盤的容量計(jì)算,目前最大容量約在15到16TB左右。而依照6倍核心容量的成長幅度來計(jì)算,未來SSD容量可達(dá)200TB左右,這個(gè)容量要比當(dāng)前的HDD還要更大。

日韓貿(mào)易戰(zhàn)升溫,三星與海力士相關(guān)原料庫存恐僅剩1.5個(gè)月

日韓貿(mào)易戰(zhàn)升溫,三星與海力士相關(guān)原料庫存恐僅剩1.5個(gè)月

根據(jù)韓國媒體報(bào)導(dǎo),自7月初日本宣布半導(dǎo)體材料管制出口韓國,韓國主要半導(dǎo)體廠商至今已一個(gè)月未能從日本進(jìn)口高純度氟化氫及光阻劑等材料。市場預(yù)計(jì),韓國三星電子與SK海力士原料庫存僅能維持2.5個(gè)月,目前剩下1.5個(gè)月庫存,日本對韓國原料管制出口措施影響力,預(yù)計(jì)將在第3季末開始發(fā)酵。

由于日本對韓國的外銷審查已實(shí)施一個(gè)月,韓國業(yè)界推測,SK海力士剩下的高純度氟化氫與光阻劑庫存只剩下1.5個(gè)月分量,三星電子的情況也大致相同,雖然三星電子副會長李在熔曾于7月中旬訪日,當(dāng)時(shí)傳出已取得相關(guān)原料供應(yīng)管道。不過,如今庫存仍不足,顯見當(dāng)時(shí)并未順利解決原料取得問題。

盡管如此艱難,韓國半導(dǎo)體制造公司也仍在尋求其他國家相關(guān)原料進(jìn)口,不過,尋找另外供應(yīng)商還要一些時(shí)間,即便找到合適的外部供應(yīng)商,半導(dǎo)體公司還要測試這些原料,并花時(shí)間轉(zhuǎn)換生產(chǎn)線。這對半導(dǎo)體行業(yè)影響極巨大。

《科技新報(bào)》日前曾獨(dú)家報(bào)導(dǎo),這次日本控管3項(xiàng)高科技原物料出口韓國,并非完全針對韓國的經(jīng)濟(jì)制裁,而是日本政府擔(dān)心,這些原物料有可能非法出口到朝鮮或伊朗受管制的國家或地區(qū),因此要求嚴(yán)格控管查核申報(bào)的內(nèi)容。此前的審核流程是一次查核后就可多次進(jìn)口產(chǎn)品,如今每次進(jìn)口都要查核,三星也證實(shí)的確沒有受日本政府刁難進(jìn)口原料。并非日本禁止這些原物料出口韓國,而是查核時(shí)間拉長,導(dǎo)致出口時(shí)間延后。

不過8月2日,日本宣布將韓國踢出簡化出口手續(xù)的白名單,為了應(yīng)對日本,韓國也將日本移出白名單,貿(mào)易戰(zhàn)開始升溫。日本會不會因此收緊控管出口韓國,目前不得而知。

目前日本每批原物料出口查核時(shí)間約45天,以日本政府自7月初開始嚴(yán)格控管出口韓國計(jì)算,預(yù)計(jì)8月中若第一批產(chǎn)品可出口,則狀況就能解決。反之,韓國半導(dǎo)體生產(chǎn)恐將面臨壓力。

即使最壞的情況下,也就是日本最后決定禁止相關(guān)原物料出口韓國,存儲器廠商部分也還有海外工廠生產(chǎn)可解套,如三星在中國有西安存儲器廠,SK海力士在無錫也有存儲器生產(chǎn)線,海外工廠都有辦法生產(chǎn)存儲器以滿足市場的需求。

就晶圓代工方面來說,用于7納米以下EUV制程的光阻劑遭日本管制,未來發(fā)展先進(jìn)制程就會遭遇困難。因此,日韓雙方貿(mào)易問題要如何解決,還有待后續(xù)觀察。

SK海力士第2季凈利年衰退88% 將下修產(chǎn)能和投資

SK海力士第2季凈利年衰退88% 將下修產(chǎn)能和投資

韓國存儲器大廠SK海力士25日公布2019年第2季的獲利狀況,因?yàn)槭艿酱鎯ζ鲀r(jià)格持續(xù)低迷,以及日韓貿(mào)易摩擦等因素的沖擊,凈獲利較2018年同期大降了88%之多,使得SK海力士不得不繼三星傳出要延后平澤P2存儲器產(chǎn)線的投資之后,也宣布該公司的生產(chǎn)調(diào)整計(jì)劃。

根據(jù)SK海力士所公布的資料顯示,2019年第2季的營收為6.5萬億韓元,較2019年下滑38%。營業(yè)利益則是來到6,380億韓元,較2018年同期大幅下滑了89%。凈利則是來到5,370億韓元,較2018年同期的4.3萬億韓元大跌了88%,也低于市場原本預(yù)估的8,280億韓元的金額。

Source:SK海力士

面對2019年第2季成績單,再加上接下來市場有更多不確定因素圍繞之下,SK海力士也宣布,2020年的資本支出將會明顯低于2019年。

除此之外,在DRAM產(chǎn)能部分,將自2019年第4季開始下調(diào),至于NAND Flash快閃存儲器方面,產(chǎn)能的減幅也會從之前宣布的10%,擴(kuò)大至15%的比率。而SK海力士的調(diào)整產(chǎn)能計(jì)劃,也將連帶重新審視韓國兩座晶圓廠的擴(kuò)產(chǎn)時(shí)間。

SK海力士表示,在DRAM方面,由于SK海力士積極的因應(yīng)行動(dòng)和PC市場對大容量產(chǎn)品日益增加的需求,DRAM bit出貨較上季增加了13%,但是在市場價(jià)格持續(xù)疲軟的情況之下,平均銷售價(jià)格下降了24%。

另外,2019下半年服務(wù)器DRAM需求依然低迷,行動(dòng)型DRAM市場的不確定性增加。然而,PC對圖形DRAM的需求從2019年第2季末開始恢復(fù),預(yù)計(jì)這種趨勢將延續(xù)到下半年。

而在NAND Flash快閃存儲器方面,因?yàn)镹AND Flash快閃存儲器價(jià)格下跌后,刺激需求復(fù)蘇,bit出貨量較第1季成長40%,但平均銷售價(jià)格下降了25%。預(yù)計(jì)到2019下半年,隨著市場需求的復(fù)蘇,將加快原廠庫存消耗,有助于平衡供需失衡的市況,同時(shí)也將減緩價(jià)格下滑的速度。

至于,在存儲器的技術(shù)發(fā)展上,SK海力士指出,計(jì)劃繼續(xù)開發(fā)下一代技術(shù),并大量銷售高附加值的產(chǎn)品。其中,DRAM將由10納米級第一代的1x納米,向第二代的1y納米技術(shù)精進(jìn),到2019年底前生產(chǎn)比例將增加到80%,并開始在下半年銷售PC市場所需的10納米級第二代1y納米DRAM。

而NAND Flash方面,目前主要技術(shù)是72層堆疊的3D NAND Flash,計(jì)劃在2019下半年透過增加96層4D NAND Flash的比例,專注于高端智能手機(jī)和SSD市場需求。此外,128GB(1Tb)TLC 4D NAND將開始大規(guī)模生產(chǎn)和銷售。

Q2業(yè)績出爐 SK海力士將下修產(chǎn)能和投資

Q2業(yè)績出爐 SK海力士將下修產(chǎn)能和投資

SK海力士今日公布了第二季度業(yè)績,海力士表示將會削減投資和產(chǎn)能,以推動(dòng)芯片需求的適度反彈。

據(jù)英國金融時(shí)報(bào)、路透社、韓聯(lián)社報(bào)導(dǎo),SK海力士25日公布的Q2財(cái)報(bào)顯示,營收年減38%至6.45兆韓元(約54.7億美元);凈利潤從去年同期的4.3兆韓元大減88%至5,370億韓元(約4.6億美元)。

營業(yè)利潤方面,較去年同期驟減89%至6,376億韓元 (約5.4億美元),這一數(shù)字低于財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)公司Refinitiv SmartEstimate預(yù)估的8,280億韓元。

source:SK Hynix

SK海力士一位高管表示:“我們正在盡力保障芯片材料的庫存……但如果日本出口管制拖得太久,公司不排除中斷生產(chǎn)?!?/p>

SK海力士表示,將從第四季度開始削減DRAM產(chǎn)能,并對NAND晶圓投入減幅從此前的10%修正至15%以上,并且明年的投資將明顯低于今年。

由于芯片供過于求,再加上中美貿(mào)易摩擦對全球智能手機(jī)等電子產(chǎn)品市場造成影響,NAND芯片的價(jià)格在過去一年中大幅下跌。

在季度業(yè)績公布后,SK海力士的股價(jià)大幅上漲近3%,而大盤股價(jià)則下跌0.4%。

SK海力士發(fā)布Q2季度財(cái)報(bào):盈利暴跌88%

SK海力士發(fā)布Q2季度財(cái)報(bào):盈利暴跌88%

內(nèi)存價(jià)格下滑已經(jīng)成為韓國兩大半導(dǎo)體巨頭三星、SK海力士的頭等大事,三星因此推遲了投資高達(dá)30萬億韓元的平澤P2工廠建設(shè),SK海力士今天發(fā)布的Q2季度財(cái)報(bào)中也面臨業(yè)績暴跌的問題。

根據(jù)SK海力士發(fā)布的數(shù)據(jù),Q2季度中營收6.45萬億韓元,同比下滑38%,運(yùn)營利潤只有6376億韓元,同比暴跌了89%,凈利潤僅為5370億韓元,約合4.6億美元,同比暴跌了88%,創(chuàng)下了三年來最低記錄。

SK海力士業(yè)績暴跌的主要原因還是跟內(nèi)存價(jià)格有關(guān),該公司表示需求復(fù)蘇沒有達(dá)到預(yù)期,但價(jià)格下跌幅度超過了預(yù)期。為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn),SK海力士也宣布靈活調(diào)整生產(chǎn)和投資計(jì)劃,確定在Q4季度削減內(nèi)存產(chǎn)能。

除了內(nèi)存價(jià)格暴跌之外,韓國半導(dǎo)體行業(yè)還會緊急應(yīng)對日本的制裁,本月4日起日本對出口到韓國的三種重要原材料進(jìn)行管制,其中光刻膠、高純度氟化氫是芯片生產(chǎn)必不可少的,這方面三星、SK海力士基本上都要依賴日本公司供應(yīng),一旦原材料跟不上,韓國公司的存儲芯片生產(chǎn)也會受到嚴(yán)重影響。

內(nèi)存兩周漲價(jià)23% 三星要在韓國建氟化氫工廠

內(nèi)存兩周漲價(jià)23% 三星要在韓國建氟化氫工廠

由于日本本月初開始管制對韓國出口的氟聚酰亞胺、光刻膠及氟化氫三種材料,連跌了3個(gè)季度的內(nèi)存價(jià)格走勢開始撲朔迷離,因?yàn)檫@三種材料中有兩種都會影響到半導(dǎo)體芯片生產(chǎn),韓國三星、SK海力士等公司都要依賴日本供應(yīng)。

根據(jù)集邦科技旗下的半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchange的數(shù)據(jù),8Gb DDR4顆粒的現(xiàn)貨價(jià)格上周末收盤時(shí)為3.74美元,比上上周的價(jià)格漲了14%,比7月5日的價(jià)格漲了23%。

值得注意的是,4日是日本正式管制出口的日子,5日內(nèi)存價(jià)格就開始應(yīng)聲而漲了。在這樣的情況下,如何確保公司的內(nèi)存、閃存芯片生產(chǎn)已經(jīng)成為三星的頭等大事。

日前有傳聞稱三星將在美國加大投資,建設(shè)芯片工廠為蘋果提供芯片,這件事還是美國總統(tǒng)訪韓國時(shí)雙方投資談判計(jì)劃的一部分,不過三星官方已經(jīng)否認(rèn)了在美國建廠的傳聞。

三星表示該公司目前不會擴(kuò)大在美國的工廠,更希望在韓國本土建立高純度氟化氫工廠。

高純度氟化氫是半導(dǎo)體制造生產(chǎn)過程中所需的重要材料,700多道工藝中有50多道工藝都要用到氟化氫來清洗或者蝕刻晶圓、設(shè)備,目前韓國公司主要依賴日本公司的供應(yīng)。

原材料供應(yīng)吃緊 韓國SK海力士CEO赴日本探討供應(yīng)問題

原材料供應(yīng)吃緊 韓國SK海力士CEO赴日本探討供應(yīng)問題

北京時(shí)間7月22日早間消息,據(jù)韓聯(lián)社報(bào)道,韓國芯片制造商SK海力士CEO李錫熙(LeeSeok-hee)周日飛往日本,解決原材料問題。

SK海力士聲稱,CEO飛往日本只為尋找方法,看看有沒有辦法確保半導(dǎo)體材料供應(yīng)。李錫熙將會在日本停留幾天,與SK海力士日本合作伙伴的高管會談,探討如何獲取受限原材料。另外,未來日本有可能進(jìn)一步加強(qiáng)管制,李錫熙還要尋找應(yīng)對措施。

一位行業(yè)內(nèi)部人士稱:“據(jù)悉,在日本宣布限制出口之后,SK海力士立即進(jìn)入緊急狀態(tài)……公司CEO介入主要是因?yàn)閱栴}似乎沒有任何緩和的跡象?!?/p>

此前,日本對一些關(guān)鍵半導(dǎo)體材料加強(qiáng)對韓國的出口管制,沖擊包括三星電子在內(nèi)的韓國芯片制造商。月初時(shí),三星電子副會長李在镕飛往日本,希望為能為關(guān)鍵材料找到應(yīng)急儲備貨源。