日前，處理器大廠英特爾推出結(jié)合 DRAM 及 NAND Flash 優(yōu)點(diǎn)于其中的? Intel Optane 存儲(chǔ)器 H10，期望憑借著英特爾本身在服務(wù)器處理器上的市占率優(yōu)勢(shì)，將 H10 推廣到服務(wù)器當(dāng)中，進(jìn)一步挑戰(zhàn)目前服務(wù)器存儲(chǔ)器中三星與 SK 海力士的地位。

而對(duì)于來勢(shì)洶洶的英特爾，三星與 SK 海力士隨即表示，將推出相類似的產(chǎn)品以抗衡英特爾。因此，服務(wù)器存儲(chǔ)器大展進(jìn)入一觸即發(fā)的狀態(tài)。

根據(jù)韓國(guó)媒體《ETnews》的報(bào)導(dǎo)，英特爾日前推出將 Intel Optane 與 Intel QLC 3D NAND 技術(shù)結(jié)合在一個(gè) M.2 模塊當(dāng)中的 Intel Optane 存儲(chǔ)器 H10。雖然英特爾宣稱，H10 將適用于輕薄的筆記型計(jì)算機(jī)上，以及某些空間受限的桌上型計(jì)算機(jī)，提供了當(dāng)今傳統(tǒng) Triple Level Cell (TLC) 3D NAND SSD 無法滿足的更高效能，并且減少對(duì)于第 2 顆資料儲(chǔ)存設(shè)備的需求。

但是，因?yàn)?H10 具備著融合了 DRAM 與 NAND Flash 的優(yōu)點(diǎn)，那就是雖然在 DRAM 的存儲(chǔ)器速度比過去傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器稍慢，卻有著價(jià)格上的優(yōu)勢(shì)，而且具有 NAND Flash 斷電后資料依舊能保存，成為另外儲(chǔ)存空間的優(yōu)點(diǎn)。而且，因?yàn)橛⑻貭柵c美光多年來所開發(fā)的 3D XPoint 技術(shù)，可以將 NAND Flash 的速度提高 1,000 倍，而且延長(zhǎng)持續(xù)使用時(shí)間的情況下，更使其適合在服務(wù)器內(nèi)所使用。因此，對(duì)于當(dāng)前服務(wù)器存儲(chǔ)器的兩大廠商──三星與 SK 海力士來說的確造成威脅，使得三星與SK海力士也宣布將推出相類似的產(chǎn)品應(yīng)戰(zhàn)。

報(bào)導(dǎo)表示，英特爾的 H10 被稱之為下一代的存儲(chǔ)器儲(chǔ)存裝置，而且采用 Intel Optane 存儲(chǔ)器 H10 的第 8 代 Intel Core U 系列行動(dòng)平臺(tái)，將于本季稍晚透過主要 OEM 廠商推出。透過這些平臺(tái)，日常用戶將能夠在多工處理時(shí)，達(dá)到啟動(dòng)文件檔案的速度提高 2 倍，或者游戲啟動(dòng)速度提高 60%，以及打開媒體檔案的速度提高 90% 的效能。

而隨著筆電使用的 H10 問世，未來英特爾在服務(wù)器方面的相關(guān)產(chǎn)品也將會(huì)很快地推出，而憑借著英特爾在服務(wù)器上的高市占率優(yōu)勢(shì)，未來將會(huì)影響到三星與 SK 在服務(wù)器存儲(chǔ)器上的市占率。因此針對(duì)次此一市場(chǎng)，三星與海力士也將推出相類似的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)，不讓英特爾專美于前。

4月25日，SK海力士公布截至3月31日的2019年第一季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，今年第一季度，SK海力士營(yíng)收為6.77萬億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)1.37萬億韓元，凈利1.10萬億韓元。

為應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的變化，SK海力士在財(cái)報(bào)中表示要強(qiáng)化技術(shù)開發(fā)，并作出相應(yīng)布局。

DRAM領(lǐng)域，SK海力士表示將逐漸擴(kuò)大第一代10納米（1X）產(chǎn)量，并從下半年起，將主力產(chǎn)品更換為第二代10納米（1Y）產(chǎn)品。與此同時(shí)，為支援新款服務(wù)器芯片的高用量DRAM需求，將開始供給64GB模塊產(chǎn)品。

NAND Flash部分，SK海力士將專注于改善收益。SK海力士將停止生產(chǎn)成本較高的36層與48層3D NAND，同時(shí)提高72層產(chǎn)品的生產(chǎn)比重。

今年下半年，SK海力士將通過96層4D NAND鞏固公司在SSD與移動(dòng)市場(chǎng)的地位。

SK海力士是存儲(chǔ)器大廠，全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）提供的數(shù)據(jù)顯示，2018年第四季度，SK海力士DRAM市占率為31.2%，全球排名第二，NAND Flash市占率為11.2%，全球排名第五。

考慮到目前的需求量，SK海力士指出，韓國(guó)清州新M15工廠量產(chǎn)速度將比原計(jì)劃慢，同時(shí)，SK海力士今年NAND晶圓投入量也會(huì)比去年減少10%以上。

根據(jù)《路透社》引用知情人士的消息報(bào)導(dǎo)指出，韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠 SK 海力士正在考慮收購部分邏輯芯片制造商美格納（MagnaChip）的產(chǎn)能，用于擴(kuò)大其 8 寸晶圓的生產(chǎn)線。

報(bào)導(dǎo)指出，與存儲(chǔ)器龍頭三星相同，SK 海力士由于近來全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)需求放緩，開始加強(qiáng)發(fā)展手機(jī)核心處理器、圖像傳感器和汽車芯片等邏輯芯片的市場(chǎng)。因此，對(duì)于邏輯芯片的產(chǎn)能需求提升。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的消息來源指出，SK 海力士正在考慮拿下 MagnaChip 在南韓清州市的晶圓代工廠。而清州市剛好是 SK 海力士半導(dǎo)體生產(chǎn)的重要基地，如果拿下 MagnaChip 的清洲廠，可以強(qiáng)化 SK 海力士的 8 寸晶圓廠產(chǎn)能，還可以就近產(chǎn)生群聚效應(yīng)。不過，對(duì)此 SK 海力士和美格納都拒絕發(fā)表評(píng)論。

而根據(jù)資料顯示，MagnaChip 原母公司為 LG 半導(dǎo)體，于 2004 年被 SK 海力士聯(lián)合其他財(cái)團(tuán)收購，之后再從 SK 海力士的非存儲(chǔ)器事業(yè)部門拆分獨(dú)立出來，并于 2011 年在紐約證交所上市，為全球客戶提供從 0.8 微米到 0.11 微米制程的晶圓代工技術(shù)和服務(wù)。而 MagnaChip 目前在南韓有 5 座晶圓廠，其中的清洲廠月產(chǎn)能為 13 萬片。

事實(shí)上，由于圖像傳感器和汽車芯片等邏輯芯片產(chǎn)品的市場(chǎng)，隨應(yīng)用增加而供不應(yīng)求，使得許多當(dāng)前許多晶圓代工廠的 8 寸廠產(chǎn)能位處于滿載的狀態(tài)。而為了應(yīng)付市場(chǎng)的需求，除了 SK 海力士期望自 MagnaChip 取得 8 寸廠產(chǎn)能之外，日前晶圓代工龍頭臺(tái)積電也在時(shí)隔 15 年后，在南科再開設(shè) 8 寸晶圓廠。

無錫博報(bào)報(bào)道，4月18日，SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司無錫工廠舉行擴(kuò)建（C2F）竣工儀式。

作為江蘇單體投資規(guī)模最大的外商投資企業(yè)，無錫SK海力士二工廠項(xiàng)目于2017年10月簽約，總投資86億美元，其中16億美元用于新建33000平米潔凈廠房及其附屬配套設(shè)施，70億美元用于購買全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備。

項(xiàng)目建成后，無錫SK海力士二工廠將形成月產(chǎn)18萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能，年銷售額也計(jì)劃達(dá)到33億美元。

據(jù)悉，SK海力士與無錫已有15年的合作，一直在無錫重點(diǎn)推進(jìn)半導(dǎo)體前道工序和后道工序相關(guān)事業(yè)，接下來將與江蘇省包括無錫市及高新區(qū)全面戰(zhàn)略合作。

唱響產(chǎn)業(yè)強(qiáng)市“新錫劇”，帶動(dòng)的不僅是城市經(jīng)濟(jì)硬實(shí)力，還有民生幸?！盁o錫景”。

春天是播種的季節(jié)，綠色孕育著希望。江蘇省無錫今年首批重大項(xiàng)目集中開工的鼓聲擂響后，一季度市級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目推進(jìn)總體情況報(bào)表說明：無錫高新區(qū)（新吳區(qū)）以71.4%的開工率，再次走在全市前列。

值得一提的是，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地一期工程（華虹七廠）各關(guān)鍵建設(shè)節(jié)點(diǎn)均較計(jì)劃提前完成；SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司（下簡(jiǎn)稱SK海力士）二工廠將于4月18日舉辦竣工儀式。

伴隨著項(xiàng)目快速推進(jìn)，穩(wěn)健成長(zhǎng)的產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目正逐步顯現(xiàn)“溢出效應(yīng)”。以SK海力士為例，自2005年落子無錫，14年累計(jì)投資額將達(dá)200億美元。在錫產(chǎn)業(yè)鏈布局不斷擴(kuò)大的同時(shí)，海力士醫(yī)院、海力士學(xué)校、海力士幸福基金會(huì)等一系列民生配套相繼落戶無錫，此外，還帶火了東亞風(fēng)情街、集聚了半導(dǎo)體配套企業(yè)。

持續(xù)擴(kuò)大在錫產(chǎn)業(yè)鏈布局，SK 海力士將從“三個(gè)全省之最”迎來“三個(gè)全球之最”。

SK海力士正持續(xù)擴(kuò)大在無錫的產(chǎn)業(yè)鏈布局

SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司法人長(zhǎng)徐根哲接受記者采訪時(shí)表示，將整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈條放在無錫，是SK海力士與無錫市委市政府及無錫高新區(qū)共同努力的目標(biāo)。在過去十多年中，SK海力士在無錫重點(diǎn)推進(jìn)半導(dǎo)體前道工序和后道工序相關(guān)事業(yè)，2018年開始推進(jìn)部署將韓國(guó)總部的8英寸系統(tǒng)芯片項(xiàng)目遷到無錫。此外，還將把原本設(shè)在上海的中國(guó)銷售總部遷移到無錫。

自2005年在無錫設(shè)立投產(chǎn)以來，SK海力士已成為江蘇省單體投資規(guī)模最大、技術(shù)水平最高、發(fā)展速度最快的外資投資企業(yè)，更成為韓國(guó)高科技企業(yè)在中國(guó)、江蘇投資合作經(jīng)營(yíng)的成功典范。

在采訪中得知，SK海力士二工廠項(xiàng)目建成完全達(dá)產(chǎn)后，SK海力士無錫公司將形成月產(chǎn)18萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能，年銷售額也計(jì)劃達(dá)到33億美元。待二工廠項(xiàng)目全部建成投產(chǎn)后，公司占有中國(guó)存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)份額也將從35%提高至45%，使其成為全球單體投資規(guī)模最大、月產(chǎn)能最大、技術(shù)最先進(jìn)的10納米級(jí)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品生產(chǎn)基地。

不新增用地投資86億美元，二工廠項(xiàng)目18日舉行竣工儀式

“無錫高新區(qū)是SK海力士中國(guó)事業(yè)戰(zhàn)略發(fā)展基地，我們的成長(zhǎng)離不開無錫市委市政府以及無錫高新區(qū)的信任與支持！”SK海力士半導(dǎo)體（中國(guó)）有限公司無錫經(jīng)營(yíng)企劃部部長(zhǎng)金大澈，參與并見證了SK海力士在無錫的發(fā)展全過程。追溯往事，他用“信任”二字來為雙方的合作背書。

為保證SK海力士二工廠項(xiàng)目的順利推進(jìn)，無錫市政府成立“812項(xiàng)目協(xié)調(diào)推進(jìn)領(lǐng)導(dǎo)小組”，集全市之力，為項(xiàng)目提供全方位支持。

在項(xiàng)目簽約后，“812工作小組”牽頭協(xié)調(diào)無錫市供電公司、自來水公司、蒸汽公司等相關(guān)單位，保障SK海力士二工廠項(xiàng)目所需的基礎(chǔ)設(shè)施配套，為保證項(xiàng)目按時(shí)如期推進(jìn)提供了有力支撐。

新吳區(qū)政協(xié)副主席、無錫高新區(qū)招商發(fā)展中心主任金燕接受采訪時(shí)表示，投資達(dá)86億美元的二工廠項(xiàng)目，從談判、簽約、項(xiàng)目落地建設(shè)到18日舉辦竣工儀式，推進(jìn)速度如此之快，得益于政企雙方高層積極推動(dòng)，以及雙方多年來信任互惠的合作基礎(chǔ)。

從做產(chǎn)業(yè)到衍生醫(yī)院、學(xué)校、基金等一系列項(xiàng)目，呈現(xiàn)“溢出效應(yīng)”

基于在無錫高新區(qū)良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，SK海力士開始在其他領(lǐng)域進(jìn)行嘗試——在高新區(qū)簽約建設(shè)海力士醫(yī)院、海力士學(xué)校等民生配套。

海力士學(xué)校計(jì)劃在2021年下半年建成開學(xué)，致力于建設(shè)無錫最頂尖的名牌民辦學(xué)校，為該公司員工、新吳區(qū)及該市其他地區(qū)的孩子提供優(yōu)質(zhì)教育資源：一期計(jì)劃招收小學(xué)生1000名；二期將建設(shè)初中，計(jì)劃招收500名學(xué)生。

海力士醫(yī)院項(xiàng)目計(jì)劃在2022年建成開院，致力于建設(shè)全球頂尖醫(yī)療水平的綜合醫(yī)院，為社會(huì)提供優(yōu)質(zhì)的醫(yī)療服務(wù)。

除以企業(yè)之力建學(xué)校、醫(yī)院外，SK海力士還成立了“SK海力士幸?；饡?huì)”，聯(lián)手無錫市第八人民醫(yī)院，推出配備X光、心電圖、B超等一系列診療設(shè)備的“幸福巴士”，在企業(yè)與社區(qū)提供公益服務(wù)。與此同時(shí)，舉辦相關(guān)論壇開展半導(dǎo)體人才培訓(xùn)。

SK海力士的“溢出效應(yīng)”，還體現(xiàn)在拉動(dòng)服務(wù)業(yè)及集聚相關(guān)半導(dǎo)體配套產(chǎn)業(yè)。受此項(xiàng)目輻射帶動(dòng)，大批韓國(guó)員工來錫就業(yè)，帶火無錫高新區(qū)東亞風(fēng)情街的日韓餐飲業(yè)；與半導(dǎo)體相關(guān)的配套企業(yè)也紛紛落戶于此，形成集聚效應(yīng)。

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上游新聞報(bào)道，近日重慶市發(fā)布《關(guān)于做好2019年市級(jí)重大項(xiàng)目實(shí)施有關(guān)工作的通知》，首度公布了2019年市級(jí)重點(diǎn)項(xiàng)目清單。

2019年重慶市級(jí)重大項(xiàng)目包括743個(gè)年度建設(shè)項(xiàng)目和216項(xiàng)前期準(zhǔn)備項(xiàng)目，多個(gè)芯片項(xiàng)目上榜這份清單。

其中，2019年市級(jí)重大建設(shè)項(xiàng)目名單中，就有聯(lián)合微電子項(xiàng)目、SK海力士項(xiàng)目（二期）、華潤(rùn)微電子基板級(jí)扇出封裝項(xiàng)目、年產(chǎn)300萬片半導(dǎo)體芯片項(xiàng)目、聚力成氮化鎵外延片產(chǎn)業(yè)化和芯片產(chǎn)線項(xiàng)目（一期）、平偉實(shí)業(yè)6英寸碳化硅芯片線平臺(tái)項(xiàng)目等上榜。

其中，聯(lián)合微電子項(xiàng)目、SK海力士項(xiàng)目（二期）、華潤(rùn)微電子基板級(jí)扇出封裝項(xiàng)目與平偉實(shí)業(yè)6英寸碳化硅芯片線平臺(tái)項(xiàng)目還是重慶市2019年百項(xiàng)重點(diǎn)關(guān)注項(xiàng)目。

2019年市級(jí)重大前期規(guī)劃研究項(xiàng)目名單中，上榜的芯片項(xiàng)目有超硅半導(dǎo)體二期項(xiàng)目、兩江半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園、華潤(rùn)12吋晶圓項(xiàng)目等。

根據(jù)外媒BusinessKorea最新消息，SK海力士位于中國(guó)無錫的擴(kuò)建晶圓廠 (二廠) 將于本月全面投入運(yùn)營(yíng)。一旦這個(gè)耗資95億韓元的擴(kuò)建項(xiàng)目完工，海力士無錫工廠的產(chǎn)能將增加至每月180,000片晶圓。

然而，SK海力士表示，公司擴(kuò)大生產(chǎn)線目的單純是為了引入DRAM的微制造，而不是增加其產(chǎn)能。這意味著海力士將繼續(xù)控制芯片供應(yīng)量，來緩解市場(chǎng)供給過剩的現(xiàn)狀。
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SK海力士一位內(nèi)部人士表示，“初次生產(chǎn)的晶圓片在今年初就已進(jìn)入工廠，而這次，產(chǎn)量已達(dá)到了標(biāo)準(zhǔn)?！?等未來設(shè)備全部安裝完善時(shí)，SK海力士無錫工廠將擁有每月180,000片的10納米級(jí)DRAM晶圓的產(chǎn)能。
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在無錫工廠的擴(kuò)建上，SK海力士已經(jīng)獲得資金支持。今年3月25日，SK海力士與中國(guó)開發(fā)銀行牽頭組建了一批中資銀行的銀團(tuán)貸款舉行了簽字儀式。貸款金額估計(jì)高達(dá)35億美元，是江蘇省外幣貸款歷史上最大的一筆。
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在無錫擴(kuò)建工廠全面投入運(yùn)營(yíng)之前，SK海力士副董事長(zhǎng)樸成旭于3月29日訪問了無錫，并會(huì)見了無錫市委書記李小敏。 “隨著第二工廠項(xiàng)目的完成，SK海力士已經(jīng)在無錫工廠投資了140億美元，”樸成旭在會(huì)上提到?！敖?jīng)過14年的合作，海力士與無錫的關(guān)系與橡樹一樣強(qiáng)勁?！?br /> ?
行業(yè)觀察人士也正密切關(guān)注著無錫擴(kuò)建工廠將給DRAM的供給和價(jià)格帶來什么影響。
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根據(jù)DRAMexchange (集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心) 最新數(shù)據(jù)，3月份DDR4 8Gb DRAM的合約價(jià)較上月下降了 11.1％ 至 4.56 美元。

這與2016年12月的4.19美元的價(jià)格接近，當(dāng)時(shí)正是存儲(chǔ)器行業(yè)剛開始蓬勃發(fā)展的時(shí)期。相應(yīng)地，美光也宣布將分別削減DRAM和NAND閃存產(chǎn)量的5％。

根據(jù)韓國(guó)《朝鮮日?qǐng)?bào)》的報(bào)導(dǎo)指出，雖然 2018 年下半年開始，存儲(chǔ)器的價(jià)格開始走跌，也預(yù)告 2019 年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)會(huì)呈現(xiàn)不景氣的狀態(tài)。但相關(guān)業(yè)者認(rèn)為，以高附加價(jià)值產(chǎn)品來應(yīng)對(duì)當(dāng)前的狀況，其中研發(fā)（R&D）方面的投資將是不可或缺的關(guān)鍵。

報(bào)導(dǎo)指出，三星電子在 2018 年對(duì) R&D 的投入達(dá)到 18.66 兆韓圓，這和 2017 年的 16.81 兆韓圓相比，增加了 11%。而且，其不論金額或成長(zhǎng)幅度，都是繼 2017 年后再創(chuàng)歷史新高。至于，另一家存儲(chǔ)器大廠 SK 海力士也是相似的狀況，2018 年的 R&D 投資達(dá)到 2.89 兆韓圓，與 2017 年的金額相比，也增加 16%以上，同樣創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。

事實(shí)上，韓國(guó)業(yè)界人士表示，在啟動(dòng) 5G 服務(wù)之后，未來將需要處理的信息量大增，也能使得促進(jìn)機(jī)器效能提高的半導(dǎo)體需求也將會(huì)增加。因此，即便當(dāng)前市場(chǎng)較之前有所萎縮，但也是強(qiáng)化 R&D、積累技術(shù)的時(shí)機(jī)。

報(bào)導(dǎo)進(jìn)一步指出，存儲(chǔ)器價(jià)格慘跌的情況至今仍沒有緩解的跡象。以三星與 SK 海力士的主要產(chǎn)品 DRAM 顆?，F(xiàn)貨價(jià)格來說，DDR4 8G (1G*8)? 的產(chǎn)品已經(jīng)從 2018 年 3 月份的 9.1 美元，跌到 2019 年 2 月份的 4.56 美元，跌幅將近一半，而 NAND Flash 快閃存儲(chǔ)器的價(jià)格，在相同期間內(nèi)也下跌 30%。

而對(duì)于存儲(chǔ)器價(jià)格的走跌，三星與 SK 海力士不僅認(rèn)為研發(fā)新產(chǎn)品重要，而且兩公司為使存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)復(fù)甦，也大幅增加工廠建設(shè)、設(shè)備投資。2018 年三星僅在半導(dǎo)體部門就投資 23.72 兆韓圓，和前一年的 27.34 兆韓圓相較，僅減少了 13%。但與 2016 年的 13.15 兆韓圓相比，增加了 10 兆韓圓左右。

目前三星正在南韓京畿道平澤市建設(shè)半導(dǎo)體第 2 工廠，還在中國(guó)西安建設(shè)半導(dǎo)體工廠。市場(chǎng)人士解讀，觀察三星存儲(chǔ)器的狀況，三星認(rèn)為相較增加短期能提高產(chǎn)量的設(shè)備投資情況，不如從長(zhǎng)期角度出發(fā)來建設(shè)工廠。另外，SK 海力士 2018 年也投資 17.75 兆韓圓，占了總營(yíng)收的 44%，相較前一年 10.64 兆韓圓的金額來說，也增加了 67%。

SK 海力士在 2018 年 10 月，于南韓的忠清北道清州市的 M15工廠竣工，12 月時(shí)則是位于京畿道利川市的新 DRAM 生產(chǎn)線 M16 開工。SK 海力士認(rèn)為，以人工智能、虛擬實(shí)境為代表的第 4 次產(chǎn)業(yè)革命正式開啟后，存儲(chǔ)器供給量就會(huì)增加，因此得維持一定規(guī)模以上的存儲(chǔ)器投資，未來才有能力應(yīng)對(duì)。