韓媒:SK海力士已開始測(cè)試國(guó)產(chǎn)高純度氟化氫

韓媒:SK海力士已開始測(cè)試國(guó)產(chǎn)高純度氟化氫

近期,日本對(duì)韓國(guó)提出貿(mào)易制裁,令韓國(guó)業(yè)者傷透腦筋。據(jù)報(bào)導(dǎo),韓國(guó)第二大存儲(chǔ)器芯片大廠SK海力士(SK Hynix)已開始測(cè)試從國(guó)內(nèi)采購(gòu)的高純度氟化氫,以應(yīng)對(duì)日本的半導(dǎo)體材料供應(yīng)禁令。

韓媒《Business Korea》報(bào)導(dǎo),SK海力士正在測(cè)試的高純度氟化氫是由韓國(guó)公司SoulBrain提供,生產(chǎn)原料來(lái)自中國(guó)。此外,三星電子(Samsung Electronics)也已在部份半導(dǎo)體制程中,使用國(guó)內(nèi)采購(gòu)的高純度氟化氫。

為開辟更多進(jìn)口來(lái)源,韓國(guó)半導(dǎo)體制造商也考慮從俄羅斯進(jìn)口關(guān)鍵性化學(xué)原料。日本對(duì)韓國(guó)實(shí)施外銷限制的半導(dǎo)體材料包括光阻劑(用于半導(dǎo)體及面板制程)、高純度氟化氫(在芯片制程中用來(lái)蝕刻芯片)、氟聚醯亞胺(OLED面板材料)。其中,作為半導(dǎo)體制程必備材料的高純度氟化氫,韓國(guó)對(duì)日本的進(jìn)口依賴度將近100%。

另外,三星最近已向中國(guó)西安和美國(guó)德州的化學(xué)材料制造商投下大筆訂單,采購(gòu)高純度氟化氫。

韓聯(lián)社日前報(bào)導(dǎo),三星集團(tuán)掌門人李在熔結(jié)束為期6天的訪日行程,上周六(7月13日)他在高層特別會(huì)議上表示,已緊急調(diào)度三種關(guān)鍵高科技材料,目前安全庫(kù)存無(wú)虞,能順利避免供應(yīng)中斷而生產(chǎn)停擺的難題。

目前尚不清楚三星取得三種高科技材料的數(shù)量和方式,但消息人士表示,這足以讓三星在一段時(shí)間內(nèi),運(yùn)用現(xiàn)有庫(kù)存避免生產(chǎn)中斷危機(jī)。產(chǎn)業(yè)人士研判,三星不會(huì)直接向日本企業(yè)進(jìn)口,而是繞過(guò)日本政府禁令,尋求其他管道購(gòu)買這類材料。

法新社7月13日?qǐng)?bào)導(dǎo),根據(jù)韓亞金融經(jīng)營(yíng)研究所(Hana Institute of Finance)的數(shù)據(jù),三星和SK海力士是蘋果、華為和亞馬遜等科技巨頭的主要供應(yīng)商,在全球芯片市場(chǎng)拿下近三分之二的市占率。

韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(Korea Semiconductor Industry Association)副會(huì)長(zhǎng)Ahn Ki-hyun指出,韓國(guó)在芯片制造領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位,而日本是芯片關(guān)鍵原料的全球領(lǐng)導(dǎo)者,隨著貿(mào)易爭(zhēng)端爆發(fā),兩國(guó)都失去了最好的合作伙伴,很難在短時(shí)間內(nèi)找到更好的選擇。他續(xù)指,這將導(dǎo)致芯片技術(shù)停滯甚至倒退,芯片可能供不應(yīng)求,導(dǎo)致價(jià)格上漲。

韓國(guó)經(jīng)濟(jì)研究所(Korea Economic Research Institute,KERI)研究員Cho Kyeong-yeop先前預(yù)估,若韓國(guó)企業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體所需的材料供應(yīng)量下降30%,將導(dǎo)致韓國(guó)國(guó)內(nèi)生產(chǎn)毛額(GDP)成長(zhǎng)率降至2.2%。

SK海力士重慶芯片封裝項(xiàng)目二期或于9月投產(chǎn)

SK海力士重慶芯片封裝項(xiàng)目二期或于9月投產(chǎn)

重慶晨報(bào)報(bào)道,據(jù)SK海力士半導(dǎo)體(重慶)有限公司對(duì)外協(xié)力總監(jiān)姜真守透露,目前,SK海力士重慶芯片封裝項(xiàng)目二期工程正進(jìn)行設(shè)備搬入,將在9月前后陸續(xù)投產(chǎn)。

據(jù)悉,二期工程投產(chǎn)后,SK海力士重慶項(xiàng)目產(chǎn)能將擴(kuò)至現(xiàn)在的2.5倍,年生產(chǎn)芯片將有望接近20億只。屆時(shí),SK海力士重慶公司芯片年產(chǎn)量將占到整個(gè)SK海力士閃存產(chǎn)品的40%以上,成為其全球海外最大的封裝測(cè)試基地。

2013年5月,SK海力士在重慶西永微電園設(shè)立SK海力士半導(dǎo)體(重慶)有限公司,投資建設(shè)NAND Flash存儲(chǔ)芯片封裝測(cè)試生產(chǎn)線。該項(xiàng)目一期投資3億美元,占地面積500畝,2014年正式投產(chǎn),目前,一期工程年產(chǎn)能在9.6億只芯片左右。

2017年,該公司與重慶市政府簽訂了10億美元的二期投資協(xié)議,2018年7月,SK海力士半導(dǎo)體二期工程正式開工。目前,外墻主體等施工已經(jīng)全部結(jié)束,在6月消防驗(yàn)收合格后,正有序進(jìn)行生產(chǎn)設(shè)備的搬入。

重慶晨報(bào)報(bào)道,該項(xiàng)目投產(chǎn)后,一期工程和二期工程合并產(chǎn)能將是現(xiàn)有產(chǎn)能的2.5倍。屆時(shí),重慶公司芯片年產(chǎn)量將占到整個(gè)SK海力士閃存產(chǎn)品的40%以上,成為其全球海外最大的封裝測(cè)試基地。

“目前,封裝和測(cè)試均在一期工程內(nèi)完成,二期工程建成后,一期工程將專事測(cè)試、二期工程則專事封裝。”姜真守表示。

據(jù)了解,SK海力士半導(dǎo)體(重慶)有限公司位于重慶西永綜合保稅區(qū),占地28萬(wàn)平方米,累計(jì)注冊(cè)資本達(dá)4億美金,是SK海力士在重慶投資建設(shè)的半導(dǎo)體后工序(封裝測(cè)試)工廠,包括半導(dǎo)體產(chǎn)品的探針測(cè)裝、封裝、封裝測(cè)試、模塊裝配和模塊測(cè)試等半導(dǎo)體后工序服務(wù),以及半導(dǎo)體產(chǎn)品和同類產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)。

目前,其適用于移動(dòng)終端的閃存產(chǎn)品NAND Flash,已成為華為、vivo、OPPO、小米等手機(jī)制造商和聯(lián)想筆記本等企業(yè)的主力供貨商。

姜真守表示,未來(lái)SK海力士還將以重慶二期項(xiàng)目為契機(jī),引進(jìn)先進(jìn)集成電路的封裝、測(cè)試、生產(chǎn)、管理和技術(shù),同時(shí)培養(yǎng)一大批具有技術(shù)創(chuàng)新能力、國(guó)際化經(jīng)營(yíng)管理能力、能參與產(chǎn)業(yè)相關(guān)國(guó)際事務(wù)的生力軍,打造世界領(lǐng)先的集成電路封裝測(cè)試企業(yè)。

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傳SK海力士欲收購(gòu)英特爾大連NAND工廠?成局可能性有待觀察

傳SK海力士欲收購(gòu)英特爾大連NAND工廠?成局可能性有待觀察

近日,市場(chǎng)傳出韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士計(jì)劃收購(gòu)處理器大廠英特爾(Intel)位于中國(guó)大連的Fab 68工廠,目前進(jìn)展是SK海力士正在跟英特爾進(jìn)行談判中。

對(duì)此,截至發(fā)稿前,SK海力士和英特爾雙方均未作出回應(yīng)。不過(guò)業(yè)內(nèi)人士分析,由于日韓貿(mào)易戰(zhàn)事件目前仍屬短期影響,加上SK海力士與英特爾采用技術(shù)架構(gòu)不同,SK海力士也已有新廠規(guī)劃,因此,倘若傳聞是真的,該收購(gòu)案最終能否實(shí)現(xiàn)依然還有待觀察。

首先,有傳言稱,SK海力士欲收購(gòu)英特爾大連NAND工廠是源自于日韓貿(mào)易戰(zhàn)后的考量,然而,日韓材料事件屬短期影響,難以成為吸引力。

其次,從SK海力士的產(chǎn)能規(guī)劃來(lái)看,SK海力士已有NAND新廠規(guī)劃,產(chǎn)能規(guī)模并不小于英特爾大連廠,加上考量NAND Flash市場(chǎng)供需短中期仍處于供過(guò)于求,且長(zhǎng)江存儲(chǔ)明年也將加入戰(zhàn)局,對(duì)SK海力士而言,這個(gè)時(shí)間點(diǎn)收購(gòu)英特爾大連廠反而增添負(fù)擔(dān)。

另外,從技術(shù)方面來(lái)看,SK海力士和英特爾在3D NAND 技術(shù)架構(gòu)并不相同,SK海力士收購(gòu)此廠未必能銜接。加上SK海力士和英特爾在eSSD 是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手,買入英特爾大連廠并持續(xù)提供Flash 給英特爾并不適宜。相較之下,SK海力士可能比較希望得到英特爾 3D XPoint技術(shù),以強(qiáng)化自身在新世代存儲(chǔ)器或Storage Class Memory (SCM)的布局。

最后,就財(cái)務(wù)面而言,SK海力士已面臨NAND Flash的虧損,而其DRAM也同樣面臨價(jià)格持續(xù)下跌的壓力,對(duì)SK海力士而言,保留現(xiàn)金或許是更佳的選擇。

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官宣!SK海力士量產(chǎn)業(yè)界首款128層4D NAND芯片

官宣!SK海力士量產(chǎn)業(yè)界首款128層4D NAND芯片

SK海力士26日正式宣布,已成功開發(fā)并開始量產(chǎn)世界上第一款128層1Tb TLC 4D NAND閃存芯片。而就在8個(gè)月前,該公司宣布了96層4D NAND芯片。

?source: SK Hynix?

這款128層的1Tb NAND閃存芯片實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高的垂直堆疊,擁有3600多億個(gè)NAND單元,每個(gè)單元在一個(gè)芯片上存儲(chǔ)3位。為了實(shí)現(xiàn)此工藝,SK海力士在自家的4D NAND技術(shù)上應(yīng)用了大量創(chuàng)新技術(shù),包括“超均勻垂直蝕刻技術(shù)”、“高可靠性多層薄膜細(xì)胞形成技術(shù)”和超快速低功耗電路設(shè)計(jì)等。

新產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了TLC NAND閃存業(yè)界最高的1Tb密度。許多存儲(chǔ)器公司已經(jīng)開發(fā)了1Tb QLC NAND產(chǎn)品,但SK 海力士是第一個(gè)將1Tb TLC NAND商業(yè)化的。TLC在NAND市場(chǎng)中占有85%以上的份額,具有良好的性能和可靠性。

SK海力士的4D NAND最大的優(yōu)勢(shì)是芯片尺寸小,這使得超高密度NAND閃存得以實(shí)現(xiàn)。此前,該公司在2018年10月宣布了創(chuàng)新的4D NAND,是一款結(jié)合了3D CTF (電荷陷式Flash) 設(shè)計(jì)與PUC (Peri Under Cell) 技術(shù)的產(chǎn)品。

在相同的4D平臺(tái)和工藝優(yōu)化下,SK海力士在現(xiàn)有96層NAND的基礎(chǔ)上又增加了32層,使制造工藝總數(shù)減少了5%。與以往技術(shù)遷移相比,96層向128層NAND過(guò)渡的投資成本降低了60%,大大提高了投資效率。

相較于SK 海力士的96層4D NAND,新的128層1Tb 4D NAND可使每塊晶圓的位產(chǎn)能提高40%。SK海力士將從今年下半年開始發(fā)貨128層4D NAND閃存,同時(shí)繼續(xù)推出各種解決方案。

由于該產(chǎn)品采了單芯片四平面架構(gòu),數(shù)據(jù)傳輸速率在1.2V時(shí)可以達(dá)到1400mbps,可以支持高性能、低功耗的移動(dòng)解決方案以及企業(yè)SSD。

SK海力士計(jì)劃明年上半年為主要旗艦智能手機(jī)客戶開發(fā)下一代UFS 3.1產(chǎn)品。憑借128層1Tb NAND閃存,相較于512Gb NAND,1Tb產(chǎn)品所需的NAND數(shù)量將減少一半。海力士也將為客戶提供一個(gè)能在1毫米薄的封裝中,功耗降低20%的移動(dòng)解決方案。?

此外,公司計(jì)劃于明年上半年開始量產(chǎn)一款2TB的客戶端SSD,帶有內(nèi)部控制器及軟件。16TB和32TB用于云數(shù)據(jù)中心的NVMe SSD也將于明年發(fā)布。

“SK海力士憑借這款128層4D NAND芯片,確保了其NAND業(yè)務(wù)的基本競(jìng)爭(zhēng)力,”海力士執(zhí)行副總裁兼全球營(yíng)銷主管Jong Hoon Oh表示,“憑借這款產(chǎn)品以及業(yè)界最上乘的堆積與密度,我們將在合適時(shí)間為客戶提供多種解決方案?!?(編譯:Kevin)

聯(lián)手SK海力士等企業(yè),江蘇省打造半導(dǎo)體人才培養(yǎng)平臺(tái)

聯(lián)手SK海力士等企業(yè),江蘇省打造半導(dǎo)體人才培養(yǎng)平臺(tái)

江蘇中企教育科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“江蘇中企教育”)官微消息顯示,5月13日江蘇省工信廳與SK海力士集團(tuán)聯(lián)合發(fā)起的“打造江蘇省半導(dǎo)體人才培養(yǎng)平臺(tái)”簽約儀式在無(wú)錫SK海力士集團(tuán)總部舉行。

據(jù)介紹,江蘇省半導(dǎo)體人才培養(yǎng)平臺(tái)由江蘇省工信廳牽頭,聯(lián)合以SK海力士為首的半導(dǎo)體知名企業(yè)、江蘇省內(nèi)高校,共同搭建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才培養(yǎng)、評(píng)價(jià)、就業(yè)、交流的平臺(tái),計(jì)劃用3年時(shí)間為江蘇半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)卓越工程師100名、精英技術(shù)骨干人才250名,幫助產(chǎn)業(yè)解決高端人才急缺、招人難、用人難的問(wèn)題,也為省內(nèi)高校生提供更多的行業(yè)實(shí)踐及就業(yè)機(jī)會(huì)。

簽約儀式現(xiàn)場(chǎng),江蘇中企教育作為該計(jì)劃的組織方和運(yùn)營(yíng)、實(shí)施方,代表省工信廳與SK集團(tuán)簽訂了平臺(tái)打造的合作協(xié)議。在培養(yǎng)人才過(guò)程中,江蘇中企教育將組織半導(dǎo)體企業(yè)、高校等各方實(shí)現(xiàn)產(chǎn)學(xué)研深度融合,形成良好循環(huán)的合作關(guān)系,最終實(shí)現(xiàn)多方的共贏,助力江蘇半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

眾所周知,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在迅速發(fā)展的同時(shí)亦面臨著巨大的人才缺口,江蘇省作為全國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大省、無(wú)錫亦為國(guó)家微電子產(chǎn)業(yè)南方基地,江蘇省是半導(dǎo)體人才最緊缺的地區(qū)之一,近年來(lái)華虹無(wú)錫、SK海力士等重大項(xiàng)目的落戶,更是加劇了該省的人才供給緊張情況。

為緩解人才緊張,江蘇省正通過(guò)與半導(dǎo)體企業(yè)、高校等合作培養(yǎng)人才。此前SK海力士曾與東南大學(xué)、南京大學(xué)分別與無(wú)錫高新區(qū)、簽訂有關(guān)集成電路人才培養(yǎng)合作協(xié)議,江蘇省工信廳副廳長(zhǎng)李強(qiáng)表示,希望通過(guò)此次與SK海力士的合作,共同推動(dòng)江蘇半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)。

江蘇省打造半導(dǎo)體人才培養(yǎng)平臺(tái)  3年培養(yǎng)工程師100名、技術(shù)骨干250名

江蘇省打造半導(dǎo)體人才培養(yǎng)平臺(tái) 3年培養(yǎng)工程師100名、技術(shù)骨干250名

江蘇中企教育科技股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“江蘇中企教育”)官微消息顯示,5月13日江蘇省工信廳與SK海力士集團(tuán)聯(lián)合發(fā)起的“打造江蘇省半導(dǎo)體人才培養(yǎng)平臺(tái)”簽約儀式在無(wú)錫SK海力士集團(tuán)總部舉行。

據(jù)介紹,江蘇省半導(dǎo)體人才培養(yǎng)平臺(tái)由江蘇省工信廳牽頭,聯(lián)合以SK海力士為首的半導(dǎo)體知名企業(yè)、江蘇省內(nèi)高校,共同搭建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才培養(yǎng)、評(píng)價(jià)、就業(yè)、交流的平臺(tái),計(jì)劃用3年時(shí)間為江蘇半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)培養(yǎng)卓越工程師100名、精英技術(shù)骨干人才250名,幫助產(chǎn)業(yè)解決高端人才急缺、招人難、用人難的問(wèn)題,也為省內(nèi)高校生提供更多的行業(yè)實(shí)踐及就業(yè)機(jī)會(huì)。

簽約儀式現(xiàn)場(chǎng),江蘇中企教育作為該計(jì)劃的組織方和運(yùn)營(yíng)、實(shí)施方,代表省工信廳與SK集團(tuán)簽訂了平臺(tái)打造的合作協(xié)議。在培養(yǎng)人才過(guò)程中,江蘇中企教育將組織半導(dǎo)體企業(yè)、高校等各方實(shí)現(xiàn)產(chǎn)學(xué)研深度融合,形成良好循環(huán)的合作關(guān)系,最終實(shí)現(xiàn)多方的共贏,助力江蘇半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

眾所周知,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在迅速發(fā)展的同時(shí)亦面臨著巨大的人才缺口,江蘇省作為全國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大省、無(wú)錫亦為國(guó)家微電子產(chǎn)業(yè)南方基地,江蘇省是半導(dǎo)體人才最緊缺的地區(qū)之一,近年來(lái)華虹無(wú)錫、SK海力士等重大項(xiàng)目的落戶,更是加劇了該省的人才供給緊張情況。

為緩解人才緊張,江蘇省正通過(guò)與半導(dǎo)體企業(yè)、高校等合作培養(yǎng)人才。此前SK海力士曾與東南大學(xué)、南京大學(xué)分別與無(wú)錫高新區(qū)、簽訂有關(guān)集成電路人才培養(yǎng)合作協(xié)議,江蘇省工信廳副廳長(zhǎng)李強(qiáng)表示,希望通過(guò)此次與SK海力士的合作,共同推動(dòng)江蘇半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)人才的培養(yǎng)。

SK海力士重慶二期存儲(chǔ)芯片封測(cè)項(xiàng)目將于Q3投產(chǎn)

SK海力士重慶二期存儲(chǔ)芯片封測(cè)項(xiàng)目將于Q3投產(chǎn)

日前,重慶西永微電園消息稱,SK海力士位于重慶的二期存儲(chǔ)芯片封裝測(cè)試項(xiàng)目將于今年第三季度投產(chǎn)。

2013年5月,SK海力士在重慶西永微電園設(shè)立SK海力士半導(dǎo)體(重慶)有限公司,投資建設(shè)NAND Flash存儲(chǔ)芯片封裝測(cè)試生產(chǎn)線。該項(xiàng)目一期投資3億美元,2014年正式投產(chǎn)。2017年9月,SK海力士與重慶簽署有關(guān)二期項(xiàng)目的諒解備忘錄,二期追加注冊(cè)資本2.5億美元,累計(jì)投資額將達(dá)12億美元,2018年上半年開工。

據(jù)重慶西永微電園透露,SK海力士二期1.6萬(wàn)平方米主體建筑已建成,預(yù)計(jì)6月中旬進(jìn)行設(shè)備安裝,三季度陸續(xù)投產(chǎn)。投產(chǎn)后,項(xiàng)目合計(jì)產(chǎn)能是現(xiàn)在的2.5倍,芯片年產(chǎn)量將占到整個(gè)SK海力士閃存產(chǎn)品的40%以上, 成為SK海力士全球海外最大封裝基地。

韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)求變,存儲(chǔ)器廠商加大邏輯芯片布局

韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)求變,存儲(chǔ)器廠商加大邏輯芯片布局

市場(chǎng)傳出海力士有意收購(gòu)MagnaChip韓國(guó)清洲廠,若此交易成真,除海力士能借此提升自身8寸晶圓制造實(shí)力,增加自己于8寸晶圓代工市場(chǎng)的重要性外,MagnaChip也將以此資金持續(xù)開發(fā)新技術(shù),甚至轉(zhuǎn)型為專注芯片設(shè)計(jì)研發(fā)能力的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)廠商。

存儲(chǔ)器廠商加大邏輯芯片布局

全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局瞬息萬(wàn)變,半導(dǎo)體產(chǎn)品應(yīng)用中占比最大的存儲(chǔ)器產(chǎn)品,經(jīng)前幾年高度成長(zhǎng)后于2019年回檔下滑;而韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中,因其存儲(chǔ)器產(chǎn)品的重要性不言而喻,普遍被外界認(rèn)為會(huì)在2019年受到不小沖擊,因此韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠相繼提出與邏輯芯片相關(guān)之政策。

在海力士傳出有意出手MagnaChip廠房后,三星也刻意于近日對(duì)外公告集團(tuán)將大手筆投資133萬(wàn)億韓元于System LSI及晶圓代工事業(yè),規(guī)劃在2030年內(nèi)成為邏輯芯片領(lǐng)域的領(lǐng)頭羊。

不難想象,韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)過(guò)度依賴存儲(chǔ)器產(chǎn)品之議題,將在2019年不斷被產(chǎn)業(yè)界內(nèi)外,甚至是國(guó)家政府提起與關(guān)注。

MagnaChip或于未來(lái)轉(zhuǎn)型專業(yè)芯片設(shè)計(jì)廠商

MagnaChip先是在2018年將LCD顯示驅(qū)動(dòng)芯片事業(yè),自Display-SPG(Standard Product Group)轉(zhuǎn)移至芯片制造部門FSG(Foundry Service Group),又于2019年2月對(duì)外公告并暗示,將針對(duì)FSG進(jìn)行「策略性」進(jìn)化。

事實(shí)上,受惠于全球電源相關(guān)的半導(dǎo)體需求不斷提升,以及AMOLED面板顯示驅(qū)動(dòng)芯片需求急遽成長(zhǎng),MagnaChip對(duì)此二產(chǎn)品線的重視程度自然有增無(wú)減。

由于MagnaChip的制造工藝尚停留8寸節(jié)點(diǎn),隨著上述兩條產(chǎn)品線往12寸制造工藝邁進(jìn),MagnaChip也只能向外尋找其他12寸晶圓制造廠商為其代工。

此外,F(xiàn)ab 4清洲廠占MagnaChip總產(chǎn)能高達(dá)7成左右,若MagnaChip當(dāng)真計(jì)劃于未來(lái)脫手Fab 4清洲廠及FSG部門,推測(cè)MagnaChip正是在收斂方向及重新配置資源,集中投資芯片開發(fā)及設(shè)計(jì)能力的提升,往Fabless半導(dǎo)體廠商的方向前進(jìn)。

SK海力士出貨96層 1Tb QLC 4D NAND 樣品

SK海力士出貨96層 1Tb QLC 4D NAND 樣品

3D NAND 堆棧發(fā)展至 96 層,這是接下來(lái)一段時(shí)間內(nèi)的市場(chǎng)主流。

2018 年底,SK Hynix(SK海力士)發(fā)表 96 層堆棧快閃存儲(chǔ)器,是為 TLC 類型、單一裸晶容量 512Gb(64GB)產(chǎn)品,還特地取了個(gè)有意思的 4D NAND 名詞(本質(zhì)和 3D NAND 相仿)。SK Hynix 當(dāng)時(shí)曾預(yù)告,在 2019 年也就是今年的某個(gè)時(shí)間點(diǎn),自家 96 層堆棧產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展將進(jìn)入另一個(gè)階段,容量會(huì)倍增至 1Tb(128GB)。

SK Hynix 剛實(shí)現(xiàn)了這點(diǎn),官方宣布 96 層、1Tb 樣品已經(jīng)備妥,正陸續(xù)出貨提供給予主要的控制器、固態(tài)硬盤制造商。不過(guò)首波 1Tb 樣品屬于 QLC 類型,基于 4D NAND 架構(gòu)設(shè)計(jì)具有 4 個(gè)平面(Plane)、區(qū)塊容量 64KB,這數(shù)量規(guī)劃 2 倍于典型快閃存儲(chǔ)器(2 plane、32KB 之類規(guī)格),SK Hynix 強(qiáng)調(diào)這是確保性能的關(guān)鍵。

此外,SK Hynix 自己也投入 QLC 所適用控制器與韌體等開發(fā),計(jì)劃在 2020 年推出自有品牌企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤。SK Hynix 將致力于提升儲(chǔ)存密度,除了以追上硬盤 16TB 之類容量作為目標(biāo),更希望能夠吸引企業(yè)舍硬盤就固態(tài)硬盤。